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플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어를 구비하는 전자 소자

  • 기술번호 : KST2014044741
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법 및 그 방법으로 제조된 산화아연 나노와이어를 구비하는 전자 소자에 관한 것으로, 기판과, 상기 기판 위에 형성되며 표면이 플라즈마 표면처리되는 산화아연 촉매층과, 상기 산화아연 촉매층 위에 성장되는 복수의 산화아연 나노와이어와, 상기 산화아연 나노와이어를 포함하여 상기 산화아연 촉매층 위에 형성되는 다층의 박막 실리콘과, 상기 산화아연 시드층 및 박막 실리콘 위에 형성되는 전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 실리콘 태양전지의 구성, 이를 제조하기 위한 방법과 산화아연 나노와이어 특성 제어를 위한 방법을 개시한다.
Int. CL H01L 21/208 (2006.01) B29C 59/14 (2006.01) B82B 3/00 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01)
CPC B29C 59/14(2013.01) B29C 59/14(2013.01) B29C 59/14(2013.01) B29C 59/14(2013.01)
출원번호/일자 1020100050813 (2010.05.31)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1206265-0000 (2012.11.23)
공개번호/일자 10-2011-0131395 (2011.12.07) 문서열기
공고번호/일자 (20121130) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.05.31)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김성현 대한민국 경기도 용인시 수지구
2 조진우 대한민국 경기도 성남시 분당구
3 이경일 대한민국 서울특별시 양천구
4 김선민 대한민국 서울특별시 성동구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 알앤디에스 대전광역시 대덕구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.05.31 수리 (Accepted) 1-1-2010-0347021-80
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.05.18 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.06.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0053020-60
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.04.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0248188-66
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.06.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0510581-85
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0510580-39
7 등록결정서
Decision to grant		 2012.11.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0704103-71
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판을 마련하는 단계와;상기 기판 상에 산화아연 촉매층을 형성하는 단계와;상기 산화아연 촉매층을 플라즈마 표면 처리하는 단계와;상기 플라즈마 표면 처리된 산화아연 촉매층을 기반으로 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법
2 2
제1항에 있어서,상기 플라즈마 표면 처리 단계는상기 산화아연 촉매층은 친수 특성을 가지도록 플라즈마 표면 처리하는 단계;상기 산화아연 촉매층은 소수 특성을 가지도록 플라즈마 표면 처리하는 단계;상기 산화아연 촉매층은 초친수 특성을 가지도록 플라즈마 표면 처리하는 단계; 중 적어도 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법
3 3
제1항에 있어서,상기 플라즈마 표면 처리 단계는아르곤과 산소의 혼합가스를 APP(atmospheric pressure plasma) 장비에 주입하고 플라즈마 파워를 인가하여 증착된 산화아연 촉매층을 플라즈마로 처리하는 친수성 표면 처리단계와;아르곤과 CH4의 혼합가스를 APP(atmospheric pressure plasma) 장비에 주입하고 플라즈마 파워를 인가하여 증착된 산화아연 촉매층을 플라즈마로 처리하는 소수 특성 표면 처리단계; 및아르곤을 주입한 ICP(Inductor coupled plasma) 장비로 플라즈마를 형성하여 증착된 산화아연 촉매층을 나노 텍스처링을 실시한 후 아르곤과 산소를 주입한 APP 장비를 통해 플라즈마 처리를 수행하는 초친수성 표면 처리단계; 중 적어도 하나의 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법
4 4
기판을 마련하는 단계와;상기 기판 상에 산화아연 촉매층을 형성하는 단계와;상기 산화아연 촉매층을 플라즈마 표면 처리하는 단계와;상기 플라즈마 표면 처리된 산화아연 촉매층을 기반으로 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계;를 포함하고,상기 산화아연 나노와이어를 성장시키는 단계는질산 아연 수화물(Zinc nitrate hexahydrate)과 헥사메틸렌테트라민(Hexamethylenetetramine)을 같은 몰비로 혼합하여 수용액을 생성하고, 이 수용액을 일정 시간의 stirring을 실시하는 단계와;상기 수용액을 일정 온도까지 가열 한 후 상기 플라즈마 처리된 산화아연 촉매층을 담수하여 일정 시간 동안 산화아연 나노와이어를 성장하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법
5 5
제4항에 있어서,상기 수용액의 몰비는 0
6 6
제1항에 있어서,상기 기판을 마련하는 단계는유리기판을 에탄올과 아세톤에서 각각 10 분씩 초음파 처리하여 세정하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법
7 7
제1항에 있어서,상기 산화아연 촉매층을 형성하는 단계는상기 기판 상에 산화아연 나노와이어의 촉매층으로 사용되는 알루미늄 도핑된 ZnO(AZO)필름을 DC 스퍼터를 통해 기판온도 100도에서 70nm로 증착하는 단계인 것을 특징으로 하는 플라즈마 표면 처리를 이용한 산화아연 나노와이어 특성 제어 방법
8 8
기판과;상기 기판 상에 형성되며, 플라즈마로 표면 처리된 산화아연 촉매층;상기 플라즈마 표면 처리된 산화아연 촉매층을 기반으로 성장된 산화아연 나노와이어;를 포함하는 것을 특징으로 하는 산화아연 나노와이어를 구비하는 전자 소자
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1 지식경제부 전자부품연구원 산업원천기술개발사업 액상공정기반 나노구조체 제작기술