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폴리싱 장치를 사용해서 기판에 일 방향으로 정렬된 1~20nm의 폭을 갖는 스크래치들을 형성하는 단계(단계 1); 및,상기 기판에 형성된 스크래치들에 나노 물질을 도입하여 정렬하는 단계(단계 2)를 포함하는 것을 특징으로 하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법
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제1항에 있어서,상기 폴리싱 장치의 팁에 도포되는 그라인딩 재료는 다이아몬드, 탄화 규소, 산화 알루미늄 및 산화 규소로 이루어진 군으로부터 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법
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제2항에 있어서,상기 그라인딩 재료는 직경이 1㎛ 이하의 입자 크기를 갖는 것을 특징으로 하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법
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제1항에 있어서,상기 단계 2의 나노 물질의 도입은 나노 물질의 분산 또는 나노 물질의 성장으로 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법
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제4항에 있어서,상기 나노 물질의 분산은 용액법에 의하여 수행되고, 상기 나노 물질의 성장은 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition; CVD)에 의하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열 방법
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제1항에 있어서,상기 나노 물질은 Ni, Pt, Au, Ag, Si, InP, GaN, GaAs, SiO2, Al2O3, TiO2 및 탄소 나노 튜브로 이루어진 군에서 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 나노 미터 폴리싱을 이용한 나노 물질의 일방향 배열방법
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제1항에 기재된 기판 상에 일방향으로 정렬된 나노 물질의 상부에 소오스 전극 및 드레인 전극을 증착하는 전극 층착단계(단계 A);상기 전극 층착단계에서 증착된 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이의 영역을 제외한 나머지 부분의 상기 나노물질을 제거하여 상기 소오스 전극과 드레인 전극 사이에 나노 물질 채널을 형성하는 채널 형성단계(단계 B);를 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 소자 제조방법
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제7항의 방법으로 제조되고, 1-20nm의 폭을 갖는 요철부가 형성된 기판;상기 요철부 내부에 일방향으로 정렬되고, 홀을 포함하는 나노 물질; 및상기 나노 물질의 상부에 증착된 소오스 전극 및 드레인 전극을 포함하며, 상기 나노 물질은 상기 소오스 전극과 상기 드레인 전극 사이의 영역에만 위치하는 것을 특징으로 하는 전기 소자
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제8항에 있어서,상기 기판의 상부에는 산화 규소(SiO2), 질화 규소(Si3N4), 하프늄 옥사이드 (HfO2), 지르코늄 옥사이드(ZrO2) 및 사파이어(Al2O3)로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종의 재질로 된 절연층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전기 소자
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제8항에 있어서,상기 나노 물질은 탄소나노튜브인 것을 특징으로 하는 전기 소자
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