| 1 |
1
금속/환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막/금속의 평면 배열 구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자에 있어서,기판 상에 위치한 2개의 금속 단자;상기 2개의 금속 단자의 상부 또는 하부에 형성되어 상기 2개의 금속 단자를 연결하는 환원된 그라핀 옥사이드 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,상기 환원된 그라핀 옥사이드 박막이 금속 단자의 상부에 형성된 경우,상기 그라핀 옥사이드 박막 상부에 금속 단자를 추가로 적층하여 수직구조를 이루는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,상기 기판은 결정성 기판, 비정질 기판, 플라스틱 기판과 같은 절연체 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
|
| 4 |
4
제3항에 있어서, 상기 기판은 실리콘 산화막, 사파이어 기판, 유리, PET, 폴리이미드, 세라믹 기판 중에서 선택되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
|
| 5 |
5
제1항에 있어서,상기 금속 단자의 간격은 20 nm - 2 mm인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
|
| 6 |
6
제1항에 있어서,상기 환원된 그라핀 옥사이드 박막의 두께는 20 nm - 1 μm 범위인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자
|
| 7 |
7
제1항에 있어서,저항 스위칭 전압은 0
|
| 8 |
8
금속/환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막/금속의 평면 배열 구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,1) 기판 상에 2 개의 금속 전극을 패터닝하는 단계;2) 상기 2 개의 금속 전극의 상부에 그라핀 옥사이드 박막을 형성하여 금속 전극을 연결하는 단계;3) 상기 그라핀 옥사이드 박막을 환원시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,4) 상기 환원된 그라핀 옥사이드 박막 상에 상부 금속 전극을 패터닝하는 단계; 를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 10 |
10
금속/환원된 그라핀 옥사이드(r-GO) 박막/금속의 평면 배열 구조를 갖는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법에 있어서,1) 기판 상에 그라핀 옥사이드 박막을 형성하는 단계;2) 상기 그라핀 옥사이드 박막을 환원시키는 단계;3) 상기 환원된 그라핀 옥사이드 박막 상에 2 개의 금속 전극을 패터닝하는 단계; 를 포함하는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 11 |
11
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서,상기 그라핀 옥사이드는 a) 그라파이트와 진산나트륨(NaNO3) 및 황산(H2SO4)을 혼합한 후, 과망간산칼륨(KMnO4)을 첨가하여 산화혼합물을 제조하는 단계; b) 상기 산화혼합물을 3일간 실온에서 유지한 후 그라파이트가 박리되어 그라핀 옥사이드 플레이크가 생성되도록 하는 단계; 및 c) 묽은 황산 및 과산화수소 또는 과산화수소 및 물로 상기 혼합물을 세척하며 원심분리기(centrifuge)를 이용하여 정제하는 단계;를 포함하는 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 12 |
12
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 환원 단계는 기판과 금속전극이 고온에서 견디는 물질일 경우 800 - 1,000 ℃에서 5 - 60 분간 Ar/H2 혼합물(90% Ar, 10% H2) 분위기에서 어닐링하여 환원시키는 방법에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 13 |
13
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 환원 단계는 기판이 플라스틱일 경우 그라핀 옥사이드(GO) 현탁액에 아스코르브산(ascorbic acid)을 첨가하고 그라핀 옥사이드 박막을 형성한 후 Ar 대기하에 130 - 300℃ 온도범위에서 6 - 24시간 동안 어닐링함으로써 환원시키는 방법에 따라 수행되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 14 |
14
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 환원된 그라핀 옥사이드 박막은 그라핀 옥사이드 박막의 환원 과정에서 전도성이 조절되어 메모리 소자의 스위칭 전압을 제어하게 되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 15 |
15
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 그라핀 옥사이드 박막은 그라핀 옥사이드 현탁액을 스핀코팅(Spin coating)하거나, 인크젯 프린팅(Ink jet printing), 스크린 프린팅(Screen printing), 스핀 캐스팅(Spin casting), 스프레이(Spray), 필터링 하는 방법 중에서 선택된 어느 한 가지 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 16 |
16
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 전극은 E-beam 증착기 또는 열증발기 또는 화학기상증착법 중 한 가지 방법으로 금속층을 형성한 다음, 포토리쏘그라피 또는 새도우 마스크 또는 잉크젯 프린팅 또는 스크린 프린팅 또는 오프셋 프린팅 방법으로 패터닝되는 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
| 17 |
17
제8항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 전극 배열에서 금속 전극 사이의 간격은 20 nm - 2 mm 인 것을 특징으로 하는 비휘발성 메모리 소자의 제조 방법
|
