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MOS-FET 게이트 구동 회로 및 구동 방법

  • 기술번호 : KST2014044841
  • 담당센터 : 경기기술혁신센터
  • 전화번호 : 031-8006-1570
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 MOS-FET 게이트 구동 회로 및 구동 방법에 관한 것으로, 회로가 단순하면서도 고전압 입력이 가능하게 하기 위한 것이다. 이러한 본 발명은 트랜스포머의 1차 권선, 상기 트랜스포머의 1차 권선에 직렬로 연결되는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자, 상기 제2 스위칭 소자의 구동을 제어하는 제어부, 상기 제어부의 구동 전원을 제공하는 트랜스포머의 2차 권선, 상기 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자에 직류 입력 전압을 공급하는 직류 입력 전원을 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 회로의 구성을 개시하며, 상기 구동 회로를 기반으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 방법의 구성을 개시한다.
Int. CL H02M 3/28 (2006.01) H02M 3/10 (2006.01)
CPC H02M 3/335(2013.01) H02M 3/335(2013.01) H02M 3/335(2013.01)
출원번호/일자 1020110080857 (2011.08.12)
출원인 전자부품연구원
등록번호/일자 10-1209639-0000 (2012.12.03)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20121207) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.12)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 대한민국 경기도 성남시 분당구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정인성 대한민국 서울특별시 구로구
2 최준혁 대한민국 서울특별시 양천구
3 구본관 대한민국 경기도 부천시 원미구
4 박준성 대한민국 서울특별시 구로구
5 김진홍 대한민국 경기도 수원시 장안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박종한 대한민국 서울특별시 구로구 디지털로**길 * (구로동, 에이스하이엔드타워*차) ***호(한림특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자기술연구원 경기도 성남시 분당구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2011.08.12 수리 (Accepted) 1-1-2011-0627279-76
2 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0566210-54
3 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.11.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0966402-48
4 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.11.23 수리 (Accepted) 1-1-2012-0966401-03
5 등록결정서
Decision to grant
2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0727378-92
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2013.04.17 수리 (Accepted) 4-1-2013-0013766-37
7 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2018.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2018-0311445-34
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.08.24 수리 (Accepted) 4-1-2020-5189497-57
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
트랜스포머의 1차 권선;상기 트랜스포머의 1차 권선에 직렬로 연결되는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자;상기 제2 스위칭 소자의 구동을 제어하는 제어부;상기 제어부의 구동 전원을 제공하는 트랜스포머의 2차 권선;상기 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자에 직류 입력 전압을 공급하는 직류 입력 전원; 을 포함하고,상기 2차 권선과 상기 제1 스위칭 소자의 게이트 단자 사이에 배치되는 제1 다이오드;상기 제1 스위칭 소자의 게이트 단자와 상기 직류 입력 전원 사이에 배치되는 제2 다이오드;상기 제1 스위칭 소자의 게이트-소스 단 사이에 연결되는 제1 커패시터;상기 제1 커패시터와 병렬로 연결되는 제너다이오드;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 회로
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 제너다이오드는상기 직류 입력 전원의 전압에 해당하는 제너 전압을 가지는 것을 특징으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 회로
4 4
제1항에 있어서,상기 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자의 턴-오프 시상기 제1 스위칭 소자의 드레인-소스 단에는 직류 입력 전원의 전압과 상기 1차 권선에 의한 플라이백 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 회로
5 5
제1항에 있어서,상기 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자의 턴-오프 시상기 제2 스위칭 소자의 드레인-소스 단에는 직류 입력 전원의 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 회로
6 6
트랜스포머의 1차 권선에 직렬로 연결되는 제1 스위칭 소자 및 제2 스위칭 소자를 포함하는 MOS-FET 게이트 구동 회로의 구동 방법에 있어서,트랜스포머의 2차 권선이 제공하는 구동 전원에 의하여 동작하는 제어부가 턴-오프 상태의 상기 제2 스위칭 소자를 턴-온시키고, 게이트-소스 단 사이에 배치된 커패시터를 이용하여 상기 트랜스포머의 2차 권선이 제공하는 구동 전원을 충전하여 제1 스위칭 소자의 게이트 구동 전원으로 공급함으로써 상기 제1 스위칭 소자를 턴-온시키는 턴-온 단계;상기 제어부가 제2 스위칭 소자에 공급하는 신호를 차단하여 제2 스위칭 소자를 턴-온 상태에서 턴-오프 상태로 천이시키고, 상기 제2 스위칭 소자 턴-오프에 따라 상기 커패시터에 충전된 전원을 방전시켜 상기 제1 스위칭 소자를 턴-온 상태에서 턴-오프 상태로 천이시키는 턴-오프 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 MOS-FET 게이트 구동 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
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1 지식경제부 현대자동차(주)남양연구소 부품소재산업경쟁력향상 Hybrid차 및 전기차용 차세대 차량용 전력모듈