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에피택셜층을 포함하는 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014044511
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양 전지 및 그 제조 방법에 관한 것이다. 태양 전지는 i) 제1 전극, ii) 제1 전극 위에 위치하고, 에피택셜층을 포함하는 기판, iii) 기판 위에 위치한 반도체층, iv) 반도체층 위에 위치하고, 상호 이격되며, 반도체층과 일체로 형성된 복수의 제1 나노막대들, v) 복수의 제1 나노막대들 사이에 위치한 제2 나노막대들, vi) 제2 나노막대들 위에 위치한 제2 전극, 및 vii) 제1 나노막대들과 제2 나노막대들 사이에 충전된 수지 고정층을 포함한다. 제1 전극은 제2 전극보다 불투명하다.
Int. CL H01L 31/18 (2006.01.01)
CPC H01L 31/18(2013.01) H01L 31/18(2013.01)
출원번호/일자 1020110039676 (2011.04.27)
출원인 한양대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1142513-0000 (2012.04.26)
공개번호/일자 10-2011-0119587 (2011.11.02) 문서열기
공고번호/일자 (20120507) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100038763   |   2010.04.27
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.04.27)
심사청구항수 14

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 대한민국 서울특별시 성동구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이정호 대한민국 서울특별시 강남구
2 엄한돈 대한민국 경기도 안산시 상록구
3 박광태 대한민국 경기도 안산시 상록구
4 정진영 대한민국 경기도 안산시 상록구
5 지상원 대한민국 경기도 안산시 상록구
6 남윤호 대한민국 경기도 안산시 상록구
7 박민준 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한양대학교 산학협력단 서울특별시 성동구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2011-0314259-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.02.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.03.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0021214-61
4 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0220994-05
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.06.05 수리 (Accepted) 4-1-2014-5068294-39
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.16 수리 (Accepted) 4-1-2015-5022074-70
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.05 수리 (Accepted) 4-1-2019-5155816-75
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.06 수리 (Accepted) 4-1-2019-5156285-09
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 전극,상기 제1 전극 위에 위치하고, 에피택셜층을 포함하는 기판,상기 기판 위에 위치한 반도체층,상기 반도체층 위에 위치하고, 상호 이격되며, 상기 반도체층과 일체로 형성된 복수의 제1 나노막대들,상기 복수의 제1 나노막대들 사이에 위치한 제2 나노막대들,상기 제2 나노막대들 위에 위치한 제2 전극, 및상기 제1 나노막대들과 상기 제2 나노막대들 사이에 충전된 수지 고정층을 포함하고,상기 제1 전극은 상기 제2 전극보다 불투명한 태양 전지
2 2
제1항에 있어서,상기 제1 전극과 상기 기판 사이에 위치하고, 불연속적으로 형성된 다공성층을 더 포함하는 태양 전지
3 3
제2항에 있어서,상기 다공성층의 광투과율은 10% 내지 20%인 태양 전지
4 4
제2항에 있어서,상기 다공성층의 공극률은 10% 내지 70%인 태양 전지
5 5
제1항에 있어서,상기 복수의 제1 나노막대들은 단일 도핑된 태양 전지
6 6
제5항에 있어서,상기 복수의 제1 나노막대들의 평균 폭은 10nm 내지 500nm인 태양 전지
7 7
제5항에 있어서,상기 복수의 제1 나노막대들의 평균 높이는 100nm 내지 10㎛인 태양 전지
8 8
제1항에 있어서,상기 기판 및 상기 반도체층은 pn형 또는 np형 접합된 태양 전지
9 9
제1항에 있어서,상기 기판의 도핑 농도는 상기 반도체층의 도핑 농도보다 큰 태양 전지
10 10
제1항에 있어서,상기 기판은 그 두께 방향으로 도핑 농도 구배가 형성된 태양 전지
11 11
제1항에 있어서,상기 제2 나노막대들의 평균 폭은 상기 제1 나노막대들의 평균 폭보다 큰 태양 전지
12 12
모재를 제공하는 단계,상기 모재 위에 다공성층을 제공하는 단계,상기 다공성층 위에 에피택셜층을 포함하는 기판을 제공하는 단계,상기 기판을 도핑하여 반도체층을 제공하는 단계,상기 반도체층 위에 나노막대들을 제공하는 단계,상기 나노막대들을 감싸는 수지 고정층을 제공하는 단계, 및상기 다공성층을 상기 모재로부터 분리시키는 단계를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
13 13
제12항에 있어서,상기 나노막대들을 제공하는 단계는,상기 반도체층과 일체로 형성되고, 상호 이격된 복수의 제1 나노막대들을 제공하는 단계, 및상기 제1 나노막대들의 평균 폭보다 큰 평균 폭을 가지고, 상기 제1 나노막대들과 상호 이격된 복수의 제2 나노막대들을 제공하는 단계,를 포함하는 태양 전지의 제조 방법
14 14
제12항에 있어서,상기 모재로부터 분리된 상기 다공성층 아래에 제1 전극을 제공하는 단계, 및상기 수지 고정층 위에 제2 전극을 제공하는 단계를 더 포함하고,상기 제1 전극은 상기 제2 전극보다 불투명한 태양 전지의 제조 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 한양대학교 산학협력단 원천기술개발사업(미래유망파이오니어사업) PV-TE 소자 융합