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광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법

기술번호 : KST2014042969
담당센터 : 서울동부기술혁신센터
전화번호 : 02-2155-3662

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 포함하고, 기판에 증착된 반도체, 및 반도체 외부에 증착된 광학적 이방성 물질을 포함함으로써, 광추출효율을 높일 수 있다.
Int. CL	H01L 33/44 (2014.01)
CPC	H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01) H01L 33/44(2013.01)
출원번호/일자	1020110028238 (2011.03.29)
출원인	동국대학교 산학협력단
등록번호/일자	10-1171770-0000 (2012.08.01)
공개번호/일자
공고번호/일자	(20120807) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2011.03.29)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단	대한민국	서울특별시 중구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김삼동	대한민국	경기도 성남시 분당구
2	정성호	대한민국	인천광역시 남동구
3	문성운	대한민국	서울특별시 은평구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인충현	대한민국	서울특별시 서초구 동산로 *, 층(양재동, 베델회관)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	동국대학교 산학협력단		서울특별시 중구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2011.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0228845-16
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2011.07.22	수리 (Accepted)	1-1-2011-0569661-65
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서 [Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search	2011.07.26	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서 [Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search	2011.08.01	수리 (Accepted)	9-1-2011-0063456-31
5	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2011.11.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0685540-84
6	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2012-0056142-27
8	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.01.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0056143-73
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2012.03.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0193038-58
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2012.05.15	수리 (Accepted)	1-1-2012-0387307-38
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2012.05.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0387308-84
12	등록결정서 Decision to grant	2012.07.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0404554-90
13	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
14	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판;상기 기판 위에 증착되어 발광다이오드를 형성하는 반도체; 및상기 반도체 위에 증착된 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드
2	2 제 1 항에 있어서,상기 광학적 이방성 물질은 Calcite, CaCo3, Rutile, Tourmaline, LiNbO3, 석영, 및 운모로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
3	3 제 1항에 있어서,상기 반도체는 적어도 하나 이상의 P-타입 반도체와 적어도 하나 이상의 N-타입 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
4	4 제 3 항에 있어서,상기 P-타입 반도체와 상기 N-타입 반도체 사이에 활성층을 포함하는 발광다이오드
5	5 제 4 항에 있어서,상기 활성층은 양자우물층과 양자장벽층이 교번적으로 적층된 양자우물구조인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
6	6 서브 마운트;상기 서브 마운트 위에 증착되는 범프;상기 범프 위에 증착되어 발광다이오드를 형성하는 반도체; 및상기 반도체 위에 증착된 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드
7	7 제 6 항에 있어서,상기 광학적 이방성 물질은 Calcite, CaCo3, Rutile, Tourmaline, LiNbO3, 석영, 및 운모로 이루어지는 군으로부터 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
8	8 제 6항에 있어서,상기 반도체는 적어도 하나 이상의 P-타입 반도체와 적어도 하나 이상의 N-타입 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드
9	9 제 8 항에 있어서,상기 P-타입 반도체와 상기 N-타입 반도체 사이에 활성층을 포함하는 발광다이오드
10	10 제 9 항에 있어서,상기 활성층은 양자우물층과 양자장벽층이 교번적으로 적층된 양자우물구조인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
11	11 기판 위에 반도체를 증착하는 단계; 및상기 반도체 위에 광학적 이방성 물질을 증착하는 단계를 포함하고,상기 반도체는 적어도 하나 이상의 P-타입 반도체와 적어도 하나 이상의 N-타입 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
12	12 제 11 항에 있어서,상기 P-타입 반도체와 상기 N-타입 반도체 사이에 활성층을 증착하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
13	13 광학적 이방성 물질 기판 위에 반도체를 증착하는 단계;전극이 형성되는 소정의 위치에 상기 반도체를 식각하는 단계; 및서브 마운트 위에 범프를 부착하고 상기 범프 상부에 상기 반도체를 부착하여 상기 광학적 이방성 물질 기판이 외부를 향하도록 하는 단계를 포함하고,상기 반도체는 적어도 하나 이상의 P-타입 반도체와 적어도 하나 이상의 N-타입 반도체를 포함하는 것을 특징으로 하는 발광다이오드 제조방법
14	14 제 13 항에 있어서,상기 P-타입 반도체와 상기 N-타입 반도체 사이에 활성층을 증착하는 단계를 더 포함하는 발광다이오드 제조방법
15	15 제 1 항에 있어서,상기 기판은 광학적 이방성 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드
16	16 삭제
17	17 제 6 항에 있어서,상기 반도체의 위에 증착된 기판을 더 포함하고,상기 기판은 광학적 이방성 물질인 것을 특징으로 하는 발광다이오드

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1171770-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20110329 출원 번호 : 1020110028238 공고 연월일 : 20120807 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20120713 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 33/44 발명의 명칭 : 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법 존속기간(예정)만료일 : 20180802

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 동국대학교 산학협력단 서울특별시 중구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	334,500 원	2012년 08월 02일	납입
제 4 년분	금 액	274,400 원	2015년 07월 30일	납입
제 5 년분	금 액	274,400 원	2016년 07월 29일	납입
제 6 년분	금 액	274,400 원	2017년 08월 02일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2011.03.29	수리 (Accepted)	1-1-2011-0228845-16
2	[우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서	2011.07.22	수리 (Accepted)	1-1-2011-0569661-65
3	[우선심사신청]선행기술조사의뢰서	2011.07.26	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
4	[우선심사신청]선행기술조사보고서	2011.08.01	수리 (Accepted)	9-1-2011-0063456-31
5	의견제출통지서	2011.11.23	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2011-0685540-84
6	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.06	수리 (Accepted)	4-1-2011-5243351-46
7	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.01.20	수리 (Accepted)	1-1-2012-0056142-27
8	[명세서등 보정]보정서	2012.01.20	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0056143-73
9	의견제출통지서	2012.03.30	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0193038-58
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2012.05.15	수리 (Accepted)	1-1-2012-0387307-38
11	[명세서등 보정]보정서	2012.05.15	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2012-0387308-84
12	등록결정서	2012.07.13	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2012-0404554-90
13	출원인정보변경(경정)신고서	2014.01.10	수리 (Accepted)	4-1-2014-0002002-62
14	출원인정보변경(경정)신고서	2019.08.16	수리 (Accepted)	4-1-2019-5163486-33


기술번호	KST2014042969
자료제공기관	NTB
기술공급기관	동국대학교
기술명	광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법
기술개요	본 발명은 광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 기판을 포함하고, 기판에 증착된 반도체, 및 반도체 외부에 증착된 광학적 이방성 물질을 포함함으로써, 광추출효율을 높일 수 있다.
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이선스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415115384
세부과제번호	10032675
연구과제명	300mm ARC 공정용 SiON, SiCN 장비 및 공정개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	한국산업기술평가관리원
연구주관기관명	나노세미콘(주)
성과제출연도	2011
연구기간	200905~201206
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

[1020110028238]	광학적 이방성 물질을 포함하는 발광다이오드 및 그 제조방법	새창보기
[1020090095691]	나노구조를 갖는 ＭＩＭ 캐패시터 제조방법	새창보기

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