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실리콘 웨이퍼를 준비하는 단계; 및보호막 공정과 식각 공정이 주기적으로 반복되는 심도 반응성 이온 식각을 진행하여 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 나노미터 스케일의 나노그라스(nanograss)를 제조하는 단계를 포함하며,상기 나노그라스를 제조하는 단계에서, 상기 실리콘 웨이퍼 표면의 접촉각이 170° 이상이 되는 제1 조건과, 상기 나노그라스의 밀도가 50×107/cm2 이하가 되는 제2 조건을 동시에 만족할 때 상기 심도 반응성 이온 식각을 중지하는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 제2 조건은 상기 나노그라스의 밀도가 35×107/cm2 이하인 것으로 설정되는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제2항에 있어서,상기 나노그라스를 제조하는 단계에서, 상기 제1 조건 및 상기 제2 조건과 더불어 상기 나노그라스의 최대 높이가 10㎛ 이하가 되는 제3 조건을 동시에 만족할 때 상기 심도 반응성 이온 식각을 중지하는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 심도 반응성 이온 식각의 중지 시점은 상기 제1 조건과 상기 제2 조건을 동시에 만족하는 시점 중 최소 시점으로 설정되는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 보호막 공정에서 C4F8 가스를 사용하여 보호막을 형성하고, 상기 식각 공정에서 SF6 가스와 O2 가스의 혼합 가스를 사용하여 상기 보호막과 상기 실리콘 웨이퍼를 식각하는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제5항에 있어서,상기 나노그라스를 제조하는 단계에서, 상기 심도 반응성 이온 식각 중지 후 상기 보호막을 잔류시키는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 나노그라스를 제조한 다음 상기 실리콘 웨이퍼의 표면에 금속 반사막을 코팅하는 단계를 더 포함하는 초소수성 실리콘 거울의 제조 방법
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제1항 내지 제7항 중 어느 한 항의 방법으로 제조되며, 170° 이상의 접촉각을 구현하는 초소수성 실리콘 거울
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제8항에 있어서,상기 나노그라스는 100nm 내지 300nm의 폭과, 5㎛ 내지 20㎛의 높이를 가지는 복수의 팁으로 구성되는 초소수성 실리콘 거울
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