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고분자 재료 표면에 원하는 모양 및 크기의 형광패턴을 형성하기 위해 마스크를 정렬하고 1×109 내지 1×1015 ions/㎠의 총조사량으로 이온빔을 조사하여 형광패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 고분자 재료는 폴리올레핀계, 플루오로계, 폴리이미드계 및 폴리에스테르계로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 형광패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 폴리올레핀계는 폴리스티렌, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리비닐클로라이드 또는 폴리메틸메타크릴레이트인 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 이온빔을 이용한 형광패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 플루오로계는 폴리테트라플루오로에틸렌 또는 폴리비닐리덴플로라이드인 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 형광패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 폴리이미드계는 캡톤인 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 형광패턴을 형성하는 방법
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제2항에 있어서, 상기 폴리에스테르계는 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 폴리부틸렌테레프탈레이트인 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 형광패턴을 형성하는 방법
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제1항에 있어서, 상기 이온빔 조사에 이용되는 원소는 탄소, 수소, 수소, 아르곤, 헬륨, 네온 및 제논으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 이온빔을 이용한 형광패턴을 형성하는 방법
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