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기판;상기 기판의 상부 일측에 형성되는 블랙 매트릭스;상기 블랙 매트릭스의 상부에 형성되는 적어도 하나의 박막 트랜지스터;상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면을 덮는 보호막;상기 보호막의 상부에 형성되는 평탄층;상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 형성되는 컬러 필터; 및상기 컬러 필터의 상부에 형성되는 유기 전계 발광 소자;를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속 및 플라스틱 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 블랙 매트릭스의 투과도는 0 ~ 50%인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 블랙 매트릭스와 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터 사이에 위치하는 평탄막;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서, 각각의 박막 트랜지스터는,소스 영역, 드레인 영역 및 채널 영역을 포함하는 반도체층;상기 반도체층의 상부에 형성되는 게이트 절연막; 및상기 게이트 절연막의 상부에 형성되는 게이트 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제5항에 있어서, 상기 보호막은,상기 소스 영역과 접하도록 형성되는 소스 전극; 및상기 드레인 영역과 접하도록 형성되는 드레인 전극;을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제6항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 투과도가 0 ~ 70%이고, 전도도를 갖는 금속 물질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 블랙 매트릭스는 유기물 또는 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 블랙 매트릭스의 두께는 100 ~ 10000Å인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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10
제1항에 있어서,상기 블랙 매트릭스는 단일 또는 복수의 층으로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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제1항에 있어서,상기 유기 전계 발광 소자는 백색 유기 전계 발광 소자인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치
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기판의 상부 일측에 블랙 매트릭스를 형성하는 단계;상기 블랙 매트릭스의 상부에 적어도 하나의 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터의 전면에 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막의 상부에 평탄층을 형성하는 단계;상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터가 형성된 반대 측 평탄층 상부에 컬러 필터를 형성하는 단계; 및상기 컬러 필터의 상부에 유기 전계 발광 소자를 형성하는 단계;를 포함하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 기판은 유리, 금속 및 플라스틱 중 어느 하나의 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 블랙 매트릭스의 투과도는 0 ~ 50%인 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계 이후에,상기 블랙 매트릭스와 상기 적어도 하나의 박막 트랜지스터 사이에 평탄막을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서,상기 블랙 매트릭스는 유기물 또는 무기물을 포함하는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계에서,상기 블랙 매트릭스는 100 ~ 10000Å의 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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제12항에 있어서, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 단계에서,상기 블랙 매트릭스는 단일 또는 복수의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액티브 매트릭스 유기 전계 발광 장치의 제조 방법
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