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기판;상기 기판의 일측에 형성되고, 제1 도전형인 제1 나노와이어;상기 제1 나노와이어에 대향되어 형성되고, 제2 도전형인 제2 나노와이어;상기 제1 나노와이어 및 상기 제2 나노와이어의 일단에 공통 연결되는 고온부;상기 제1 나노와이어 및 상기 제2 나노와이어의 타단에 연결되는 저온부;상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어 상부에 형성되는 절연층;상기 제1 나노와이어측 절연층 상부에 형성되어, 상기 제1 나노와이어의 전위를 조절하는 제1 금속층; 및상기 제2 나노와이어측 절연층 상부에 형성되어, 상기 제2 나노와이어의 전위를 조절하는 제2 금속층;을 포함하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 서로 일함수가 상이한 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 제1 금속층은 Er, Mg, Yb, Sm 및 Eu 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 제2 금속층은 Pt, Mn 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, HfxOy, TEOS 계열의 산화막 및 Si3N4, SiN을 포함하는 질화막 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 열전소자는,상기 기판과 상기 기판의 상부 구조물 사이에 삽입되어, 상기 상부 구조물에서 발생된 열이 상기 기판으로 전달되는 것을 감소시키는 단열층;을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자
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제1항에 있어서,상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층이 동일한 물질로 구성되는 경우, 상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층 각각에 서로 다른 전압이 인가되는 것을 특징으로 하는 열전소자
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기판 상부에 반도체층을 증착하고 패터닝하여 제1 나노와이어 패턴, 상기 제1 나노와이어 패턴, 고온부 및 저온부를 형성하는 구조물 형성 단계;상기 제1 나노와이어 패턴 및 상기 제2 나노와이어 패턴에 제1 도전형 물질 및 제2 도전형 물질을 각각 이온 주입하여 형성하는 나노와이어 형성 단계;상기 기판 전면에 절연 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 제1 나노와이어와 상기 제2 나노와이어 상부에 절연층을 형성하는 절연층 형성 단계;상기 기판 전면에 금속 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 제1 나노와이어측 절연층 상부에 제1 금속층을 형성하는 제1 금속층 형성 단계; 및상기 기판 전면에 금속 물질을 증착하고 패터닝하여 상기 제2 나노와이어측 절연층 상부에 제2 금속층을 형성하는 제2 금속층 형성 단계;를 포함하는 열전소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 기판과 상기 반도체층 사이에 열 전달을 감소시키기 위한 단열층을 형성하는 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 금속층과 상기 제2 금속층은 서로 일함수가 상이한 물질로 구성되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제1 금속층은 Er, Mg, Yb, Sm 및 Eu 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 제2 금속층은 Pt, Mn 및 Pd 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제8항에 있어서,상기 절연층은 Al2O3, HfxOy, TEOS 계열의 산화막 및 Si3N4, SiN을 포함하는 질화막 중 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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제8항에 있어서, 상기 제1 금속층 형성 단계 및 상기 제2 금속층 형성 단계에서,상기 제1 금속층 및 상기 제2 금속층은 각각 알로이(Alloy) 형태로 형성되는 것을 특징으로 하는 열전소자의 제조 방법
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