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Ｐ-도핑된 공액 고분자 전해질 및 이를 이용한 유기전자소자

  • 기술번호 : KST2014044252
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 p-도핑된 공액 고분자 전해질 및 이를 이용한 유기전자소자를 제공한다. p-도핑된 공액 고분자 전해질은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유한다. 003c#화학식 1003e#상기 식에서, Ar1은 하기 제1 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고, Ar2는 하기 제2 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고, 대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고, m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다.003c#제1 화합물군003e#, , , , , , , , , , , , , , (Y는 -CnH2n-P (n은 1 내지 20의 정수)이고, P는 -SO3-, -CO2- 및 -N+R1R2R3 중에서 선택되는 어느 하나이고, R1, R2, R3는 서로에 관계없이 C1~C3의 알킬기 중에서 선택되는 어느 하나이다.)003c#제2 화합물군003e#, , , , , , , , , , , , , , , , , , , , (Z는 C1~C20의 알킬기이다.)유기전자소자는 제1 전극, 상기 제1 전극 상에 위치하는 p-도핑된 공액 고분자 전해질층, 상기 고분자 전해질층 상에 위치하는 유기 활성층 및 상기 유기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며, 상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 상기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유한다. 본 발명에 따르면, p-도핑된 공액 고분자 전해질은 우수한 정공전달능력을 가질 뿐 아니라 전자저지층의 역할을 수행할 수도 있으므로 유기발광소자의 발광효율 또는 유기태양전지의 에너지 전환 효율 향상시킬 수 있다. 또한, p-도핑된 공액 고분자 전해질은 거의 중성을 띠고 있으므로 양극의 부식 문제를 해결할 수 있어 소자의 수명 향상에도 기여할 수 있다.
Int. CL C08L 65/00 (2014.01) H05B 33/00 (2014.01) C08G 61/00 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100049303 (2010.05.26)
출원인 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1121165-0000 (2012.02.21)
공개번호/일자 10-2011-0129754 (2011.12.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120320) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.26)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이광희 대한민국 광주광역시 북구
2 박성흠 대한민국 광주광역시 북구
3 진영읍 대한민국 광주광역시 북구
4 김선희 대한민국 광주광역시 북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인이상 대한민국 서울특별시 서초구 바우뫼로 ***(양재동, 우도빌딩 *층)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2010-0338425-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0052978-05
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
5 등록결정서
Decision to grant		 2012.02.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0079885-51
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번호 청구항
1 1
하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 p-도핑된 공액 고분자 전해질:003c#화학식 1003e#상기 식에서, Ar1은 하기 제1 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,Ar2는 하기 제2 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고,m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
2 2
제1항에 있어서,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질은 상대 양이온으로 H+, Na+, K+, NH4+, NMe4+ 및 Cs+ 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하거나, 상대 음이온으로 Br-, BF4-, CF3SO3-, PF6-, BPh4- 및 BArF4(B(3,5-(CF3)2C6H3)4) 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하는 p-도핑된 공액 고분자 전해질
3 3
제1항에 있어서,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물인 p-도핑된 공액 고분자 전해질:003c#화학식 2003e#상기 식에서, 대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고, m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
4 4
제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 p-도핑된 공액 고분자 전해질층;상기 고분자 전해질층 상에 위치하는 유기 활성층; 및상기 유기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 유기전자소자:003c#화학식 1003e#상기 식에서, Ar1은 하기 제1 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,Ar2는 하기 제2 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고,m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
5 5
제4항에 있어서,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 상대 양이온으로 H+, Na+, K+, NH4+, NMe4+ 및 Cs+ 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하거나, 상대 음이온으로 Br-, BF4-, CF3SO3-, PF6-, BPh4- 및 BArF4(B(3,5-(CF3)2C6H3)4) 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하는 유기전자소자
6 6
제4항에 있어서,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 함유하는 유기전자소자:003c#화학식 2003e#상기 식에서, 대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고, m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
7 7
제4항에 있어서,상기 유기 활성층은 발광층(light emitting layer) 또는 광전변환층(photoelectric conversion layer)인 유기전자소자
8 8
제4항에 있어서,상기 유기 활성층과 제2 전극 사이에 위치하는 전자수송층을 더 포함하는 유기전자소자
9 9
제8항에 있어서,상기 전자수송층은 티타늄 산화물층인 유기전자소자
10 10
제1 전극;상기 제1 전극 상에 위치하는 제1 유기 활성층;상기 제1 유기 활성층 상에 위치하고, n-형 반도체 물질층과 p-도핑된 공액 고분자 전해질층을 구비하는 전하 재결합층;상기 전하 재결합층 상에 위치하는 제2 유기 활성층; 및상기 제2 유기 활성층 상에 위치하는 제2 전극을 포함하며,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 적층형 유기태양전지:003c#화학식 1003e#상기 식에서, Ar1은 하기 제1 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,Ar2는 하기 제2 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고,m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
11 11
제10항에 있어서,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 상대 양이온으로 H+, Na+, K+, NH4+, NMe4+ 및 Cs+ 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하거나, 상대 음이온으로 Br-, BF4-, CF3SO3-, PF6-, BPh4- 및 BArF4(B(3,5-(CF3)2C6H3)4) 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하는 적층형 유기태양전지
12 12
제10항에 있어서, 상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 함유하는 것인 적층형 유기태양전지:003c#화학식 2003e#상기 식에서, 대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고, m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
13 13
제10항에 있어서,상기 n-형 반도체 물질층은 금속 산화물층인 유기태양전지
14 14
제13항에 있어서,상기 금속 산화물은 티타늄 산화물, 아연 산화물, 텅스텐 산화물, 바나듐 산화물 및 몰리브덴 산화물 중에서 선택되는 적어도 어느 하나인 적층형 유기태양전지
15 15
제10항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 제1 유기 활성층 사이에 위치하거나, 상기 제2 유기 활성층과 제2 전극 사이에 위치하는 정공수송층 및 전자수송층 중 적어도 어느 한 층을 더 포함하는 적층형 유기태양전지
16 16
제15항에 있어서,상기 정공수송층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물을 함유하는 p-도핑된 공액 고분자 전해질층인 적층형 유기태양전지:003c#화학식 1003e#상기 식에서, Ar1은 하기 제1 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,Ar2는 하기 제2 화합물군에서 선택되는 어느 하나이고,대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고,m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
17 17
제16항에 있어서,상기 p-도핑된 공액 고분자 전해질층은 상대 양이온으로 H+, Na+, K+, NH4+, NMe4+ 및 Cs+ 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하거나, 상대 음이온으로 Br-, BF4-, CF3SO3-, PF6-, BPh4- 및 BArF4(B(3,5-(CF3)2C6H3)4) 중에서 선택되는 어느 하나를 함유하는 적층형 유기태양전지
18 18
제15항에 있어서, 상기 정공수송층은 하기 화학식 2로 표시되는 화합물을 함유하는 p-도핑된 공액 고분자 전해질층인 적층형 유기태양전지:003c#화학식 2003e#상기 식에서, 대괄호의 위 첨자 +는 고분자 주쇄 중 산화된 부분을 나타내고, m 및 n은 서로에 관계없이 1 내지 1,000,000의 정수이다
19 19
제15항에 있어서,상기 전자수송층은 티타늄 산화물층인 적층형 유기태양전지
지정국 정보가 없습니다
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1 US09214255 US 미국 FAMILY
2 US20130068305 US 미국 FAMILY
3 WO2011149172 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2013068305 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US9214255 US 미국 DOCDBFAMILY
3 WO2011149172 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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