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기판(substrate);상기 기판에 미리 결정된 형태로 형성되는 제1 패턴;일단이 상기 제1 패턴의 일단과 미리 결정된 간격(gap)으로 이격되어 상기 기판에 형성되는 제2 패턴; 및상기 제1 및 제2 패턴의 타단이 접속되며, 상기 제1 및 제2 패턴에 인가되는 바이어스에 의해 상기 제1 및 제2 패턴에 공진이 유도되도록 상기 기판에 형성되는 스위칭 소자를 포함하는 공진기
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자는상기 제1 패턴의 타단에 쇼트키 접촉(Schottky contact)되며 상기 제2 패턴의 타단에 오믹 접촉(Ohmic contact)되는 쇼트키 다이오드(Schottky Barrier Diode)인 것을 특징으로 하는 공진기
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 패턴과 상기 제2 패턴은 쪼개진 고리(SR, Split Ring)구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 공진기
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제3항에 있어서, 상기 기판은상기 공진기로 입사되는 전기적 신호의 편파(polarization)에 따라 상기 공진기의 공진 특성을 조절하기 위해 상기 스위칭 소자, 제1 및 제2 패턴으로 형성되는 영역 내부에 서브 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 공진기
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제4항에 있어서, 상기 서브 패턴은상기 공진기가 상기 공진기로 입사되는 전기적 신호의 어느 하나의 편파에 대하여만 동작하도록 상기 제1 패턴의 일단과 상기 제2 패턴의 일단 사이의 미리 결정된 간격(gap)과 수직한 방향으로 미리 결정된 간격을 형성하는 쪼개진 고리(split ring) 구조의 단일 금속라인인 것을 특징으로 하는 공진기
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제4항에 있어서, 상기 서브 패턴은상기 공진기가 상기 공진기로 입사되는 전기적 신호의 편파에 대해 영향받지 않고 동작하도록 상기 스위칭 소자에 일단이 접속되며 상기 제1 패턴과 전기적으로 연결되는 제1 금속라인; 및상기 스위칭 소자에 일단이 접속되며 상기 제2 패턴과 전기적으로 연결되는 제2 금속라인을 포함하되 상기 제1 및 제2 금속라인의 타단은 상기 제1 패턴의 일단과 상기 제2 패턴의 일단 사이의 미리 결정된 간격(gap)과 수직한 방향으로 미리 결정된 간격을 형성하는 쪼개진 고리(split ring)구조인 것을 특징으로 하는 공진기
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제6항에 있어서,상기 제1 금속라인의 일단은 상기 스위칭 소자에 쇼트키 접촉되며, 상기 제2 금속라인의 일단은 상기 스위칭 소자에 오믹 접촉되는 것을 특징으로 하는 공진기
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제1항에 있어서, 상기 스위칭 소자는상기 제1 패턴을 소스 단자로, 상기 제2 패턴을 드레인 단자로 하는 FET소자인 것을 특징으로 하는 공진기
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제8항에 있어서,상기 제2 패턴에 인가되는 전압은 상기 제1 패턴에 인가되는 전압보다 높은 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 공진기
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미리 결정된 형태로 형성되는 제1 패턴;일단이 상기 제1 패턴의 일단과 미리 결정된 간격(gap)으로 이격되어 형성되는 제2 패턴; 및상기 제1 및 제2 패턴의 타단이 접속되며, 상기 제1 및 제2 패턴에 인가되는 바이어스에 의해 상기 제1 및 제2 패턴에 공진이 유도되도록 형성되는 스위칭 소자를 포함하는 공진기를 하나의 단위셀(unit cell)로 하여 상기 단위셀을 기판에 복수개로 배열하여 형성되는 변조기
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제10항에 있어서,상기 기판에 형성된 단위셀은 제1 및 제2 패턴의 일단 사이에 형성되는 미리 결정된 간격(gap)이 동일한 일 방향으로 형성되는 것을 특징으로 하는 변조기
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제11항에 있어서, 상기 변조기는상기 기판을 적어도 둘 이상 구비하여 상기 기판들을 적층한 구조로 형성되는 것을 특징으로 하는 변조기
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제12항에 있어서,상기 기판들에 형성된 단위셀의 미리 결정된 간격(gap)의 방향은 어느 하나의 기판을 중심으로 인접하는 기판들에 형성된 단위셀의 미리 설정된 간격(gap)의 방향과 서로 수직하게 형성하여 상기 변조기로 입사하는 전기적 신호의 편파에 대해 각각 변조하는 것을 특징으로 하는 변조기
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기판(substrate);상기 기판에 개방부를 갖고 미리 결정된 형상으로 형성되는 제1 패턴;상기 제1 패턴의 일 지점을 사이에 두고 양측에 형성되며, 외부에서 상기 양측 중 어느 일측에 바이어스를 인가받는 제2 패턴; 및상기 제1 및 제2 패턴에 인가되는 바이어스에 상기 제1 및 제2 패턴에 공진이 유도되도록 상기 제1 패턴의 개방부에 형성되는 스위칭 소자를 포함하는 공진기
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제14항에 있어서, 상기 제1 패턴은 상기 개방부를 중심으로 2개의 쪼개진 고리(split ring)가 대칭되는 구조를 형성하며, 상기 스위칭 소자는 상기 제2 패턴에 인가되는 바이어스를 게이트(GATE) 전압으로 하는 FET소자인 것을 특징으로 하는 공진기
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제15항에 있어서, 상기 제1 패턴은금속으로 형성되며, 상기 제2 패턴은 외부에서 인가되는 바이어스의 크기에 따라 상기 바이어스가 상기 제1 패턴을 통과하여 상기 스위칭 소자에 전달되어 게이트 전압으로 사용되도록 반도체로 형성되는 것을 특징으로 하는 공진기
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개방부를 갖고 미리 결정된 형상으로 형성되는 제1 패턴;상기 제1 패턴의 일 지점을 사이에 두고 양측에 형성되며, 외부에서 상기 양측 중 어느 일측에 바이어스를 인가받는 제2 패턴; 및상기 제1 및 제2 패턴에 인가되는 바이어스에 의해 상기 제1 및 제2 패턴에 공진이 유도되도록 상기 제1 패턴의 개방부에 형성되는 스위칭 소자를 포함하는 공진기를 하나의 단위셀(unit cell)로 하여 상기 단위셀을 기판에 복수개로 배열하여 형성되는 변조기
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제17항에 있어서, 상기 제1 패턴은상기 개방부를 중심으로 2개의 쪼개진 고리(splir ring)가 대칭되는 구조를 형성하며, 상기 스위칭 소자는 상기 제2 패턴에 인가되는 바이어스를 게이트(GATE) 전압으로 하는 FET소자인 것을 특징으로 하는 변조기
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제17항에 있어서, 상기 제1 패턴은 접지(ground)되어 있는 것을 특징으로 하는 변조기
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제3항에 있어서, 상기 스위칭 소자는상기 제1 패턴을 소스 단자로, 상기 제2 패턴을 드레인 단자로 하는 FET소자인 것을 특징으로 하는 공진기
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