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나노체 기반 발광 다이오드 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014044716
  • 담당센터 : 부산기술혁신센터
  • 전화번호 : 051-606-6561
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 제1 반도체 층, 활성층 및 제2 반도체 층을 포함하는 발광 구조 층을 차례로 형성하는 단계, 상기 발광 구조 층 위에 전극용 도전층을 형성하는 단계, 상기 전극용 도전층 위에 복수의 나노 패턴을 형성하는 단계, 상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 전극용 도전층을 식각하여 복수의 전극 나노체를 형성하는 단계, 상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 발광 구조층을 식각하여 복수의 발광 나노체를 형성하는 단계, 그리고 상기 나노 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법 및 상기 방법으로 제조된 발광 다이오드에 관한 것이다.
Int. CL H01L 33/20 (2014.01) H01L 33/36 (2014.01)
CPC H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01) H01L 33/22(2013.01)
출원번호/일자 1020110003064 (2011.01.12)
출원인 울산과학기술원 산학협력단
등록번호/일자 10-1312661-0000 (2013.09.23)
공개번호/일자 10-2012-0081759 (2012.07.20) 문서열기
공고번호/일자 (20130927) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.01.12)
심사청구항수 16

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 산학협력단 대한민국 울산광역시 울주군

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박기복 대한민국 울산광역시 울주군
2 권순용 대한민국 울산광역시 울주군
3 고흥석 대한민국 대구광역시 동구
4 전영은 대한민국 울산광역시 남구
5 최재경 대한민국 울산광역시 중구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 유미특허법인 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 ***, 서림빌딩 **층 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 울산과학기술원 울산광역시 울주군
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.01.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0025401-08
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.09 수리 (Accepted) 4-1-2011-5023649-42
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.02.25 수리 (Accepted) 4-1-2011-5036213-54
4 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0024687-04
5 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2012.01.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.01.19 불수리 (Non-acceptance) 1-1-2012-0052067-18
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2012.02.15 수리 (Accepted) 9-1-2012-0009994-62
8 서류반려이유통지서
Notice of Reason for Return of Document		 2012.03.22 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0032201-65
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0234186-56
10 [반려요청]서류반려요청(반환신청)서
[Request for Return] Request for Return of Document		 2012.03.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0234184-65
11 서류반려통지서
Notice for Return of Document		 2012.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0034395-49
12 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.06.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0335192-68
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.08.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0642344-88
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0642342-97
15 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.12.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0800360-17
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.01.07 수리 (Accepted) 4-1-2013-5002604-31
17 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2013.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0178348-98
18 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.03.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0271608-79
19 등록결정서
Decision to grant		 2013.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0596868-57
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.31 수리 (Accepted) 4-1-2015-5176347-51
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 반도체 층, 활성층 및 제2 반도체 층을 포함하는 발광 구조 층을 차례로 형성하는 단계,상기 발광 구조 층 위에 전극용 도전층을 형성하는 단계,상기 전극용 도전층 위에 복수의 나노 패턴을 형성하는 단계,상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 전극용 도전층을 식각하여 복수의 전극 나노체를 형성하는 단계,상기 나노 패턴을 마스크로 하여 상기 발광 구조층을 식각하여 복수의 발광 나노체를 형성하는 단계, 그리고상기 나노 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
2 2
제1항에서,상기 복수의 나노 패턴을 형성하는 단계는 나노 임프린팅 방법 또는 전자빔 리소그래피 방법으로 수행하는 발광 다이오드의 제조 방법
3 3
제1항에서,상기 나노 패턴을 제거하는 단계 후에 열처리하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
4 4
제3항에서,상기 열처리하는 단계는 500 내지 850 ℃에서 수행하는 발광 다이오드의 제조 방법
5 5
제1항에서,상기 복수의 나노 패턴은 서로 분리되어 있는 발광 다이오드의 제조 방법
6 6
제5항에서,상기 나노 패턴을 제거하는 단계 후에 상기 복수의 전극 나노체를 연결하는 도전성 박막을 형성하는 단계를 더 포함하는 발광 다이오드의 제조 방법
7 7
제1항에서,상기 복수의 나노 패턴은 서로 연결되어 있는 발광 다이오드의 제조 방법
8 8
제1 반도체 나노체, 활성 나노체 및 제2 반도체 나노체를 포함하는 복수의 발광 나노체, 그리고상기 복수의 발광 나노체 위에 형성되어 있는 복수의 전극 나노체를 포함하고,상기 발광 나노체 및 상기 전극 나노체는 동일한 평면 모양을 가지며,상기 발광 나노체는 패턴화되어 인접한 발광 나노체와 이격되어 있으며, 상기 전극 나노체는 패턴화되어 인접한 전극 나노체와 이격되어 있는발광 다이오드
9 9
삭제
10 10
제8항에서,상기 복수의 발광 나노체는 서로 분리되어 있고,상기 복수의 전극 나노체는 서로 분리되어 있는 발광 다이오드
11 11
제10항에서,상기 복수의 전극 나노체 위에 위치하며 상기 복수의 전극 나노체의 말단을 연결하는 도전성 박막을 더 포함하는 발광 다이오드
12 12
제11항에서,상기 도전성 박막은 금속, 그래핀, 도전성 고분자 또는 이들의 조합을 포함하는 발광 다이오드
13 13
제8항에서,상기 복수의 발광 나노체는 서로 연결되어 있고,상기 복수의 전극 나노체는 서로 연결되어 있는발광 다이오드
14 14
제13항에서,상기 발광 나노체는 발광 나노 본체 및 상기 인접한 발광 나노 본체 사이를 연결하는 연결부를 포함하고,상기 전극 나노체는전극 나노 본체 및 상기 인접한 전극 나노 본체 사이를 연결하는 연결부를 포함하는발광 다이오드
15 15
제8항에서,상기 발광 나노체 및 상기 전극 나노체는 각각 50 내지 500nm의 폭을 가지는 발광 다이오드
16 16
제8항에서,상기 발광 나노체는 질화물 반도체를 포함하는 발광 다이오드
17 17
제8항에서,상기 전극 나노체는 금속을 포함하는 발광 다이오드
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 교육과학기술부 국립대학법인 울산과학기술대학교 산학협력단 [울산지방과학연구단지] 기초.원천연구분야 연구테마지원사업 수직 배열된 반도체 나노선/막대 기반 고출력 발광 다이오드 제작 및 특성평가