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기판;상기 기판 상에 제공되어, 열을 흡수하는 실리콘 열흡수부, 열을 전달하는 실리콘 나노선 레그, 열을 방출하는 실리콘 열방출부; 및상기 실리콘 열흡수부 및 상기 실리콘 열방출부 상에 제공되는 절연막을 포함하되,상기 실리콘 열흡수부와 상기 실리콘 열방출부는 서로 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 이격되고, 상기 실리콘 나노선 레그는 상기 실리콘 열흡수부와 상기 실리콘 열방출부 사이에 제공되어, 상기 실리콘 열흡수부와 상기 실리콘 열방출부를 연결하며,상기 절연막은 상기 실리콘 열흡수부의 상면 및 상기 실리콘 열방출부의 상면을 덮고,상기 절연막은 상기 절연막을 관통하는 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제1항에 있어서,상기 실리콘 나노선 레그의 선폭은 10 nm ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제1항에 있어서,상기 실리콘 열흡수부, 상기 실리콘 나노선 레그 및 상기 실리콘 열방출부의 두께는 10 nm ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제1항에 있어서,상기 절연막은 질화막인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제1항에 있어서,상기 절연막의 두께는 10 nm ~ 1 um인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제1항에 있어서,상기 절연막 상부에 형성되는 금속 배선;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제6항에 있어서,상기 금속 배선은 Pt, Al, Cu, W 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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8
제1항에 있어서,상기 절연막은 상기 실리콘 열흡수부에 접하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제1항에 있어서,상기 절연막은 상기 실리콘 열흡수부에 접하는 제1 절연막 및 상기 실리콘 열방출부에 접하는 제2 절연막을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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기판 상에 산화막 및 실리콘 박막을 순차적으로 형성하는 산화막 및 실리콘 박막 형성 단계;상기 실리콘 박막에서 실리콘 나노선 레그로 패터닝될 영역에 N형 또는 P형의 전도성을 부여하는 전도성 부여 단계;상기 실리콘 박막을 패터닝하여 열을 흡수하는 실리콘 열흡수부, 열을 전달하는 실리콘 나노선 레그 및 열을 방출하는 실리콘 열방출부를 정의하는 구조물 생성 단계;상기 실리콘 열흡수부 및 상기 실리콘 열방출부 상에 절연막 박막을 증착하고 패터닝하여 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 절연막을 형성하는 절연막 형성 단계; 및상기 적어도 하나 이상의 홀을 이용한 에칭 공정을 실시하여 상기 산화막의 적어도 일부를 제거하는 산화막 제거 단계;를 포함하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자 제조 방법
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제10항에 있어서,상기 절연막 상부에 금속 배선을 형성하는 금속 배선 형성 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자 제조 방법
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기판; 상기 기판 상에 형성되어, 열을 흡수하는 실리콘 열흡수부; 열을 전달하는 실리콘 나노선 레그; 및열을 방출하는 실리콘 열방출부를 포함하되,상기 실리콘 열흡수부와 상기 실리콘 열방출부는 서로 상기 기판의 상면에 평행한 방향으로 이격되고, 상기 실리콘 나노선 레그는 상기 실리콘 열흡수부와 상기 실리콘 열방출부 사이에 제공되어, 상기 실리콘 열흡수부와 상기 실리콘 열방출부를 연결하며,상기 실리콘 열흡수부는 상기 실리콘 열흡수부를 관통하는 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 실리콘 나노선 기반의 열전 소자
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제12항에 있어서,상기 실리콘 나노선 레그의 선폭은 10 nm ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제12항에 있어서,상기 실리콘 열흡수부, 상기 실리콘 나노선 레그 및 상기 실리콘 열방출부의 두께는 10 nm ~ 500 nm인 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제12항에 있어서,상기 실리콘 열흡수부 상부에 형성되는 금속 배선;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제15항에 있어서,상기 금속 배선은 Pt, Al, Cu, W 및 Ti 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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제12항에 있어서,상기 실리콘 열방출부는 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자
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기판 상에 산화막 및 실리콘 박막을 순차적으로 형성하는 산화막 및 실리콘 박막 형성 단계;상기 실리콘 박막에서 실리콘 나노선 레그로 패터닝될 영역에 N형 또는 P형의 전도성을 부여하는 전도성 부여 단계;상기 실리콘 박막을 패터닝하여 열을 흡수하고 적어도 하나 이상의 홀을 포함하는 실리콘 열흡수부, 열을 전달하는 실리콘 나노선 레그 및 열을 방출하는 실리콘 열방출부를 정의하는 구조물 생성 단계; 및상기 적어도 하나 이상의 홀을 이용한 에칭 공정을 실시하여 상기 산화막을 제거하는 산화막 제거 단계;를 포함하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자 제조 방법
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제18항에 있어서, 상기 구조물 생성 단계에서,상기 실리콘 열방출부에도 적어도 하나 이상의 홀을 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 나노선 기반의 열전소자 제조 방법
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