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열응력 완화형 관통전극 형성방법 및 열응력 완화형 관통전극

  • 기술번호 : KST2014044458
  • 담당센터 : 인천기술혁신센터
  • 전화번호 : 032-420-3580
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 열응력 완화형 관통전극 형성방법에 관한 것으로서, 기판에 비아 또는 관통홀을 형성하는 단계; 상기 비아 또는 관통홀 내벽에 Cu층을 형성하는 단계; 및 상기 Cu층의 형성된 비아 또는 관통홀 내부에 Ni코어를 채우는 단계를 포함한다.본 발명의 다른 형태에 의한 열응력 완화형 관통전극은, 반도체 기판의 전면과 후면을 관통하여 형성된 관통홀에 채워진 관통전극으로서, 상기 관통홀 내주면을 따라 형성된 Cu층; 상기 Cu층 내부에 채워진 Ni코어를 포함하여 구성된다.본 발명은, 비아 또는 관통홀에 특별한 구조를 필요로 하지 않을 뿐만 아니라, 종래와 같이 전해증착 공정으로 형성할 수 있기 때문에 제조비용이 저렴하면서도, 열공정 시에 발생하는 열응력에 의한 관통전극의 물리적 파괴를 방지할 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 23/48 (2006.01) H01L 21/768 (2006.01)
CPC H01L 23/3735(2013.01) H01L 23/3735(2013.01) H01L 23/3735(2013.01)
출원번호/일자 1020120064028 (2012.06.15)
출원인 한양대학교 에리카산학협력단
등록번호/일자 10-1204275-0000 (2012.11.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121123) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.16)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 대한민국 경기도 안산시 상록구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 유봉영 대한민국 경기 성남시 분당구
2 진상현 대한민국 서울 노원구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인다울 대한민국 서울 강남구 봉은사로 ***, ***호(역삼동, 혜전빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 에리카산학협력단 경기도 안산시 상록구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2012.06.15 수리 (Accepted) 1-1-2012-0475397-13
2 [우선심사신청]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Preferential Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0563638-19
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.07.16 수리 (Accepted) 1-1-2012-0563632-46
4 [우선심사신청]선행기술조사의뢰서
[Request for Preferential Examination] Request for Prior Art Search
2012.07.24 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 [우선심사신청]선행기술조사보고서
[Request for Preferential Examination] Report of Prior Art Search
2012.07.26 수리 (Accepted) 9-1-2012-0059987-58
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.08.13 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0467886-42
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.09.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0781201-39
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.09.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0781202-85
9 등록결정서
Decision to grant
2012.11.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0686741-67
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번호 청구항
1 1
삭제
2 2
기판에 비아 또는 관통홀을 형성하는 단계;상기 비아 또는 관통홀 내부에 전해증착을 위한 시드층을 형성하는 단계;상기 시드층을 이용하여 전해증착에 의해서 Cu층을 형성하는 단계; 및상기 Cu층이 형성된 비아 또는 관통홀의 내부에 전해증착에 의해서 Ni코어를 채우는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 열응력 완화형 관통전극 형성방법
3 3
청구항 2에 있어서,상기 시드층을 형성하는 단계가, 상기 기판과의 확산을 방지하는 방지막과 장벽금속막 및 구리시드를 순차적으로 증착하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 열응력 완화형 관통전극 형성방법
4 4
청구항 2에 있어서,전해증착 방법으로 상기 Cu층을 형성하는 단계가 펄스전류를 인가하여 수행되는 것을 특징으로 하는 열응력 완화형 관통전극 형성방법
5 5
청구항 4에 있어서,펄스전류를 이용한 전해증착 방법으로 상기 Cu층을 형성하는 단계에서, 상기 펄스전류를 인가하는 시간을 조절하여 나노쌍정이 형성된 Cu층을 형성하는 것을 특징으로 하는 열응력 완화형 관통전극 형성방법
6 6
청구항 5에 있어서,상기 펄스전류를 인가하는 온-타임(Ton)과 인가하지 않는 오프-타임(Toff)의 비율이 1:32
7 7
반도체 기판의 전면과 후면을 관통하여 형성된 관통홀에 채워진 관통전극으로서,상기 관통홀 내주면에 증착된 전해증착을 위한 시드층;상기 시드층의 내부에 형성된 Cu층; 및상기 Cu층 내부에 채워진 Ni코어를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 열응력 완화형 관통전극
8 8
청구항 7에 있어서,상기 Cu층에 나노쌍정구조가 형성된 것을 특징으로 하는 열응력 완화형 관통전극
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.