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기판의 일면에 소정의 패턴이 형성된 산화막 마스크를 형성하는 단계;상기 산화막 마스크가 도포되지 않은 상기 기판의 영역을 식각하여 복수의 홈을 형성하는 단계;상기 산화막 마스크를 제거하고, 상기 기판상에 PN 접합층을 형성하는 단계;상기 PN 접합층 상에 제1 전극을 형성하고, 상기 기판의 타면에 제2 전극을 형성하는 단계; 및상기 PN 접합층 상에 베타선을 방출하는 방사성 동위 원소층을 적층하여 단위 모듈을 생성하는 단계를 포함하는 베타전지 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 PN 접합층 형성 단계는,p-타입의 상기 기판에 n-타입 불순물 이온을 주입하여 상기 PN 접합층을 형성하는 것을 특징으로 하는 베타전지 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 생성된 복수의 단위 모듈을 상기 홈이 대향되도록 적층하는 단계를 더 포함하는 베타전지 제작 방법
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제1항에 있어서,상기 기판에 형성된 홈의 단면은 삼각형인 것을 특징으로 하는 베타전지 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 기판에 형성된 홈은 역피라미드 형태인 것을 특징으로 하는 베타전지 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 단위 모듈 생성 단계에서,상기 방사성 동위 원소층은 평면 형태로 상기 PN 접합층 상에 적층되는 것을 특징으로 하는 베타전지 제작 방법
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제1항에 있어서, 상기 단위 모듈 생성 단계에서,상기 방사성 동위 원소층은 상기 기판에 형성된 홈의 표면에 적층되는 것을 특징으로 하는 베타전지 제작 방법
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8
산화막 마스크를 이용하여 식각된 복수의 홈이 일면에 형성된 기판;상기 홈이 형성된 기판의 일면에 형성된 PN 접합층;상기 PN 접합층 상에 형성된 제1 전극;상기 기판의 타면에 형성된 제2 전극; 및상기 PN 접합층 상에 적층되어 베타선을 방출하는 방사성 동위 원소층을 포함하는 단위 모듈을 포함하되,상기 복수의 단위 모듈은 상기 홈이 대향되도록 적층되는 것을 특징으로 하는 베타전지
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제8항에 있어서, 상기 기판에 형성된 홈은 역피라미드 형태인 것을 특징으로 하는 베타전지
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제8항에 있어서, 상기 방사성 동위 원소층은 상기 기판에 형성된 홈의 표면에 적층되는 것을 특징으로 하는 베타전지
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