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결정결함 내에 스피어를 포함하는 발광소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014044882
  • 담당센터 : 광주기술혁신센터
  • 전화번호 : 062-360-4654
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 발광소자 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 반도체박막의 결정결함 내에 스피어가 형성되어, 광추출효율이 향상되며 공정이 단축되어 제조비용이 감소되는 효과를 낼 수 있는 발광소자 및 그 제조방법을 제공한다.
Int. CL H01L 33/22 (2014.01)
CPC H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01) H01L 33/0079(2013.01)
출원번호/일자 1020100057110 (2010.06.16)
출원인 전북대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1202838-0000 (2012.11.13)
공개번호/일자 10-2011-0137085 (2011.12.22) 문서열기
공고번호/일자 (20121120) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.16)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 홍창희 대한민국 서울특별시 영등포구
2 김형구 대한민국 전라북도 전주시 덕진구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 동원 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로**길 **, ****호 (서초동, 현대전원오피스텔)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 전북대학교산학협력단 전라북도 전주시 덕진구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0387180-57
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.28 수리 (Accepted) 4-1-2010-5245806-20
3 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0390429-83
4 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0706362-44
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0799900-66
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.10.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0799901-12
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2012.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0160924-23
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0253449-59
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0253448-14
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2012.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2012-5206243-46
11 등록결정서
Decision to grant
2012.10.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0652723-15
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2016.01.29 수리 (Accepted) 4-1-2016-5013206-34
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.02.27 수리 (Accepted) 4-1-2019-5038917-11
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146986-17
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.07.23 수리 (Accepted) 4-1-2019-5146985-61
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.10.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5219602-91
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.07.06 수리 (Accepted) 4-1-2020-5149086-79
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번호 청구항
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기판을 준비하는 단계;상기 기판 상에 상부에 결함을 가지는 반도체 박막을 성장시키는 단계;상기 반도체 박막 상에 스피어를 분산시키는 단계;상기 결함 내에 위치한 스피어를 제외한 나머지 스피어를 제거하는 단계;상기 스피어를 제거하는 단계이후 반도체 박막을 성장시키는 단계를 포함하는 발광소자의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 반도체 박막을 성장시키는 단계에서,800℃ 내지 1000 ℃의 성장온도를 유지하여 박막 상의 결함을 키우는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제4항 또는 제 5항에 있어서,상기 반도체 박막을 성장시키는 단계에 이어,박막상의 결함을 키우기 위해 습식식각하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
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제4항에 있어서,상기 스피어를 제거하는 단계이후 반도체박막을 성장시키는 단계 이후에 기판과 반도체 박막을 분리하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 발광소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.