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다중 스케일 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재

  • 기술번호 : KST2014042778
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 마이크로미터 스케일의 구조물과 나노미터 스케일의 구조물이 혼합된 다중 스케일 표면 가공 방법 및 이 방법에 의해 제조된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재를 제공한다. 본 발명에 따른 다중 스케일 표면 가공 방법은, 실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계와, 실리콘 웨이퍼 위에 마이크로미터 크기의 희생층을 형성하여 실리콘 웨이퍼 표면을 희생층 영역과 그 이외의 노출 영역으로 분리하는 단계와, 보호막 공정과 식각 공정이 주기적으로 반복되는 심도 반응성 이온 식각을 희생층이 제거된 이후까지 진행하여 희생층 영역에 마이크로미터 스케일 구조물을 형성함과 동시에 희생층 영역과 노출 영역 전체에 나노미터 스케일의 나노그라스(nanograss)를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 21/027 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC H01L 21/0273(2013.01)H01L 21/0273(2013.01)H01L 21/0273(2013.01)H01L 21/0273(2013.01)
출원번호/일자 1020100024737 (2010.03.19)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1100859-0000 (2011.12.23)
공개번호/일자 10-2011-0105541 (2011.09.27) 문서열기
공고번호/일자 (20120102) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.19)
심사청구항수 10

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조성진 대한민국 충남 아산시
2 임근배 대한민국 경북 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.19 수리 (Accepted) 1-1-2010-0176126-19
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.04.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042563-82
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.05.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0276868-61
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.07.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-0568712-27
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.07.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0568713-73
7 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0742950-61
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 위에 마이크로미터 크기의 희생층을 형성하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면을 희생층 영역과 그 이외의 노출 영역으로 분리하는 단계; 및보호막 공정과 식각 공정이 주기적으로 반복되는 심도 반응성 이온 식각을 상기 희생층이 제거된 이후까지 진행하여 상기 희생층 영역에 마이크로미터 스케일 구조물을 형성함과 동시에 상기 희생층 영역과 상기 노출 영역 전체에 나노미터 스케일의 나노그라스(nanograss)를 형성하는 단계를 포함하며,상기 희생층은 일정한 두께로 형성되고, 상기 마이크로미터 스케일 구조물은 상기 희생층과 같은 평면 형상을 가지면서 일정한 두께로 형성되는 다중 스케일 표면 가공 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 희생층은 포토레지스트 물질로 형성되며, 포토리소그래피 공정으로 패터닝되는 다중 스케일 표면 가공 방법
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서,상기 나노그라스는 상기 희생층 영역과 상기 노출 영역 각각에서 균일한 밀도와 일정한 높이로 형성되는 다중 스케일 표면 가공 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 나노그라스는 상기 노출 영역보다 상기 희생층 영역에서 높은 밀도와 낮은 높이로 형성되는 다중 스케일 표면 가공 방법
6 6
제4항에 있어서,상기 나노그라스는 상기 심도 반응성 이온 식각이 진행될수록 역삼각형의 단부를 가진 기둥 모양에서 윗면이 뾰족한 스파이크 모양으로 변화하는 다중 스케일 표면 가공 방법
7 7
실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계;상기 실리콘 웨이퍼 위에 마이크로미터 크기의 희생층을 형성하여 상기 실리콘 웨이퍼 표면을 상기 희생층에 대응하는 희생층 영역과 그 이외의 노출 영역으로 분리하는 단계; 및보호막 공정과 식각 공정이 주기적으로 반복되는 심도 반응성 이온 식각을 상기 희생층이 제거된 이후까지 진행하여 상기 희생층 영역에 마이크로미터 스케일 구조물을 형성함과 동시에 상기 희생층 영역과 상기 노출 영역 전체에 나노미터 스케일의 나노그라스(nanograss)를 형성하는 단계를 포함하고,상기 희생층은 가운데 부분의 두께가 가장 두꺼운 볼록 렌즈 모양으로 형성되며, 상기 마이크로미터 스케일 구조물은 상기 희생층과 동일한 평면 형상을 가지면서 불균일한 두께로 형성되는 다중 스케일 표면 가공 방법
8 8
제7항에 있어서,상기 희생층 영역의 나노그라스는 상기 심도 반응성 이온 식각의 진행 회수에 비례하는 밀도 균일성을 가지는 다중 스케일 표면 가공 방법
9 9
제8항에 있어서,상기 나노그라스는 상기 희생층 영역과 상기 노출 영역에서 윗면이 뾰족한 스파이크 모양으로 형성되는 다중 스케일 표면 가공 방법
10 10
제1항, 제2항, 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되며, 상기 마이크로미터 스케일 구조물과 상기 나노그라스가 융합된 다중 스케일 표면을 가지는 고체 기재
11 11
제10항에 있어서,상기 나노그라스는 50nm 내지 1,000nm의 폭과, 1㎛ 내지 100㎛의 높이를 가지는 고체 기재
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.