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기판의 전면에 광흡수층, 그래이딩층, 전기장완충층 및 증폭층을 순차적으로 성장시켜 에피탁시 웨이퍼(Epitaxy wafer)를 형성하는 단계;상기 증폭층 상에 확산조절층을 형성하는 단계;상기 확산조절층 상에 확산조절층을 보호하는 보호층을 형성하는 단계;상기 보호층, 확산조절층 및 증폭층의 일부를 상기 보호층에서부터 상기 증폭층의 소정 깊이까지 에칭하여 에칭부를 형성하는 단계;상기 보호층의 일부를 패터닝하여 제1패터닝부를 형성하는 단계;상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산원료물질을 증착시키고, 상기 증착된 확산원료물질을 상기 증폭층으로 확산시켜 상기 증폭층에 곡률부를 갖는 접합영역과 가드링영역을 형성하는 단계;상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층 상에 상기 접합영역과 연결되는 제1전극을 형성하는 단계; 및상기 기판의 후면에 제2전극을 형성하는 단계를 포함하며,상기 확산조절층은 인듐인(InP), 인듐비소(InAs), 인듐갈륨인(InGaP), 인듐갈륨비소(InGaAs) 및 인듐갈륨비소인(InGaAsP)으로 이루어진 군에서 선택된 물질로 형성되어, 상기 확산원료물질의 확산시 형성되는 접합영역과 가드링영역의 확산 깊이를 조절하는 것이 특징인 아발란치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 확산조절층은 0
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제1항에 있어서,상기 보호층은 산화실리콘 또는 질화실리콘으로 형성되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 에칭부는 0
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제1항에 있어서,상기 접합영역의 깊이는 상기 에칭부의 깊이에 대응되는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 증폭층에 상기 접합영역과 상기 가드링영역을 형성하는 단계는,상기 에칭부 및 상기 제1패터닝부에 확산원료물질을 증착하는 단계;상기 증폭층 안으로 상기 확산원료물질이 확산될 수 있도록 유도하는 확산유도층을 상기 보호층 및 상기 확산원료물질 상에 형성한 후 열처리하는 단계; 및상기 확산원료물질을 안정화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 제1전극을 형성하는 단계는,상기 확산조절층 및 상기 보호층을 제거하고, 상기 증폭층, 가드링영역 및 접합영역 상에 절연층을 형성하는 단계;상기 절연층을 패터닝하여 제2패터닝부를 형성하는 단계; 및상기 제2패터닝부에 제1전극물질을 증착하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 아발란치 포토다이오드의 제조방법
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