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기판에 집적하여 형성되는 인덕터 또는 비아를 포함한 수동 소자의 제조방법에 있어서,더미기판에 접착층을 형성하는 접착층 형성과정과;상기 접착층에 금속 박편을 접합시키는 접합과정과;상기 금속 박편에 마스킹 물질을 부착하고, 비아가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역의 마스킹 물질을 제거한 후 상기 금속 박편을 원하는 깊이로 식각하는 식각과정과;상기 마스킹 물질을 제거하고, 상기에서 식각된 부분에 폴리머를 채워 평탄한 폴리머면을 형성하고, 상기 폴리머면에 상기 마스킹 물질을 부착하고, IPD나 IC 칩에 부착될 영역을 제외한 나머지 영역의 마스킹 물질을 제거한 후 금속 패드를 형성하고 이 금속 패드를 사용하여 상기 IPD 또는 IC칩 같은 아래 기판에 부착시키는 기판 부착 과정과;상기 접착층과 더미기판을 제거하고 상기 금속 박편의 더미기판이 제거된 후 노출된 면에 마스킹 물질을 부착하고, 인덕터 또는 비아를 포함한 수동소자가 형성될 영역을 제외한 나머지 영역의 마스킹 물질을 제거한 후 상기 금속 박편을 원하는 깊이로 식각하는 식각과정; 및상기 마스킹 물질을 제거한 후 표면실장을 위한 솔더범프를 형성하는 범프형성과정;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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금속기판에 집적하여 형성되는 수동소자의 제조방법에 있어서,더미기판에 접착층을 형성하는 접착층 형성과정과;상기 접착층에 금속 박편을 접합시키는 접합과정과;상기 금속 박편의 저면에 마스킹 물질을 부착하고, 수동 소자가 형성될 영역을 패터닝한 후 상기 금속 박편에 원하는 깊이로 원하는 장소에 절연체를 형성하는 절연체 형성과정과;상기 마스킹 물질을 제거하고, 상기 금속박편 저면에 사진기법(photolithography)으로 금속패드를 형성하는 금속패드 형성공정과;이 금속패드를 이용하여 IPD 또는 IC칩 같은 아래 기판에 부착시키는 기판부착과정과;상기 접착층과 더미 기판을 제거하는 더미기판 제거과정과;상기 금속 박편의 이면을 상기 절연체가 드러날 때까지 금속을 제거하는 금속제거과정; 및PCB기판에 표면실장을 가능하도록 솔더범프를 형성하는 범프형성과정;을 포함하여 이루어진 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 식각과정에서 상기 수동 소자중 인덕터는 폴리머층 상에 형성되는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 1 항에 있어서,상기 폴리머막은 BCB(Benzocyclobutene), PI(Polyimide), BT(Bismaleimide triazine)중 선택된 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 마스킹물질은 'SiO2', 'SiNx' 또는 'SiO2 및 SiNx 복합' 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 2 항에 있어서,상기 금속제거과정에서 상기 금속기판의 이면은 기계적인 연마(lapping 및 polishing), 화학적 식각, 또는 기계적 및 화학적 복합식각을 통하여 금속을 제거하는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 솔더범프는 도금 또는 실크스크린방법을 통한 BGA 또는 LGA(Ball Grid Array or Land Grid Array) 타입으로 형성하는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 더미 기판은 유리판, 규소 반도체 기판과 같은 평탄도가 우수한 기판 인 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동 소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 금속 박편이 두꺼운 금속 박편일 경우, 상기 접착층 형성과정과 더미 기판에 접합하는 접합과정을 생략하고 진행하는 금속 박편을 이용한 수동소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 금속 박편이 두꺼운 금속 박편일 경우, 상기 아래 기판이 없는 구조의 수동소자를 제조하는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 수동소자의 제조방법
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제 1 항 또는 제 2 항의 금속 박편에 집적하여 형성되는 수동 소자의 제조방법을 이용하여 상기 금속 박편에 수동 소자를 집적하고 그 위에 메탈커버로 보호하는 반도체 패키지 제조 방법에 있어서,상기 수동 소자가 구현된 금속 박편의 유전체상이나 금속면에 시스템을 구현하는데 필요한 수동 소자를 집적하고, 플립칩 본딩을 이용하여 베어칩 상태의 반도체 소자와 집적된 수동 소자를 연결하는 부착과정과;상기 아래 기판에 표면실장을 위한 솔더범프를 형성하는 범프형성과정; 및상기 금속 박편에 집적된 수동 소자 및 반도체소자를 보호하는 메탈커버를 상기 금속 박편에 접착하여 형성하는 커버접착과정;을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 금속 박편의 금속면 상에 부착되는 반도체소자는,열전도성 접착물질로 고정시키고, 와이어본딩을 통해 상기 유전체 상이나 금속면에 집적된 수동 소자와 연결하는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
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제 11 항에 있어서,상기 메탈커버와 상기 금속 박편은 전도성 에폭시 또는 금속본딩(metal to metal) 방식의 접착층에 의하여 연결하는 것을 특징으로 하는 금속 박편을 이용한 반도체 패키지의 제조방법
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