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실리콘 분자 클러스터를 포함하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법

  • 기술번호 : KST2014043855
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 산화된 실리콘 양자점을 이용하여 실리콘 양자점 박막을 제조할 수 있는 방법에 관한 것으로, 자세하게는 부분적으로 산화된 실리콘 양자점을 이용하여 기재 상부에 도포하여 열처리함으로써 간단한 공정으로 실리콘 양자점 박막을 제조할 수 있는 방법을 제공한다. 본 발명의 산화된 실리콘 양자점 박막은 열처리 온도가 증가할수록 산화 면적이 증가하고, 굴절률은 열처리 온도 30℃일 때 1.61인 반면에, 800℃일 때 1.45인 것이 특징이다. 광학 밴드 갭 값이 5.49 내지 5.90 eV 일 때, 실리콘 상의 직경은 0.82 내지 0.74 nm이고, 산화된 실리콘 양자점 박막 내에 분산된 실리콘 상은 열처리함으로써 평균 14개의 실리콘 원자가 실리콘 분자 클러스터를 형성하는 독특한 특징이 있다. 본 발명의 실리콘 양자점 박막은 실리콘 접합전지, 실리콘 레이저 또는 발광소자 등으로 응용함으로써 전기적, 광학적 특성이 매우 우수한 전자 소자로 이용할 수 있다.
Int. CL H01L 33/06 (2010.01.01) H01L 29/12 (2006.01.01) H01L 21/324 (2017.01.01) H01L 21/02 (2006.01.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020100012580 (2010.02.10)
출원인 전남대학교산학협력단, 조선대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1133444-0000 (2012.03.29)
공개번호/일자 10-2011-0092894 (2011.08.18) 문서열기
공고번호/일자 (20120409) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.02.10)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 북구
2 조선대학교산학협력단 대한민국 광주광역시 동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정현담 대한민국 경기도 수원시 영통구
2 손홍래 대한민국 광주 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김종관 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
2 박창희 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)
3 권오식 대한민국 대전광역시 서구 한밭대로 ***번지 (둔산동, 사학연금회관) **층(특허법인 플러스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전남대학교산학협력단 광주광역시 북구
2 조선대학교산학협력단 광주광역시 동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2010-0091669-62
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0093606-43
3 [공지예외적용대상(신규성, 출원시의 특례)증명서류]서류제출서
[Document Verifying Exclusion from Being Publically Known (Novelty, Special Provisions for Application)] Submission of Document
2010.02.11 수리 (Accepted) 1-1-2010-0093677-74
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.04.09 수리 (Accepted) 1-1-2010-0227615-19
5 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2010.05.18 수리 (Accepted) 1-1-2010-0319640-20
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.08.12 수리 (Accepted) 4-1-2010-5149329-23
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.03.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.04.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0034805-04
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0396276-23
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.09.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0716580-70
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.09.15 수리 (Accepted) 1-1-2011-0716558-75
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.09.19 수리 (Accepted) 4-1-2011-5189513-90
13 등록결정서
Decision to grant
2012.03.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0170217-41
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2012-5157698-67
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2014-0000058-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.01.09 수리 (Accepted) 4-1-2014-5004365-05
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.04.21 수리 (Accepted) 4-1-2014-5049090-32
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.06.08 수리 (Accepted) 4-1-2015-5076218-57
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.08.10 수리 (Accepted) 4-1-2015-5106192-07
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.07.07 수리 (Accepted) 4-1-2016-5093177-51
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.12.06 수리 (Accepted) 4-1-2017-5199091-10
22 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.03.30 수리 (Accepted) 4-1-2018-5056463-72
23 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.03.26 수리 (Accepted) 4-1-2020-5071333-01
24 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2020-5088703-88
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 알킬기가 캡핑된 실리콘 나노입자를 유기용매에 용해하는 단계;(b) 상기 (a) 단계의 실리콘 나노입자 용액을 실리콘 기판에 도포하는 단계; 및(c) 진공 하에서 열처리 하여 실리콘 분자 클러스터가 도입된 실리콘 양자점 박막을 제조하는 단계;를 포함하는 실리콘 분자 클러스터가 도입된 실리콘 양자점 박막의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 실리콘 나노입자는 직경 4 내지 9 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 (a) 단계 후, 용액에 함유된 실리콘 나노입자는 실리콘-실리카 코어-쉘 구조의 나노입자로 산화하는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 알킬기는 직쇄 또는 분지쇄의 (C1-C10)알킬기가 결합된 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
5 5
제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 유기용매는 에테르계 용매 또는 테트라하이드로퓨란인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
6 6
제1항에 있어서,상기 (a) 단계의 유기용매는 에테르계 용매에 용해 후, 건조하여 테트라하이드로퓨란 용매에 재용해하는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
7 7
제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 실리콘 나노입자 용액은 1 내지 20 중량% 농도인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
8 8
제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 도포는 잉크젯프린팅, 스크린프린팅, 딥 코팅, 액적캐스팅, 흐름캐스팅, 롤코팅, 분무코팅, 스핀코팅, 플렉소, 오프-셋 및 그라비아로부터 선택되는 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
9 9
제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 열처리는 상온 내지 800℃인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
10 10
제1항에 있어서,상기 (c) 단계의 실리콘 분자 클러스터는 평균 실리콘 원자 수가 14개인 것을 특징으로 하는 실리콘 양자점 박막의 제조방법
11 11
제10항에 있어서,상기 실리콘 분자 클러스터는 0
12 12
제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 의해 제조된 실리콘 양자점 박막이며, 굴절율이 1
13 13
삭제
14 14
제12항에 있어서,상기 실리콘 양자점 박막의 광발광 에너지는 2
15 15
삭제
16 16
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 중소기업청 / 교육과학기술부,한국산업기술재단 전남대학교 산학협력단 / 조선대학교 산학협력단 실험실창업 지원사업 / 지역혁신 인력양성사업 저유전용 실록산 박막 재료 개발 / 기능성 실리콘 화합물을 이용한 바이오센서의 개발