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화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014043406
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 이종 기판 접합 기술을 이용한 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법에 관한 것으로, 본 발명의 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법은 인듐(In)을 포함하는 3원소 화합물로 이루어지며, 인듐의 함량을 증가시키면서 성장시켜 기판 상에 다단 버퍼층을 형성하고, 상기 다단 버퍼층의 최상부 조정과 동일하게 유지하며 성장시켜 타겟 버퍼층을 형성하여 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 태양 전지 구조체를 형성하는 단계; 상기 태양 전지 구조체 상에 지지막을 형성하는 단계; 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 태양 전지 구조체를 기판과 분리하는 단계; 및 분리된 태양 전지 구조체를 이종의 호스트 기판에 접합시키는 단계;를 포함하여, 태양 전지 구조체에 이종의 기판을 적용하는 것이 가능하여 원하는 조합의 에너지 흡수층을 선택하는 것이 가능하다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100026216 (2010.03.24)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1108245-0000 (2012.01.13)
공개번호/일자 10-2011-0107057 (2011.09.30) 문서열기
공고번호/일자 (20120131) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.03.24)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정연길 대한민국 광주광역시 북구
2 문승현 대한민국 광주광역시 북구
3 박동원 대한민국 광주광역시 북구
4 심희상 대한민국 광주광역시 북구
5 오승환 대한민국 광주광역시 북구
6 이재광 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.03.24 수리 (Accepted) 1-1-2010-0185918-63
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.06.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0320168-97
3 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0624113-92
4 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.08.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0624115-83
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
6 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0778687-34
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번호 청구항
1 1
인듐(In)을 포함하는 3원소 화합물로 이루어지며, 인듐의 함량을 증가시키면서 성장시켜 기판 상에 다단 버퍼층을 형성하고, 상기 다단 버퍼층의 최상부 조정과 동일하게 유지하며 성장시켜 타겟 버퍼층을 형성하여 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 태양 전지 구조체를 형성하는 단계; 상기 태양 전지 구조체 상에 지지막을 형성하는 단계; 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 태양 전지 구조체를 기판과 분리하는 단계; 및 분리된 태양 전지 구조체를 이종의 호스트 기판에 접합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은 InGaAs, InAlAs 및 InAlP 중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 1항에 있어서, 상기 희생층은 상기 타겟 버퍼층과 격자 부정합인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
4 4
제 3항에 있어서, 상기 희생층의 두께는 3nm 내지 5㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 희생층은 AlxGa1-xAs(0
6 6
제 1항에 있어서, 상기 태양 전지 구조체는 다중 접합 태양 전지인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
7 7
제 6항에 있어서, 상기 태양 전지 구조체는 0
8 8
제 1항에 있어서, 상기 태양 전지 구조체는 0
9 9
제 1항에 있어서, 상기 지지막을 형성하는 단계는 상기 태양 전지 구조체 상에 점착성을 용이하게 하는 폴리머층을 형성하는 단계; 및 상기 폴리머층 상에 상기 태양 전지 구조체를 지지하는 지지층을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
10 10
제 1항에 있어서, 분리된 태양 전지 구조체를 이종의 호스트 기판에 접합시키는 단계는 상기 태양 전지 구조체 및 이종의 호스트 기판 사이의 반데르 발스 힘을 이용하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
11 11
제 1항에 있어서, 상기 분리된 태양 전지 구조체를 호스트 기판에 접합시킨 후, 상기 지지막을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
12 12
기판 상에 성장 방향으로 상기 기판과 격자 부정합 정도가 증가하는 버퍼층을 형성하는 단계; 상기 버퍼층 상에 상기 버퍼층의 최상부와 격자 정합인 희생층을 형성하는 단계; 상기 희생층 상에 다중 접합 태양 전지로 이루어지는 태양 전지 구조체를 형성하는 단계; 상기 태양 전지 구조체 상에 지지막을 형성하는 단계; 상기 희생층을 선택적으로 식각하여 태양 전지 구조체를 기판과 분리하는 단계; 및 분리된 태양 전지 구조체를 이종의 호스트 기판에 접합시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
13 13
제 12항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는 최하부가 상기 기판과 격자 정합을 이루며, 상부로 갈수록 격자 상수가 증가하여 격자 부정합 정도가 증가하도록 성장하는 다단 버퍼층을 형성하는 단계; 및 상기 다단 버퍼층의 최상부와 동일한 격자상수를 가지는 타겟 버퍼층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
14 14
제 13항에 있어서, 상기 희생층은 상기 타겟 버퍼층과 격자상수가 다르며, 알루미늄을 함유하는 3원소 화합물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
15 15
제 14항에 있어서, 상기 희생층의 두께는 3nm 내지 5㎚인 것을 특징으로 하는 화합물 반도체 태양 전지의 제조 방법
16 16
제 12항에 있어서, 상기 태양 전지 구조체는 0
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