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그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 태양전지 및 염료감응 태양전지

  • 기술번호 : KST2014044695
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 그라펜의 제조 방법, 이를 포함하는 투명 전극, 활성층, 이를 구비한 표시소자, 전자소자, 광전소자, 태양전지 및 염료감응 태양전지에 관한 것으로, (a) 대상기판을 준비하는 단계; (b) 상기 대상기판 상에 금속박막을 형성하고 상기 금속박막을 열처리하여 금속박막의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계; (c) 상기 금속박막 상에 탄소원료를 공급하는 단계; (d) 상기 공급된 탄소원료, 상기 대상기판 및 상기 금속박막을 승온하는 단계; (e) 상기 승온된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박막으로 확산되는 단계; 및 (f) 상기 금속박막으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계를 포함하는 그라펜의 제조 방법을 제공한다.
Int. CL C23C 16/26 (2014.01) H01B 1/04 (2014.01) C01B 31/02 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01) C01B 32/186(2013.01)
출원번호/일자 1020100126995 (2010.12.13)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1251020-0000 (2013.03.26)
공개번호/일자 10-2011-0102132 (2011.09.16) 문서열기
공고번호/일자 (20130403) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020100020990   |   2010.03.09
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.13)
심사청구항수 30

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 권순용 대한민국 울산광역시 울주군
2 박기복 대한민국 울산광역시 울주군
3 윤의준 대한민국 서울특별시 강남구
4 곽진성 대한민국 부산광역시 남구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.13 수리 (Accepted) 1-1-2010-0819516-61
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2011-5023649-42
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.02.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0099387-13
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2011-5036213-54
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.05.10 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.06.20 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047551-30
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0365164-37
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0688348-26
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0688350-18
10 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.12.03 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0735074-50
11 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2013.01.03 수리 (Accepted) 7-1-2013-0000338-53
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
13 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2013.02.04 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2013-0103938-80
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.02.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0103939-25
15 등록결정서
Decision to Grant Registration		 2013.03.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0148625-39
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 대상기판을 준비하는 단계;(b) 상기 대상기판 상에 금속박막을 형성하고 상기 금속박막을 열처리하여 금속박막의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계;(c) 상기 금속박막 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(d) 상기 공급된 탄소원료, 상기 대상기판 및 상기 금속박막을 승온하는 단계;(e) 상기 승온된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박막으로 확산되는 단계; 및(f) 상기 금속박막으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 금속박막의 두께는 1nm 내지 10㎛인 것인 그라펜의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속박막은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Zn, Sr
3 3
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 기상, 액상, 고상 또는 이들의 조합인 것인 그라펜의 제조 방법
4 4
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 기상이며, 상기 (d) 단계의 승온 온도는 300 내지 1400℃인 것인 그라펜의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 기상이며, 상기 (d) 단계의 승온 유지 시간은 10초 내지 24시간인 것인 그라펜의 제조 방법
6 6
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 기상이며, 상기 (d) 단계의 승온 속도는 0
7 7
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 액상 또는 고상이며, 상기 (d) 단계의 승온 온도는 25 내지 1000℃인 것인 그라펜의 제조 방법
8 8
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 액상 또는 고상이며, 상기 (d) 단계의 승온 유지 시간은 10초 내지 10시간인 것인 그라펜의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 탄소원료는 액상 또는 고상이며, 상기 (d) 단계의 승온 속도는 0
10 10
제 1 항에 있어서,상기 (f) 단계에서 형성된 그라펜을 이용하여 그라펜 시트를 형성하는 단계를 더 포함하는 그라펜의 제조 방법
11 11
삭제
12 12
제 1 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 대상기판 상에 금속박막을 형성하는 단계 및 상기 형성된 대상기판을 열처리하여 자발적으로 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것인 그라펜의 제조 방법
13 13
(a) 대상기판을 준비하는 단계;(b) 상기 대상기판 상에 금속박막을 형성하고 상기 금속박막을 열처리하여 금속박막의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계;(c) 상기 대상기판 및 상기 금속박막을 승온하는 단계;(d) 상기 승온된 금속박막 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(e) 상기 공급된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박막으로 확산되는 단계; 및(f) 상기 금속박막으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하고, 상기 금속박막의 두께는 1nm 내지 10㎛인 것인 그라펜의 제조 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 금속박막은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Zn, Sr
15 15
제 13 항에 있어서,상기 탄소원료는 기상, 액상, 고상 또는 이들의 조합인 것인 그라펜의 제조 방법
16 16
제 13 항에 있어서,상기 (c) 단계의 승온 온도는 400 내지 1200℃인 것인 그라펜의 제조 방법
17 17
제 13 항에 있어서,상기 (c) 단계의 승온 유지 시간은 10초 내지 24시간인 것인 그라펜의 제조 방법
18 18
제 13 항에 있어서,상기 (c) 단계의 승온 속도는 0
19 19
제 13 항에 있어서,상기 (f) 단계에서 형성된 그라펜을 이용하여 그라펜 시트를 형성하는 단계를 더 포함하는 그라펜의 제조 방법
20 20
삭제
21 21
제 13 항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 대상기판 상에 금속박막을 형성하는 단계 및 상기 형성된 대상기판을 열처리하여 자발적으로 패턴이 형성되게 하는 단계를 포함하는 것인 그라펜의 제조 방법
22 22
제 1 항 또는 제 13 항에 따라 제조된 그라펜을 포함하는 투명 전극
23 23
제 1 항 또는 제 13 항에 따라 제조된 그라펜을 포함하는 활성층
24 24
제 22 항에 따른 투명 전극을 구비하는 표시소자
25 25
제 23 항에 따른 활성층을 구비하는 전자소자
26 26
제 24 항에 있어서,상기 표시소자가 액정 표시소자, 전자 종이 표시소자 또는 광전소자인 것인 표시소자
27 27
제 25 항에 있어서,상기 전자소자가 트랜지스터, 센서 또는 유무기 반도체 디바이스인 것인 전자소자
28 28
애노드; 정공 수송층; 발광층; 전자 수송층 및 캐소드를 구비하며,상기 애노드가 제 22 항에 따른 투명 전극인 것인 광전소자
29 29
제 28 항에 있어서,상기 광전소자는 전자 주입층 및 정공 주입층을 더 구비하는 것인 광전소자
30 30
제 22 항에 따른 투명 전극을 구비하는 태양전지
31 31
기판상에 적층되는 하부 전극층과 상부전극층 사이에 적어도 하나의 활성층을 구비하는 태양전지에 있어서, 상기 활성층은 제 23 항에 따른 활성층인 것인 태양전지
32 32
반도체 전극, 전해질층 및 대향 전극을 포함하며, 상기 반도체 전극이 투명 전극 및 광흡수층으로 이루어지고, 상기 광흡수층이 나노입자 산화물 및 염료를 포함하는 염료감응 태양전지로서,상기 투명 전극 및 대향 전극이 제 22 항에 따른 투명 전극인 것인 염료감응 태양전지
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3 US20120328906 US 미국 FAMILY
4 WO2011111932 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
5 WO2011111932 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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2 CN102791626 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2544996 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2544996 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 US2012328906 US 미국 DOCDBFAMILY
6 WO2011111932 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
7 WO2011111932 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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