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복수의 마이크로셀을 가지는 반도체 포토멀티플라이어 상부에 형성되는 광학 구조체에 있어서,상기 반도체 포토멀티플라이어 상의 식각 방지막;상기 각 마이크로셀의 수광 영역 사이에 존재하는 비수광 영역의 상기 식각 방지막 상에 형성되고, 단면의 형상이 상부에 비해 하부가 넓은 구조를 갖는 제1 유전체; 및상기 각 마이크로셀의 수광 영역의 상기 식각 방지막 상에 형성되고, 단면의 형상이 상부에 비해 하부가 좁은 구조를 갖는 제2 유전체를 포함하되,상기 제2 유전체는 상기 각 마이크로셀의 수광 영역에서 상기 제1 유전체를 관통하여 상기 식각 방지막과 접하고,상기 제2 유전체의 굴절률이 상기 제1 유전체의 굴절률보다 높은 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체는 첨탑형, 사다리꼴형, 삼각형, 반구형 및 포물선형 중 하나의 구조를 갖는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체 및 상기 제2 유전체의 상부 표면은 평탄한 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체는 산화실리콘을 포함하고, 상기 제2 유전체는 질화실리콘을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체는 다공질 산화실리콘을 포함하고, 상기 제2 유전체는 치밀질 산화실리콘을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체
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제1항에 있어서, 상기 제1 유전체는 공기로 구성되는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체
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복수의 마이크로셀을 가지는 반도체 포토멀티플라이어 상부에 광학 구조체를 형성하는 방법에 있어서,상기 반도체 포토멀티플라이어 상에 식각 방지막을 형성하는 단계;상기 복수의 마이크로셀 중 각 마이크로셀의 수광 영역 사이에 존재하는 비수광 영역의 상기 식각 방지막 상에, 단면의 형상이 상부에 비해 하부가 넓은 구조를 갖는 제1 유전체를 형성하는 단계;상기 각 마이크로셀의 수광 영역의 상기 식각 방지막 상에, 단면의 형상이 상부에 비해 하부가 좁은 구조를 갖도록 제2 유전체를 형성하는 단계; 및상기 제1 유전체 및 상기 제2 유전체 중 적어도 하나의 상부 표면을 평탄화하는 단계를 포함하되,상기 제2 유전체는 상기 각 마이크로셀의 수광 영역에서 상기 제1 유전체를 관통하여 상기 식각 방지막과 접하고,상기 제2 유전체의 굴절률이 상기 제1 유전체의 굴절률보다 높은 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 유전체는 첨탑형, 사다리꼴형, 삼각형, 반구형 및 포물선형 중 하나의 구조를 갖는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 유전체는 산화실리콘을 포함하고, 상기 제2 유전체는 질화실리콘을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제9항에 있어서, 상기 제1 유전체를 형성하는 단계는 상기 산화실리콘을 상기 비수광 영역의 상부에 도포한 후, 포토레지스트를 이용한 건식 또는 습식 식각을 수행하여, 상기 각 마이크로셀의 수광 영역의 상기 식각 방지막을 노출시키는 것을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제9항에 있어서, 상기 제2 유전체를 형성하는 단계는 상기 질화실리콘을 상기 각 마이크로셀의 제1 유전체 사이의 공간에 도포함으로써 상기 각 마이크로셀의 제1 유전체 사이의 공간을 채우는 과정을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 제1 유전체는 다공질 산화실리콘을 포함하고, 상기 제2 유전체는 치밀질 산화실리콘을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제12항에 있어서, 상기 제1 유전체를 형성하는 단계는 상기 다공질 산화실리콘을 스퍼터링(sputtering)에 의한 경사각 증착법을 통해 상기 비수광 영역의 상부에 도포한 후, 포토레지스트를 이용한 건식 또는 습식 식각을 수행하는 것을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제13항에 있어서, 상기 제2 유전체를 형성하는 단계는 상기 치밀질 산화실리콘을 상기 각 마이크로셀의 제1 유전체 사이의 공간에 도포함으로써 상기 각 마이크로셀의 제1 유전체 사이의 공간을 채우는 과정을 포함하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제7항에 있어서, 습식 식각을 통해 제1 유전체를 제거하는 단계를 더 포함하는 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 상부 표면을 평탄화하는 단계는 화학기계적 연마(CMP)를 이용하는 것인 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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제7항에 있어서, 상기 식각 방지막은 상기 제2 유전체와 다른 식각 선택성을 갖는 반도체 포토멀티플라이어의 광학 구조체 형성 방법
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