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플렉서블 유기 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014042898
  • 담당센터 : 대구기술혁신센터
  • 전화번호 : 053-550-1450
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 가요성이 있는 금속기판상에 평탄화 및 절연용 박막을 형성하고 이 위에 반사 양극을 형성한 후, 정공주입층으로 열증착법으로 형성된 금속산화물 박막을 사용함으로써, 개시 전압 및 작동 전압을 낮추고 전자와 정공의 재결합을 증가시켜 내부 양자 효율을 증가시킬 수 있도록 한 플렉서블 유기 발광 다이오드에 관한 것이다. 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드는 금속기판상에 순차적으로, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공차폐층, 전자수송층, 전자주입층 및 투명음극이 형성되어 있고, 상기 금속기판과 양극의 사이에는 평탄화 및 절연용 박막이 형성되어 있으며, 상기 정공주입층은 열증착이 가능한 1종 이상의 금속산화물 박막으로 이루어진 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 51/50 (2006.01)
CPC H01L 51/5088(2013.01) H01L 51/5088(2013.01)
출원번호/일자 1020100026543 (2010.03.25)
출원인 포항공과대학교 산학협력단
등록번호/일자
공개번호/일자 10-2011-0107447 (2011.10.04) 문서열기
공고번호/일자
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 거절
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.25)
심사청구항수 22

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 포항공과대학교 산학협력단 대한민국 경상북도 포항시 남구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이종람 대한민국 경상북도 포항시 남구
2 김성준 대한민국 경상북도 포항시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아이엠 대한민국 서울특별시 강남구 봉은사로 ***, ***호 (역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.25 수리 (Accepted) 1-1-2010-0188201-61
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0400381-60
3 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0731382-33
4 보정요구서
Request for Amendment		 2011.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0089116-61
5 [출원서등 보정]보정서(납부자번호)
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment(Payer number)		 2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0754712-91
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.20 무효 (Invalidation) 1-1-2011-0823272-00
7 보정요구서
Request for Amendment		 2011.10.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0099652-01
8 무효처분통지서
Notice for Disposition of Invalidation		 2011.11.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0109746-74
9 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2011.11.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0707412-54
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.06.13 수리 (Accepted) 4-1-2013-0025573-58
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2014-5024386-11
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.20 수리 (Accepted) 4-1-2019-5243581-27
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5245997-53
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.11.25 수리 (Accepted) 4-1-2019-5247115-68
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
금속기판상에 순차적으로, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공차폐층, 전자수송층, 전자주입층 및 투명음극이 형성되어 있고,상기 금속기판과 양극의 사이에는 평탄화 및 절연용 박막이 형성되어 있으며,상기 정공주입층은 열증착이 가능한 1종 이상의 금속산화물 박막으로 이루어진 플렉서블 유기 발광 다이오드
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속기판은 두께가 0
3 3
제 1 항에 있어서,상기 평탄화 및 절연용 박막은 폴리이미드(Polyimide), 포토레지스트(Photo resist) 또는 스핀-온-글래스(Spin-on-glass)로 이루어진 단일층으로 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
4 4
제 3 항에 있어서,상기 평탄화 및 절연용 박막 상에 추가로 금속산화물 박막이 형성된 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
5 5
제 1 항에 있어서,상기 양극은 Ag 또는 Ag 합금을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
6 6
제 1 항에 있어서, 상기 양극은,Ni 박막에 Ag 박막 또는 Ag 합금박막을 적층한 제 1 복합박막, 상기 제 1 복합박막에 추가로 Ni 박막을 적층한 제 2 복합박막, 또는 상기 제 2 복합박막에 추가로 ITO 박막을 적층한 제 3 복합박막인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
7 7
제 5 항 또는 제 6 항에 있어서,상기 양극의 표면은 산소 플라스마 또는 자외선으로 표면처리되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 정공주입층은, Cu 산화물, In 산화물 또는 Sn 산화물 중에서 선택된 1종 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
9 9
제 8 항에 있어서,상기 정공주입층은, 추가로 Mg, Ca, Sr, Al, Ga, In, Si, Ge, Sn, As, Sb, Se, Te 및 Mo로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속을 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
10 10
제 1 항, 제 8 항 또는 제 9 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 정공주입층은 산소 플라스마 처리된 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
11 11
제 1 항에 있어서,상기 정공주입층은 CuOx, SnOx 또는 InOx를 포함하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드
12 12
금속기판상에 순차적으로, 평탄화 및 절연용 금속산화물 박막과, 양극, 정공주입층, 정공수송층, 발광층, 정공차폐층, 전자수송층, 전자주입층 및 투명음극을 형성하고,상기 금속산화물 박막은 CuOx, InOx 및 SnOx로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 분말에 Mg, Ca, Sr, Al, Ga, Si, Ge, As, Sb, Se, Te 및 Mo로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 금속 분말을 혼합한 후 열증착법을 통해 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
13 13
제 12 항에 있어서, 상기 금속산화물 박막의 형성 후에 산소 플라스마 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
14 14
제 12 항에 있어서,상기 정공주입층은 열증착법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
15 15
제 12 항에 있어서,상기 양극에 자외선-오존 처리를 수행한 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
16 16
제 12 항에 있어서,상기 정공주입층은, 열증착법으로 형성한 CuOx, InOx 또는 SnOx 막으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
17 17
제 12 항에 있어서,상기 정공주입층은, Cu, In 또는 Sn 막을 열증착법으로 형성한 후, 그 위에 산소 플라스마 처리를 행하는 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
18 18
제 12 항에 있어서,상기 정공주입층은, Cu, In 및 Sn에서 선택된 1종 이상의 금속분말에 Mg, Ca, Sr, Al, Ga, Si, Ge, As, Sb, Se, Te 및 Mo에서 선택된 1종 이상의 금속분말을 혼합한 후 열증착법으로 형성한 박막인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 열증착법에 의해 형성된 정공주입층에 추가로 산소 플라스마 처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
20 20
제 12 항에 있어서,상기 정공주입층은, CuOx, InOx 및 SnOx 에서 선택된 1종 이상의 분말에 Mg, Ca, Sr, Al, Ga, Si, Ge, As, Sb, Se, Te 및 Mo에서 선택된 1종 이상의 금속분말을 혼합한 후, 열증착법을 통해 형성한 박막인 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
21 21
제 20 항에 있어서,상기 열증착법에 의해 형성된 정공주입층에 추가로 산소 플라스마 처리를 행하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
22 22
제 12 항에 있어서, 상기 정공주입층의 두께가 2 ~ 200Å이 되도록 형성하는 것을 특징으로 하는 플렉서블 유기 발광 다이오드의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.