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표면증강라만산란 분광용 기판 및 이를 이용한 표면증강라만산란 분광법

  • 기술번호 : KST2014042811
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 질화물계 기판 및 광소자를 이용한 표면증강라만산란(SERS) 분석법에 관한 것이다. 나노구조물이 형성된 질화물계 기판 및 상기 기판에 금속층 또는 금속나노입자를 형성하여 SERS 분석법에 사용하면, 핫스팟의 유도가 효율적으로 이루어지기 때문에 물질의 검출 감도를 높일 수 있다. 또한 질화물계 발광다이오드(LEDs) 및 레이저다이오드(LDs)를 SERS 기판으로 사용할 경우, 여기 광원으로써 별도의 레이저 광원을 필요치 않으며, 표면플라즈몬공명(surface plasmon resonance) 현상이 증가되어 물질 검출 감도를 더욱 높여 줄 수 있다. 따라서 본 발명에 따른 질화물계 기판 및 광소자를 이용한 SERS 분석법은 뛰어난 감도를 가짐으로써 분석 물질을 보다 쉽고 빠르게 분석할 수 있다.
Int. CL G01J 3/44 (2006.01) H01L 21/02 (2006.01) G01N 21/65 (2006.01)
CPC G01J 3/4412(2013.01) G01J 3/4412(2013.01) G01J 3/4412(2013.01) G01J 3/4412(2013.01)
출원번호/일자 1020100060450 (2010.06.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1225124-0000 (2013.01.16)
공개번호/일자 10-2012-0000219 (2012.01.02) 문서열기
공고번호/일자 (20130122) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.25)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 손준호 대한민국 경상북도 경산시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 경상북도 포항시 남구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0409802-64
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.06.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.07.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0061057-81
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.09.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0520761-98
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.11.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0900982-37
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.12.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0997171-77
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0037190-18
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0037193-55
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal		 2012.05.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0286784-48
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.07.10 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0551682-93
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0551681-47
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0665215-26
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전부 또는 일부에 발광구조를 갖는 질화물계 반도체를 포함하는 기판으로,상기 기판 표면의 일부 또는 전부에는 요철부가 형성되어 있으며, 상기 요철부는 건식식각법에 의해 1차 구조물이 형성된 후, 습식식각법에 의해 최종적인 구조가 형성되며, 다수의 피라미드 형상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 발광구조는 발광다이오드(LEDs) 또는 레이저다이오드(LDs)인 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판
3 3
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4 4
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5 5
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7 7
제 1 항에 있어서, 상기 기판의 표면에 추가로 금속박막층 또는 금속나노입자층이 형성되는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판
8 8
제 7 항에 있어서, 상기 금속박막층 또는 금속나노입자층을 구성하는 금속은 Ag(은), Au(금), Al(알루미늄) 또는 이들의 합금인 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판
9 9
제 7 항에 있어서, 상기 금속나노입자층은, 상기 반도체 기판의 표면에 금속박막을 도포한 후, 열처리 또는 레이저 조사를 통해 형성되는 것을 특징으로 하는 표면증강라만산란 분광용 기판
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11 11
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12 12
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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