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기판 상에 형성된 제1 n형 질화물 반도체층;상기 제1 n형 질화물 반도체층 상부에 형성되고, 개구부를 가지는 마스크층;상기 제1 n형 질화물 반도체층으로부터 상기 개구부를 관통하여 형성되고, 육각형의 피라미드 형상으로 돌출된 형상을 가지는 제2 n형 질화물 반도체층;상기 제2 n형 질화물 반도체층 상에 형성된 광활성층;상기 광활성층 상에 형성된 p형 질화물 반도체층;상기 p형 질화물 반도체층 상에 형성된 투명전극;상기 투명전극 상에 형성된 양극; 및상기 제1 n형 질화물 반도체층의 노출된 면 상에 형성된 음극을 포함하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제1 n형 질화물 반도체층, 상기 제2 n형 질화물 반도체층, 상기 p형 질화물 반도체층 또는 광활성층은 GaN를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제2 n형 질화물 반도체층은, 상기 제1 n형 질화물 반도체층과 동일한 결정구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 제2 n형 질화물 반도체층은, 상기 제1 n형 질화물 반도체층과 동일한 화학적 조성을 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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제1항에 있어서, 상기 광활성층은 인듐의 함량의 조절에 따른 다중양자우물 구조를 가지는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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6
제1항에 있어서, 상기 광활성층은 상기 제2 n형 질화물 반도체층의 상기 육각형의 피라미드 형상에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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제6항에 있어서, 상기 p형 질화물 반도체층은 상기 제2 n형 질화물 반도체층의 상기 육각형의 피라미드 형상에 따라 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지
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기판 상에 제1 n형 질화물 반도체층 및 마스크층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 마스크층을 패터닝하여 상기 제1 n형 질화물 반도체층의 표면 일부를 노출시키는 개구부를 형성하는 단계;상기 노출된 제1 n형 질화물 반도체층을 근거로 상기 마스크층의 개구부를 관통하고, 육각형의 피라미드 형상으로 돌출된 제2 n형 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 육각형의 피라미드 형상으로 돌출된 제2 n형 질화물 반도체층 상에 광활성층 및 p형 질화물 반도체층을 순차적으로 형성하는 단계;상기 p형 질화물 반도체층 및 상기 마스크층 상부에 투명전극을 형성하는 단계; 및상기 투명전극 및 상기 제1 n형 질화물 반도체층 상부에 각각 양극과 음극을 형성하는 단계를 포함하는 질화물 반도체 기반의 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 투명전극을 형성하는 단계는,상기 마스크층 상부 및 상기 p형 질화물 반도체층의 전면에 상기 투명전극을 도포하는 단계; 및상기 개구부가 형성되지 않은 상기 마스크층 상에 형성된 상기 투명전극의 일부 영역을 식각하여, 상기 마스크층의 일부 영역을 노출시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 투명전극을 형성하는 단계 이후에,상기 투명전극을 식각마스크로 하여 상기 노출된 마스크층을 식각하여 상기 제1 n형 질화물 반도체층의 일부를 노출시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지 제조방법
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제10항에 있어서, 상기 음극은 상기 노출된 제1 n형 질화물 반도체층 상에 형성되고, 상기 양극은 상기 투명전극 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지 제조방법
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제11항에 있어서, 상기 양극은 상기 투명전극의 평활한 면 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 기반의 태양전지 제조방법
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