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염료 감응 태양 전지 및 이의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014044473
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 염료 감응 태양 전지에 관한 것으로, 염료 흡착된 금속 산화물층과, 투명 전도성막과, 투명 플라스틱층을 포함하는 산화물 반도체 전극을 형성하고, 그 대향 전극으로 투명 전도성막과 백금층을 형성하며, 그 사이 공간에 산화/환원 전해질을 충진시켜 염료 감응 태양 전지를 제조함으로써, 나노 입자들의 접촉 상태를 향상시켜 염료 감응 태양 전지의 성능을 향상시킬 수 있는 것이다.염료 감응 태양 전지
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01) H01G 9/2031(2013.01)
출원번호/일자 1020090105485 (2009.11.03)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1156585-0000 (2012.06.08)
공개번호/일자 10-2011-0048773 (2011.05.12) 문서열기
공고번호/일자 (20120620) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.03)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 전용석 대한민국 울산광역시 울주군
2 박종혁 대한민국 경기도 수원시 팔달구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2009.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2009-0675840-92
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2011-5023649-42
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2011-5036213-54
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2011-0025943-85
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0213756-46
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0463430-73
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0463431-18
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.11.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0656253-16
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.01.09 수리 (Accepted) 1-1-2012-0020913-35
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.01.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0020914-81
12 등록결정서
Decision to grant		 2012.05.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0265601-76
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
페이스트를 고온 소성시켜 금속 산화물층을 형성하고, 상기 형성된 금속 산화물층에 염료를 흡착시켜 형성된 염료 흡착 금속 산화물층과, 상기 염료 흡착 금속 산화물층에 접촉 형성된 제 1 투명 전도성막과, 상기 제 1 투명 전도성막에 접촉 형성된 투명 플라스틱층을 포함하는 산화물 반도체 전극과,전도성 플라스틱 기판 또는 금속 기판으로 형성되는 제 2 투명 전도성막과, 상기 제 2 투명 전도성막에 코팅되는 백금층을 포함하여 상기 산화물 반도체 전극과 대향되게 형성되는 대향 전극과,상기 산화물 반도체 전극 및 대향 전극 사이의 공간에 충진되는 산화/환원 전해질을 포함하는 염료 감응 태양 전지
2 2
제 1 항에 있어서,상기 대향 전극과 상기 산화물 반도체 전극은 격벽을 통해 서로 대향되게 부착되는 염료 감응 태양 전지
3 3
제 2 항에 있어서,상기 페이스트는, 테르피네올(terpineol)인염료 감응 태양 전지
4 4
제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물층은, 상기 페이스트를 고온 소성시킨 TiO2 층인염료 감응 태양 전지
5 5
제 3 항에 있어서,상기 금속 산화물층은, TiO2 층 및 상기 페이스트를 도포한 후, 각각 별도로 고온 소성시키거나 혹은 동시에 고온 소성시켜 다층 구조로 형성되는염료 감응 태양 전지
6 6
제 2 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성막은, ITO, FTO, ZnO, 도핑되지 않은 SnO2, Al이 도핑된 ZnO 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지
7 7
제 6 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성막은, 스퍼터링, 일렉트로우리스(electroless) 증착, 진공 증착, CVD, 졸젤법에 따른 나노 파우더 사용, 페이스트 후 열처리 중 어느 하나의 방식을 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지
8 8
제 2 항에 있어서,상기 투명 플라스틱층은, PET, PMMA, PEN, PANI, PC, PDMS, 전도성 고분자, 나노 튜브 네트워크, 금속 나노와이어 메쉬 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지
9 9
제 8 항에 있어서,상기 투명 플라스틱층은, 해당 고분자를 액체 상태로 가열한 후 부어 경화시키는 방식, 해당 고분자를 액체 상태로 가열한 후 경화제를 첨가하여 경화시키는 방식, 열경화성 고분자의 경우 액체 상태로 가열한 후 부어 열처리하는 방식 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지
10 10
삭제
11 11
기판 상에 페이스트를 도포한 후 고온 소성시켜 금속 산화물층을 형성하는 단계와,상기 형성된 금속 산화물층의 상부에 제 1 투명 전도성막을 형성하는 단계와,상기 형성된 제 1 투명 전도성막의 상부에 투명 플라스틱층을 형성하는 단계와,상기 기판, 금속 산화물층, 제 1 투명 전도성막 및 투명 플라스틱층이 형성된 결과물에서 상기 기판을 제거하는 단계와,상기 금속 산화물층에 염료를 흡착시켜 염료 흡착 금속 산화물층을 형성하여 산화물 반도체 전극을 형성하는 단계와,상기 형성된 산화물 반도체 전극에 대향되게 제2 투명 전도성막과 백금층으로 구성되는 대향 전극을 부착하는 단계와,상기 산화물 반도체 전극 및 대향 전극의 사이 공간에 산화/환원 전해질을 충진하는 단계를 포함하는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
12 12
제 11항에 있어서,상기 기판은, 유리 기판, NaCl, KBr, Nabr, NaF, NaOH, KOH 중 어느 하나의 염료 기판, 석회석, 대리석, 천연 암석 중 어느 하나의 암석 기판, 금속 기판, 실리콘 웨이퍼 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 페이스트는, 테르피네올(terpineol)인염료 감응 태양 전지의 제조 방법
14 14
제 11 항에 있어서,상기 금속 산화물층은, 상기 페이스트를 고온 소성시킨 TiO2 층인염료 감응 태양 전지의 제조 방법
15 15
제 11 항에 있어서,상기 금속 산화물층은, TiO2 층 및 상기 페이스트를 도포한 후, 각각 별도로 고온 소성시키거나 혹은 동시에 고온 소성시켜 다층 구조로 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
16 16
제 11 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성막은, ITO, FTO, ZnO, 도핑되지 않은 SnO2, Al이 도핑된 ZnO 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 제 1 투명 전도성막은, 스퍼터링, 일렉트로우리스(electroless) 증착, 진공 증착, CVD, 졸젤법에 따른 나노 파우더 사용, 페이스트 후 열처리 중 어느 하나의 방식을 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
18 18
제 11 항에 있어서,상기 투명 플라스틱층은, PET, PMMA, PEN, PANI, PC, PDMS, 전도성 고분자, 나노 튜브 네트워크, 금속 나노와이어 메쉬 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
19 19
제 18 항에 있어서,상기 투명 플라스틱층은, 해당 고분자를 액체 상태로 가열한 후 부어 경화시키는 방식, 해당 고분자를 액체 상태로 가열한 후 경화제를 첨가하여 경화시키는 방식, 열경화성 고분자의 경우 액체 상태로 가열한 후 부어 열처리하는 방식 중 어느 하나를 이용하여 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
20 20
제 11 항에 있어서,상기 제 2 투명 전도성막은, 상기 산화물 반도체 전극에 대응하여 전도성 플라스틱 기판 또는 금속 기판으로 형성되는염료 감응 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.