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일함수가 조절된 그래핀을 형성하는 방법 및 상기 방법으로 형성된 그래핀

  • 기술번호 : KST2014042786
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 일함수가 조절된 그래핀을 형성하는 방법을 제공한다. 상기 방법은 기본 그래핀(pristine graphene)을 준비하고, 알곤 이온(argon ion)을 가속시키고, 가속된 상기 알곤 이온을 상기 기본 그래핀에 조사하여 상기 기본 그래핀의 일함수(work function) 와 다른 일함수를 갖는 변형 그래핀을 형성하는 것을 포함한다.
Int. CL C01B 31/02 (2006.01) H01B 1/04 (2006.01)
CPC C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01) C01B 32/194(2013.01)
출원번호/일자 1020100037993 (2010.04.23)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1178555-0000 (2012.08.24)
공개번호/일자 10-2011-0118408 (2011.10.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120830) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.04.23)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 황찬국 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 지해근 대한민국 경기도 수원시 영통구
3 한진희 대한민국 경상북도 포항시 남구
4 지승훈 대한민국 경상북도 포항시 남구
5 진경환 대한민국 충청남도 태안군
6 황한나 대한민국 서울특별시 동대문구
7 김영독 대한민국 경기도 수원시 영통구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 양문옥 대한민국 서울(특허법인 퇴사후 사무소변경 미신고)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.04.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0263716-55
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.26 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2011-0065798-87
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.10.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0578945-84
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0970222-31
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0017210-86
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0017208-94
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0291406-23
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2012.06.12 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0467110-06
10 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.06.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0073598-69
11 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2012.06.18 수리 (Accepted) 1-1-2012-0479922-88
12 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.06.18 수리 (Accepted) 7-1-2012-0029203-87
13 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0075625-51
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.19 수리 (Accepted) 1-1-2012-0579172-64
15 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.07.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0579171-18
16 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0436360-23
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
그래핀의 일함수를 조절하는 방법에 있어서,기본 그래핀(pristine graphene)을 준비하고;알곤 이온(argon ion)을 가속시키고; 및,상기 기본 그래핀의 일함수(work function)와 다른 일함수를 가지는 변형 그래핀을 형성하는 것;을 포함하되,상기 변형 그래핀을 형성하는 것은,상기 가속된 알곤 이온을 상기 기본 그래핀에 조사시키고; 및,상기 기본 그래핀의 표면 전자 구조를 변형시키는 것;을 포함하고,상기 기본 그래핀의 표면 전자 구조를 변형시키는 것은, 상기 기본 그래핀의 표면 전자 구조를,구불구불한 그래핀(winding graphene) 구조;Stone-Wales defect가 형성된 SW(Stone-Wales) 그래핀 구조;두 개의 탄소 원자가 추가되어 두 개의 칠각형 고리 구조 및 두 개의 오각형 고리 구조를 형성한 7577 링 스트럭쳐(structure) 그래핀 구조; 및,두 개의 탄소 원자 쌍이 상기 기본 그래핀에 흡착된 상태인 C2 다이머(dimer) 그래핀 구조; 중 하나로 변형시키는 것이고,상기 변형된 표면 전자 구조가 상기 SW 그래핀 구조이면, 상기 변형 그래핀의 일함수는 상기 기본 그래핀의 일함수보다 낮고,상기 변형된 표면 전자 구조가 상기 구불구불한 그래핀 구조, 상기 7557 링 스트럭쳐 그래핀 구조 및 상기 C2 다이머 그래핀 구조 중 하나이면, 상기 변형 그래핀의 일함수는 상기 기본 그래핀의 일함수보다 높은 것을 특징으로 하는 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 기본 그래핀은 탄화규소(Silicon Carbide, SiC) 웨이퍼를 900℃~1300℃ 사이의 온도로 가열하여 형성된 것을 특징으로 하는 방법
4 4
제 3항에 있어서,상기 알곤 이온은 400eV~1200eV 사이의 에너지까지 가속되는 것을 특징으로 하는 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 변형된 표면 전자 구조가 상기 SW 그래핀 구조이면,상기 변형 그래핀의 일함수는 상기 기본 그래핀의 일함수보다 0
7 7
변형된 표면 전자 구조를 가지는 변형 그래핀에 있어서,상기 변형된 표면 전자 구조는 가속된 알곤 이온의 조사에 의하여 생성되고,상기 변형 그래핀의 일함수는 상기 알곤 이온이 조사된 기본 그래핀의 일함수와 상이하되,상기 변형된 표면 전자 구조는,구불구불한 그래핀(winding graphene) 구조;Stone-Wales defect가 형성된 SW(Stone-Wales) 그래핀 구조;두 개의 탄소 원자가 추가되어 두 개의 칠각형 고리 구조 및 두 개의 오각형 고리 구조를 형성한 7577 링 스트럭쳐(structure) 그래핀 구조; 및,두 개의 탄소 원자 쌍이 상기 기본 그래핀에 흡착된 상태인 C2 다이머(dimer) 그래핀 구조; 중 하나이고,상기 변형된 표면 전자 구조가 상기 SW 그래핀 구조이면, 상기 변형 그래핀의 일함수는 상기 기본 그래핀의 일함수보다 낮고,상기 변형된 표면 전자 구조가 상기 구불구불한 그래핀 구조, 상기 7557 링 스트럭쳐 그래핀 구조 및 상기 C2 다이머 그래핀 구조 중 하나이면, 상기 변형 그래핀의 일함수는 상기 기본 그래핀의 일함수보다 높은 것을 특징으로 하는 변형 그래핀
8 8
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9 9
삭제
10 10
제 7항에 있어서, 상기 변형된 표면 전자 구조가 상기 SW 그래핀 구조이면,상기 변형 그래핀의 일함수 상기 기본 그래핀의 일함수보다 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.