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ｐ-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조방법, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 ｐ-형 도판트의 활성화 방법, 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 질화갈륨계 화합물 반도체 발광 디바이스

  • 기술번호 : KST2014043069
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  • 전화번호 :
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본원은, 전기화학적 정전위법(electrochemical potentiostatic method)을 이용하여 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트를 활성화시킴으로써 p-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층의 정공 농도를 증가시키고 전기적 특성을 개선할 수 있는 방법을 제공하고 이러한 방법을 이용하여 제조되는 질화갈륨계 화합물 반도체 디바이스 및 발광 디바이스를 제공하고자 한다.
Int. CL H01L 33/32 (2010.01.01) H01L 33/00 (2010.01.01)
CPC H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01) H01L 33/32(2013.01)
출원번호/일자 1020100016425 (2010.02.23)
출원인 (주)큐엠씨, 전남대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1171817-0000 (2012.08.01)
공개번호/일자 10-2011-0096897 (2011.08.31) 문서열기
공고번호/일자 (20120814) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.23)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 (주)큐엠씨 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유병소 대한민국 인천광역시 부평구
2 이준기 대한민국 광주광역시 북구
3 권광우 대한민국 경기 용인시 수지구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.02.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0119143-15
2 보정요구서
Request for Amendment		 2010.03.08 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0020574-74
3 [복대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2010.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0153953-67
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2010.03.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0153968-41
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.04.13 수리 (Accepted) 4-1-2010-5065106-12
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0027015-87
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0327336-79
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.08.11 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2011-0622928-38
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.11 수리 (Accepted) 1-1-2011-0622836-36
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0622838-27
12 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2011.08.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0073936-64
13 [복대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Sub-agent] Report on Agent (Representative)		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634936-29
14 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634907-16
15 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.08.17 수리 (Accepted) 1-1-2011-0634949-12
16 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2011.08.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0074892-11
17 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.02.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0105335-17
18 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.03.23 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0236984-10
19 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0236981-84
20 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0216400-68
21 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.05.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0370082-63
22 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.05.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0370081-17
23 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2012.06.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0359106-14
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
25 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
26 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
27 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
28 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
29 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2020-5039830-30
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
Al2O3를 포함하는 비전도성 기판(substrate)에 p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층을 형성하고; 상기 질화갈륨계 화합물 반도체 층이 형성된 기판을 전해액과 접촉시키고; 상기 전해액과 접촉하는 상대 전극(counter electrode)을 제공하고; 및상기 상대 전극과, 작업 전극(working electrode)으로서 상기 질화갈륨계 화합물 반도체 층 사이에 전압을 인가함으로써 상기 전해액으로부터 상기 질화갈륨계 화합물 반도체에 전자(e-)가 직접 공급되어 상기 p-형 도판트를 활성화시키는 것:을 포함하는,p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
삭제
5 5
제 1 항에 있어서,상기 p-형 도판트는 Mg, Zn, Cd, Be, Ca, Ba 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층은 기상 증착 방법(vapor-phase deposition method)을 이용하여 상기 기판에 형성되는 것인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서,상기 기상 증착 방법은 유기금속화학증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 방법, 분자선 에피탁시(MBE = Molecular Beam Epitaxy) 방법 또는 수소기상에피택시(Hydride Vapor phase Epitaxy; HVPE) 방법인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서, 상기 질화갈륨계 화합물 반도체는 질화갈륨, 질화알루미늄갈륨, 질화인듐갈륨, 또는, 질화알루미늄갈륨인듐을 포함하는 것인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 전해액은 용액 형태 또는 용융염 형태로 제공되는 것인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 전해액은 산성, 중성 또는 알칼리성 전해질을 포함하는 수용액을 포함하는 것인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
11 11
제 9 항에 있어서,상기 전해액은 알칼리 금속의 할로겐화물 및 알칼리토 금속의 할로겐화물으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 용융된 염을 포함하는 것인, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
12 12
제 1 항에 있어서,상기 질화갈륨계 화합물 반도체 층이 형성된 기판을 상기 전해액과 접촉시키기 전에 열처리하는 것을 추가 포함하는, p-형 질화갈륨계 화합물 반도체의 제조 방법
13 13
p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층이 형성된 Al2O3를 포함하는 비전도성 기판을 전해액과 접촉시키고; 상기 전해액과 접촉하는 상대 전극(counter electrode)을 제공하고; 및상기 상대 전극과, 작업 전극(working electrode)으로서 상기 질화갈륨계 화합물 반도체 층 사이에 전압을 인가함으로써 상기 전해액으로부터 상기 질화갈륨계 화합물 반도체에 전자(e-)가 직접 공급되어 상기 p-형 도판트를 활성화시키는 것:을 포함하는,질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트의 활성화 방법
14 14
삭제
15 15
제 13 항에 있어서,상기 질화갈륨계 화합물 반도체 층이 형성된 기판을 상기 전해액과 접촉시키기 전에 열처리하는 것을 추가 포함하는, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트의 활성화 방법
16 16
제 13 항에 있어서, 상기 전해액은 용액 형태 또는 용융염 형태로 제공되는 것인, 질화갈륨계 화합물 반도체에 함유된 p-형 도판트의 활성화 방법
17 17
삭제
18 18
Al2O3를 포함하는 비전도성 기판;상기 기판 상에 형성된 n-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층;상기 n-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층 상에 형성된 활성층; 및상기 활성층 상에 형성된 p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층:을 포함하는 적층체를 포함하며, 상기 적층체의 p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층을 작업 전극으로서 사용하여, 상기 적층체를 전해액과 접촉시킨 상태에서 상대 전극(counter electrode)과 상기 작업 전극(working electrode) 사이에 전압을 인가함으로써 상기 전해액으로부터 상기 질화갈륨계 화합물 반도체에 전자(e-)가 직접 공급되어 상기 적층체의 질화갈륨계 화합물 반도체 층에 포함된 상기 p-형 도판트가 활성화되는 것인,발광 디바이스
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
제 18 항에 있어서,상기 p-형 도판트는 Mg, Zn, Cd, Be, Ca, Ba 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인, 발광 디바이스
23 23
제 18 항에 있어서,상기 n-형 질화갈륨계 화합물 반도체 층, 상기 활성층 및 상기 p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층은 기상 증착 방법에 의하여 형성된 것인, 발광 디바이스
24 24
제 23 항에 있어서,상기 기상 증착 방법은 유기금속화학증착(Metal Organic Chemical Vapor Deposition; MOCVD) 방법 또는 수소기상에피택시(Hydride Vapor phase Epitaxy; HVPE) 방법인, 발광 디바이스
25 25
제 18 항에 있어서,상기 p-형 도판트는, 상기 적층체를 열처리한 후 상기 전해액과 접촉시키고; 상기 전해액과 접촉하는 상대 전극(counter electrode)을 제공하고; 상기 상대 전극과, 작업 전극(working electrode)으로서 상기 p-형 도판트를 포함하는 질화갈륨계 화합물 반도체 층 사이에 전압을 인가함으로써 활성화된 것인, 발광 디바이스
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.