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(a) 대상기판 및 금속박(foil)을 준비하는 단계;(b) 상기 금속박을 열처리하여 금속박의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계;(c) 상기 결정립의 크기가 증가된 금속박을 상기 대상기판 상에 공급하는 단계;(d) 상기 금속박 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(e) 상기 공급된 탄소원료, 상기 대상기판 및 상기 금속박을 승온하는 단계;(f) 상기 승온된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박으로 확산되는 단계; 및(g) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하는 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 (g) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계(S107)는, 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 금속박 뒷면에 그라펜을 형성하는 단계; 및 상기 금속박 뒷면에 형성된 그라펜을 상기 대상기판 상에 전사하는 단계;를 포함하는 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 금속박은 Ni, Co, Fe, Pt, Au, Al, Cr, Cu, Mg, Mn, Mo, Rh, Si, Ta, Ti, W, U, V, Zr, Zn, Sr
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 승온 온도는 50℃ 내지 3,000℃ 인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 승온 유지 시간은 10초 내지 10시간 인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계의 승온 속도는 0
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제1항에 있어서,상기 탄소원료는 기상, 액상, 고상 또는 이들의 조합인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소원료는 기상이며, 상기 (e) 단계의 승온 온도는 상온 내지 1,500℃인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소원료는 기상이며, 상기 (e) 단계의 승온 유지 시간은 1초 내지 100시간인 것인 그라펜의 제조 방법
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10
제1항에 있어서,상기 탄소원료는 기상이며, 상기 (e) 단계의 승온 속도는 0
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제1항에 있어서,상기 탄소원료는 액상 또는 고상이며, 상기 (e) 단계의 승온 온도는 상온 내지 1,500℃인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소원료는 액상 또는 고상이며, 상기 (e) 단계의 승온 유지 시간은 1초 내지 100시간인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 탄소원료는 액상 또는 고상이며, 상기 (e) 단계의 승온 속도는 0
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제1항에 있어서,상기 (g) 단계에서 형성된 그라펜을 이용하여 그라펜 시트를 형성하는 단계를 더 포함하는 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 (b) 단계는, 상기 금속박을 열처리하여 금속박의 결정립의 크기를 증가시키고, 상기 금속박에 자발적으로 패턴이 형성되게 하는 단계; 상기 금속박을 열처리하여 금속박의 결정립의 크기를 증가시키고, 상기 금속박을 패터닝 하는 단계; 또는상기 금속 박에 미리 패터닝을 한 후 상기 금속박을 열처리하여 금속박의 결정립의 크기를 증가시키는 단계인 것인 그라펜의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 대상기판은 가요성 기판인 것인 그라펜의 제조 방법
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(a) 대상기판 및 금속박(foil)을 준비하는 단계;(b) 상기 금속박을 열처리하여 금속박의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계;(c) 상기 결정립의 크기가 증가된 금속박을 상기 대상기판 상에 공급하는 단계;(d) 상기 대상기판 및 상기 금속박을 승온하는 단계;(e) 상기 금속박 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(f) 상기 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박으로 확산되는 단계; 및(g) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하는 그라펜의 제조 방법
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18
(a) 대상기판을 준비하는 단계;(b) 상기 대상기판 상에 금속박(foil)을 공급하는 단계;(c) 상기 금속박 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(d) 상기 공급된 탄소원료, 상기 대상기판 및 상기 금속박을 승온하는 단계;(e) 상기 승온된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박으로 확산되는 단계; 및(f) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하는 그라펜의 제조 방법
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(a) 대상기판을 준비하는 단계;(b) 상기 대상기판 상에 금속박(foil)을 공급하고 상기 금속박 및 대상기판을 열처리하여 금속박의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계;(c) 상기 금속박 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(d) 상기 공급된 탄소원료, 상기 대상기판 및 상기 금속박을 승온하는 단계;(e) 상기 승온된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박으로 확산되는 단계; 및(f) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하는 그라펜의 제조 방법
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(a) 대상기판을 준비하는 단계;(b) 상기 대상기판 상에 금속박(foil)을 공급하는 단계;(c) 상기 대상기판 및 상기 금속박을 승온하는 단계;(d) 상기 금속박 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(e) 상기 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박으로 확산되는 단계; 및(f) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하는 그라펜의 제조 방법
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(a) 대상기판을 준비하는 단계;(b) 상기 대상기판 상에 금속박을 공급하고 상기 금속박 및 대상기판을 열처리하여 금속박의 결정립(grain)의 크기를 증가시키는 단계;(c) 상기 대상기판 및 상기 금속박을 승온하는 단계;(d) 상기 승온된 금속박 상에 탄소원료를 공급하는 단계;(e) 상기 공급된 탄소원료가 열분해되어 발생한 탄소원자가 상기 금속박으로 확산되는 단계; 및(f) 상기 금속박으로 확산된 탄소원자가 상기 대상기판 상에 그라펜을 형성하는 단계;를 포함하는 그라펜의 제조 방법
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22
제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 따라 제조된 그라펜을 포함하는 투명 전극
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23
제1항 내지 제21항 중 어느 한 항에 따라 제조된 그라펜을 포함하는 활성층
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제22항에 따른 투명 전극을 구비하는 표시소자
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제23항에 따른 활성층을 구비하는 전자소자
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제24항에 있어서,상기 표시소자가 액정 표시소자, 전자 종이 표시소자 또는 광전소자인 것인 표시소자
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27
제25항에 있어서,상기 전자소자가 트랜지스터, 센서 또는 유무기 반도체 디바이스인 것인 전자소자
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애노드; 정공 수송층; 발광층; 전자 수송층 및 캐소드를 구비하며,상기 애노드가 제22항에 따른 투명 전극인 것인 광전소자
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제28항에 있어서,상기 광전소자는 전자 주입층 및 정공 주입층을 더 구비하는 것인 광전소자
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제22항에 따른 투명 전극을 구비하는 배터리
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제22항에 따른 투명 전극을 구비하는 태양전지
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기판상에 적층되는 하부 전극층과 상부전극층 사이에 적어도 하나의 활성층을 구비하는 태양전지에 있어서, 상기 활성층은 제23항에 따른 활성층인 것인 태양전지
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반도체 전극, 전해질층 및 대향 전극을 포함하며, 상기 반도체 전극이 투명 전극 및 광흡수층으로 이루어지고, 상기 광흡수층이 나노입자 산화물 및 염료를 포함하는 염료감응 태양전지로서,상기 투명 전극 및 대향 전극이 제22항에 따른 투명 전극인 것인 염료감응 태양전지
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