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금속 나노 입자를 함유한 전도성 고분자 전극 형성 방법 및 전극 물질

  • 기술번호 : KST2014044254
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 실시예에 따른 전극 형성 방법은, 전도성 고분자 용액을 준비하는 단계; 상기 전도성 고분자 용액에 첨가 용매를 혼합하여 제1 용액을 형성하는 단계; 금속 나노 와이어 및 초순수(Deionize Water, D.I water)를 포함하는 제2 용액을 준비하는 단계; 상기 제1 용액 및 상기 제2 용액을 혼합하여 혼합 용액을 형성하는 단계; 기판에 상기 혼합 용액을 코팅하는 단계; 및 상기 혼합 용액을 열처리 하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01J 9/02 (2006.01) H01B 1/12 (2006.01) H01B 1/22 (2006.01)
CPC H01J 9/02(2013.01)H01J 9/02(2013.01)H01J 9/02(2013.01)H01J 9/02(2013.01)H01J 9/02(2013.01)
출원번호/일자 1020110008484 (2011.01.27)
출원인 엘지이노텍 주식회사, 광주과학기술원
등록번호/일자 10-1163940-0000 (2012.07.02)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.27)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구
2 광주과학기술원 대한민국 광주광역시 북구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박성규 대한민국 서울특별시 중구
2 정우주 대한민국 서울특별시 중구
3 문종운 대한민국 서울특별시 중구
4 최준락 대한민국 서울특별시 중구
5 김동유 대한민국 광주광역시 서구
6 나석인 대한민국 전라북도 군산시 미룡로 **, 롯데인벤스가 *
7 정형구 대한민국 경기도 화성시 신남
8 여준석 대한민국 서울특별시 동작구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 광주과학기술원 광주광역시 북구
2 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0069199-88
2 보정요구서
Request for Amendment		 2011.02.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2011-0011545-84
3 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.02.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0117719-91
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.09.15 수리 (Accepted) 4-1-2011-5187089-85
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0027847-74
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.15 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0208298-17
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0208297-61
8 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0290279-42
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 용매 및 전도성 고분자를 포함하는 전도성 고분자 용액을 준비하는 단계;상기 전도성 고분자 용액에 제2 용매를 혼합하여 제1 용액을 형성하는 단계;금속 나노 와이어 및 초순수(Deionize Water, D
2 2
제1항에 있어서, 상기 전도성 고분자 용액을 준비하는 단계에서는, 제1 용매, 전도성 고분자 및 도펀트를 혼합하고,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
3 3
제2항에 있어서,상기 도펀트는 폴리스티렌술폰산(polystyrene sulfonate, PSS), 도데실벤젠술폰산(Dodecylbenzene sulfonate), 톨루엔술폰산(Toluene sulfonyl), 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
4 4
제1항에 있어서,상기 금속 나노 와이어는 은(Ag)을 포함하는 전극 형성 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 금속 나노 와이어는 길이가 1 um 내지 100 um 이고 지름이 10 nm 내지 200 nm 인 전극 형성 방법
6 6
제1항에 있어서,상기 제2 용매는 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide,DMSO) 및 엔-메틸피로리돈(N-Methyl-pyrrolidone, NMP) 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 형성 방법
7 7
제6항에 있어서,상기 제1 용액을 형성하는 단계에서,상기 제2 용매 : 상기 전도성 고분자 용액의 부피비가 1 : 20 내지 3 : 10인 전극 형성 방법
8 8
제1항에 있어서,상기 혼합 용액을 형성하는 단계에서,상기 제1 용액 : 상기 제2 용액의 부피비가 20 : 1 내지 2 : 1인 전극 형성 방법
9 9
제1항에 있어서,상기 제2 용액을 준비하는 단계는 제2 용액을 음파처리(sonication)하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법
10 10
제9항에 있어서,상기 음파처리하는 단계는 1분 내지 30분 동안 하는 전극 형성 방법
11 11
제1항에 있어서,상기 코팅하는 단계 이전에, 상기 기판의 표면을 친수성으로 처리하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법
12 12
제11항에 있어서,상기 기판 표면을 친수성으로 처리하는 단계는 상기 기판을 친수성 물질로 코팅하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법
13 13
제11항에 있어서,상기 기판 표면을 친수성으로 처리하는 단계는 상기 기판을 자외선 오존(UV ozone) 처리하는 단계를 포함하는 전극 형성 방법
14 14
전도성 고분자, 도펀트 및 금속 나노 와이어를 포함하고, 상기 전도성 고분자는 π-공액(conjugated) 고분자이고,상기 금속 나노 와이어의 길이가 1 um 내지 100 um 이고, 지름이 10 nm 내지 200 nm 인 전극 물질
15 15
제14항에 있어서,상기 전도성 고분자는 폴리에틸렌디옥시티오펜(Poly(3,4-Ethylenedioxythiophene), PEDOT), 폴리아닐린(polyaniline), 폴리피롤(polypyrrole), 폴리티오펜(polythiophene) 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 물질
16 16
제14항에 있어서,상기 도펀트는 폴리스티렌술폰산(polystyrene sulfonate, PSS), 도데실벤젠술폰산(Dodecylbenzene sulfonate), 톨루엔술폰산(Toluene sulfonyl), 켐포술폰산, 벤젠술폰산, 염산 및 이들의 유도체 중 적어도 어느 하나를 포함하는 전극 물질
17 17
제14항에 있어서,상기 금속 나노 와이어는 은(Ag)을 포함하는 전극 물질
18 18
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