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단일접합 CIGS(Cu(In,Ga)Se2)박막 태양전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2014045087
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 단일접합을 사용하여 제작된 CIGS 광흡수층을 포함하는 단일접합 CIGS 박막 태양전지에 관한 것으로, 기판; 상기 기판 위에 증착된 후면전극; 상기 후면전극 위에 증착되고, P형 CIGS층과 N형 CIGS층을 단일접합시켜 제작된 광흡수층; 및 상기 광흡수층 위에 증착된 반사방지막을 포함하는 것을 특징으로 한다.
Int. CL H01L 31/068 (2006.01) H01L 31/0445 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020100108880 (2010.11.03)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1426821-0000 (2014.07.30)
공개번호/일자 10-2012-0047162 (2012.05.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140806) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.11.03)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 정용덕 대한민국 대전광역시 유성구
2 한원석 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인아주 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, **,**층(역삼동, 동희빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.11.03 수리 (Accepted) 1-1-2010-0718888-38
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.11.15 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.12.16 수리 (Accepted) 9-1-2013-0101162-74
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.12.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0886931-16
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.02.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0169966-17
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.02.21 수리 (Accepted) 1-1-2014-0169967-63
7 등록결정서
Decision to grant
2014.05.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0378955-19
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판;상기 기판 위에 형성된 후면전극;상기 후면전극 위에 형성되고, CIGS 박막을 이용한 단일접합 다이오드를 포함하는 광흡수층; 및상기 광흡수층 위에 형성된 반사방지막을 포함하되, 상기 광흡수층은 상기 후면전극 위에 형성되는 P형 CIGS층 및 상기 P형 CIGS층위에 단일접합되어 형성되는 N형 CIGS층을 포함하고, 상기 N형 CIGS층은 알칼리 금속과 셀렌화 화합물을 혼합하여 상기 P형 CIGS층 위에 동시증발법으로 증착되는 것을 특징으로 하는 단일접합 CIGS 박막 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 광흡수층과 상기 반사방지막 사이에 형성된 윈도우층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 CIGS 박막 태양전지
4 4
기판을 준비하는 단계;상기 기판 위에 몰리브덴(Mo)인 후면전극을 스퍼터링법으로 증착하는 단계;상기 후면전극 위에 동시증발법으로 P형 CIGS층을 증착하는 단계;상기 P형 CIGS층 위에 N형 CIGS층을 증착하는 단계; 및상기 N형 CIGS층 위에 MgF2인 반사방지막을 전자빔증발법으로 증착하는 단계를 포함하되, 상기 N형 CIGS층은 알칼리 금속과 셀렌화 화합물을 혼합하여 동시증발법으로 증착하는 것을 특징으로 하는 단일접합 CIGS 박막 태양전지 제조 방법
5 5
삭제
6 6
제 4 항에 있어서, 상기 알칼리 금속은 Na인 것을 특징으로 하는 단일접합 CIGS 박막 태양전지 제조 방법
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 셀렌화 화합물은 Na2Se인 것을 특징으로 하는 단일접합 CIGS 박막 태양전지 제조 방법
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