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고주파 소자 구조물의 제조방법

기술번호 : KST2014045062
담당센터 : 대전기술혁신센터
전화번호 : 042-610-2279

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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 노멀리 오프(normally off) 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물의 제조방법 및 단일 기판상에 노멀리 온(normally on) 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물과 노멀리 오프 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물을 동시에 제조하는 방법을 제공한다.
Int. CL	H01L 21/338 (2006.01) H01L 29/812 (2006.01)
CPC	H01L 21/8252(2013.01) H01L 21/8252(2013.01) H01L 21/8252(2013.01) H01L 21/8252(2013.01) H01L 21/8252(2013.01)
출원번호/일자	1020100123566 (2010.12.06)
출원인	한국전자통신연구원
등록번호/일자
공개번호/일자	10-2012-0062346 (2012.06.14) 문서열기
공고번호/일자	문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분	신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2015.11.25)
심사청구항수	13

출원인

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	윤형섭	대한민국	대전광역시 유성구
2	민병규	대한민국	대전광역시 유성구
3	안호균	대한민국	대전광역시 유성구
4	이상흥	대한민국	대전시 서구
5	김해천	대한민국	대전광역시 유성구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	특허법인 고려	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길 * *층(역삼동)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	한국전자통신연구원	대한민국	대전광역시 유성구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2010.12.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0802159-77
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2013.01.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0063367-92
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2015.11.25	수리 (Accepted)	1-1-2015-1151986-23
5	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2016.08.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2016.10.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2016-0141535-03
7	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2016.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0785655-21
8	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2016.11.09	수리 (Accepted)	1-1-2016-1094078-55
9	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2016.12.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1198969-26
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2016.12.07	수리 (Accepted)	1-1-2016-1198968-81
11	등록결정서 Decision to grant	2017.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0303669-23

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판상에 쇼트키 장벽층, 식각정지층, 오믹층 및 오믹 전극을 형성하는 단계;상기 식각정지층의 일부가 노출되도록 제1 리세스를 형성하는 단계;상기 제1 리세스에 게이트 패턴을 형성한 다음 상기 쇼트키 장벽층의 일부가 노출되도록 제2 리세스를 형성하는 단계; 및상기 게이트 패턴 및 제2 리세스 내에 백금 및 팔라듐을 교대로 증착하여 상기 백금과 상기 팔라듐의 적층 구조를 갖는 초격자막을 형성하고, 상기 초격자막 상에 내열성 금속막을 증착하여 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 고주파 소자 구조물의 제조방법
2	2 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극의 형성단계 이후에, 기판상에 질화물을 포함한 절연막을 증착하고 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
3	3 제 1 항에 있어서,상기 초격자막의 상기 백금 또는 상기 백금은 5층 내지 10층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
4	4 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극의 형성단계에서, 상기 게이트 전극의 내열성 금속막은 TiW 및 Mo를 순차적으로 증착하여 얻어진 다층 금속막인 것을 특징으로 하는 방법
5	5 제 4 항에 있어서,상기 게이트 전극은 Mo층상에 Au층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
6	6 제 1 항에 있어서,상기 제1 리세스는 제2 리세스에 비해 더 큰 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 방법
7	7 기판상에 쇼트키 장벽층, 식각정지층, 오믹층 및 오믹 전극을 형성하는 단계;노멀리 온 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물 영역에 상기 식각정지층의 일부가 노출되도록 제1 리세스를 형성하고, 노멀리 오프 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물 영역에 상기 식각정지층의 일부가 노출되도록 제2 리세스를 형성하는 단계; 상기 제1 리세스에 제1 게이트 패턴을 형성한 다음 상기 쇼트키 장벽층의 일부가 노출되도록 제3 리세스를 형성하고, 상기 제2 리세스에 제2 게이트 패턴을 형성한 다음 상기 쇼트키 장벽층의 일부가 노출되도록 제4 리세스를 형성하는 단계; 및상기 제1 게이트 패턴 및 제3 리세스에 내열성 금속막을 증착하여 제1 게이트 전극을 형성하고, 상기 제2 게이트 패턴 및 제4 리세스에 백금 및 팔라듐을 교대로 증착하여 상기 백금 및 상기 팔라듐의 적층 구조를 갖는 초격자막을 형성하고, 상기 초격자막 상에 내열성 금속막을 증착하여 제2 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는, 고주파 소자 구조물의 제조방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극의 형성단계 이후에, 기판상에 질화물을 포함한 절연막을 증착하고 열처리하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
9	9 제 7 항에 있어서,상기 초격자막의 상기 백금 또는 팔라듐은 5층 내지 10층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 방법
10	10 제 7 항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극의 형성단계에서, 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극의 내열성 금속막은 TiW 및 Mo를 순차적으로 증착하여 얻어진 다층 금속막인 것을 특징으로 하는 방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 제1 게이트 전극 및 제2 게이트 전극 각각은 Mo층상에 Au층을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
12	12 제 7 항에 있어서,상기 쇼트키 장벽층, 식각정지층, 오믹층 및 오믹 전극의 형성단계 이후에, 노멀리 온 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물 영역과 노멀리 오프 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물 영역을 정의하기 위한 소자 분리막을 형성하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법
13	13 제 7 항에 있어서,상기 제1 리세스는 제3 리세스에 비해 더 큰 폭을 가지고 상기 제2 리세스는 제4 리세스에 비해 더 큰 폭을 가지는 것을 특징으로 하는 방법

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US08338241	US	미국	FAMILY
2	US20120142148	US	미국	FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번	패밀리번호	국가코드	국가명	종류
1	US2012142148	US	미국	DOCDBFAMILY
2	US8338241	US	미국	DOCDBFAMILY

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번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2010.12.06	수리 (Accepted)	1-1-2010-0802159-77
2	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2013.01.22	수리 (Accepted)	1-1-2013-0063367-92
3	출원인정보변경(경정)신고서	2015.02.02	수리 (Accepted)	4-1-2015-0006137-44
4	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2015.11.25	수리 (Accepted)	1-1-2015-1151986-23
5	선행기술조사의뢰서	2016.08.11	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
6	선행기술조사보고서	2016.10.10	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-6-2016-0141535-03
7	의견제출통지서	2016.10.31	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2016-0785655-21
8	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2016.11.09	수리 (Accepted)	1-1-2016-1094078-55
9	[명세서등 보정]보정서	2016.12.07	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2016-1198969-26
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2016.12.07	수리 (Accepted)	1-1-2016-1198968-81
11	등록결정서	2017.04.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2017-0303669-23


기술번호	KST2014045062
자료제공기관	NTB
기술공급기관	한국전자통신연구원
기술명	고주파 소자 구조물의 제조방법
기술개요	본 발명은 노멀리 오프(normally off) 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물의 제조방법 및 단일 기판상에 노멀리 온(normally on) 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물과 노멀리 오프 모드로 동작하는 고주파 소자 구조물을 동시에 제조하는 방법을 제공한다.
개발상태	기타
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형	라이선스
사업화적용실적
도입시고려사항


과제고유번호	1415113297
세부과제번호	10ZB1110
연구과제명	광/RF 융합소자기반의 차세대 국방부품 플랫폼개발
성과구분	출원
부처명	지식경제부
연구관리전문기관명	산업기술연구회
연구주관기관명	한국전자통신연구원
성과제출연도	2010
연구기간	200901~201212
기여율	1
연구개발단계명	개발연구
6T분류명	IT(정보기술)

특허성과

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