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리튬 이차 전지용 양극 활물질, 그의 제조 방법 및 그를포함하는 리튬 이차 전지

  • 기술번호 : KST2014043316
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 리튬 이차 전지용 양극 활물질, 그의 제조 방법 및 그를 포함하는 리튬 이차 전지에 관한 것으로, 상기 양극 활물질은 나노로드로 구성된 클러스터 형상을 갖는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 망간계 화합물 및 상기 망간계 화합물 표면으로부터 내부 방향으로 농도 구배로 존재하는 바나듐을 포함한다. [화학식 1] LiaMn1-bMbO2 [화학식 2] LiaMn2-b'Mb'O4 (상기 식에서, 0.90 ≤ a ≤ 1.1, 0 ≤ b ≤ 0.5, 0 ≤ b' ≤ 0.5이고, M은 Al, Ni, Co, Cr, Fe, Mg, Sr, 희토류 원소 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된다) 본 발명의 양극 활물질은 구조적 안정성이 우수하고, 사이클 수명 특성 및 고온 저장성이 우수하다. 양극활물질, 망간, 바나듐산화물, 나노로드, 클러스터
Int. CL H01M 4/505 (2010.01.01) C01G 45/12 (2006.01.01) H01M 10/052 (2010.01.01) H01M 4/02 (2006.01.01)
CPC H01M 4/505(2013.01) H01M 4/505(2013.01) H01M 4/505(2013.01) H01M 4/505(2013.01) H01M 4/505(2013.01) H01M 4/505(2013.01) H01M 4/505(2013.01)
출원번호/일자 1020080053352 (2008.06.05)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-0999109-0000 (2010.12.01)
공개번호/일자 10-2009-0126962 (2009.12.09) 문서열기
공고번호/일자 (20101207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.06.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조재필 대한민국 경기도 용인시 기흥구
2 임선혜 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2008.06.05 수리 (Accepted) 1-1-2008-0406823-49
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.12.12 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2009.01.12 수리 (Accepted) 9-1-2009-0001000-46
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2010.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0230127-57
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2010.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2010-0485454-38
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2010.07.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0485455-84
7 등록결정서
Decision to grant		 2010.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0544324-76
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노로드로 구성된 클러스터 형상을 갖는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 망간계 화합물 및 상기 망간계 화합물 표면으로부터 내부 방향으로 농도 구배로 존재하는 바나듐 을 포함하는 리튬 이차 전지용 양극 활물질로서, 상기 양극 활물질은 상기 나노로드로 구성된 클러스터 형상의 망간계 화합물의 직경 및 길이 100%에 대하여, 상기 망간계 화합물의 표면에서 내부 방향으로 30% 깊이까지 바나듐이 분포되어 있고, 상기 망간계 화합물의 표면에서 바나듐의 농도는 80 내지 70 중량%이고, 내부에서는 20 내지 10 중량%이고, 상기 양극 활물질은 상기 망간계 화합물 중량에 대하여 1 내지 5 중량%의 바나듐을 포함하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서, 상기 양극 활물질은 상기 나노로드로 구성된 클러스터 형상의 망간계 화합물의 직경 및 길이 100%에 대하여, 상기 망간계 화합물의 표면에서 내부 방향으로 10% 깊이까지 바나듐이 분포되어 있는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
망간 전구체 및 산화제를 용매 중에서 혼합하여 성계-유사 구조를 갖는 MnO2를 제조하고; 상기 MnO2와 리튬 전구체를 혼합하고; 상기 혼합물을 열처리하여 나노로드로 구성된 클러스터 형상을 갖는 하기 화학식 1 또는 2로 표시되는 망간계 화합물을 제조하고; 상기 망간계 화합물을 바나듐 화합물 용액으로 코팅하고; 얻어진 혼합물을 300 내지 400℃에서 어닐링하는 공정을 포함하는 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 산화제는 암모니움 퍼설페이트, 암모니움 나이트레이트 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
9 9
제7항에 있어서, 상기 망간 전구체와 산화제의 혼합 비율은 1 : 1 내지 2 : 1 중량비인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
10 10
제7항에 있어서, 상기 MnO2와 리튬 전구체를 혼합하는 공정에서, 금속 화합물을 더욱 첨가하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
11 11
제7항에 있어서, 상기 열처리 공정은 700 내지 750℃에서 5 내지 15시간 동안 실시하는 것인 리튬 이차 전지용 양극 활물질의 제조 방법
12 12
삭제
13 13
양극 활물질을 포함하는 양극; 음극 활물질을 포함하는 음극; 및 전해질을 포함하고, 상기 양극 활물질이 제1항 또는 제3항에 따른 양극 활물질인 것인 리튬 이차 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.