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염료감응 태양전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014043241
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명의 염료감응 태양전지의 제조 방법은 제 1 전극이 형성된 하부 기판의 제 1 전극 상에 금속 산화물 입자들을 도포하고 적외선 열처리를 통해 소결하여 반도체층을 형성하는 단계; 상기 금속 산화물 입자들의 표면에 염료를 흡착시키는 단계; 상부 기판의 제 2 전극이 상기 반도체층과 이격되도록 상부 기판을 하부 기판과 합착하는 단계; 및 상기 하부 기판 및 상부 기판 사이의 공간에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하며, 금속 산화물 입자의 열처리를 적외선 열처리를 통하여 수행함으로써, 저온 공정에서 단시간에 다공성 반도체층을 다공성 반도체층을 형성할 수 있다.
Int. CL H01G 9/20 (2006.01.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01) H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020100059896 (2010.06.24)
출원인 한양대학교 산학협력단, 건국대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1152562-0000 (2012.05.25)
공개번호/일자 10-2011-0139835 (2011.12.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.07.29)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구
2 건국대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 광진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박지용 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 이세헌 대한민국 서울특별시 강동구
3 신기현 대한민국 서울특별시 광진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
2 건국대학교 산학협력단 서울특별시 광진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0405997-54
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.06.28 수리 (Accepted) 1-1-2010-0412500-52
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2010-0422465-20
4 보정요구서
Request for Amendment
2010.07.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2010-0059234-68
5 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0485066-26
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2010.07.29 수리 (Accepted) 1-1-2010-0491497-87
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.10.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0624229-25
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.12.22 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-1021333-21
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.12.22 수리 (Accepted) 1-1-2011-1021326-12
10 등록결정서
Decision to grant
2012.04.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0245137-23
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.06.01 수리 (Accepted) 4-1-2012-5116974-69
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제 1 전극이 형성된 하부 기판의 제 1 전극 상에 금속 산화물 입자들을 도포하고 적외선 열처리를 통해 소결하여 반도체층을 형성하는 단계; 상기 금속 산화물 입자들의 표면에 염료를 흡착시키는 단계;상부 기판의 제 2 전극이 상기 반도체층과 이격되도록 상부 기판을 하부 기판과 합착하는 단계; 및 상기 하부 기판 및 상부 기판 사이의 공간에 전해질을 주입하는 단계;를 포함하고,상기 적외선 열처리 시간은 30초 내지 5분인 염료감응 태양전지의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 금속 산화물 입자들을 도포하는 것은 상기 제 1 전극 상에 상기 금속 산화물 입자들을 수용성 분산액에 분산시켜 도포하는 것이며, 상기 적외선 열처리는 도포된 상기 금속 산화물 입자들을 소결하는 것인 염료감응 태양전지의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 적외선 열처리는 근적외선을 이용하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 적외선 열처리시 상기 하부 기판 상의 열유속은 1300W/㎡ 내지 1800W/㎡인 염료감응 태양전지의 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 1항에 있어서, 상기 적외선 열처리는 적외선 램프를 이용하는 염료감응 태양전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 서울특별시 건국대학교 산학협력단 서울시 산학연 협력사업(2006년 서울시 기술기반구축사업) 동부권 도심형 제조업 혁신을 위한 e-Printing 부품 산업 클러스터 구축