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(a) 기판의 전면에 흡수층, 그래이딩층, 전기장 조절층, 증폭층을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성하는 단계;(b) 상기 에피탁시 웨이퍼 상에 절연층을 형성하는 단계;(c) 상기 절연층부터 상기 기판의 소정 깊이까지 홀을 하나 이상 형성하는 단계;(d) 상기 홀 상부를 경사지도록 식각하여 테이퍼형 홀을 형성하는 단계;(e) 상기 홀 및 상기 테이퍼형 홀의 벽면에 절연막을 형성시킨 후 형성된 절연막 상에 금속 시드막(metal seed layer)을 형성하는 단계;(f) 상기 홀의 바닥면에 형성된 상기 절연막 및 상기 금속 시드막을 제거하는 단계;(g) 상기 금속 시드막이 형성된 상기 홀 및 상기 테이퍼형 홀을 도전성 물질로 충진하는 단계;(h) 상기 절연층을 패터닝 및 에칭하여 확산층을 형성하는 단계; 및(i) 상기 도전성 물질로 충진된 테이퍼형 홀 상에 N형 전극을 형성하고, 상기 확산층 상에 P형 전극을 형성하는 단계를 포함하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법
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