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의사 차동 병합 커패시터 스위칭 디지털-아날로그 변환기

  • 기술번호 : KST2014045209
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 디지털-아날로그 변환기에 대한 것으로, 이 장치는 양의 변환부, 음의 변환부, 그리고 상기 양의 변환부 및 상기 음의 변환부의 출력을 입력받아 기준 전압과 비교하여 출력 전압을 생성하는 비교기를 포함하며, 상기 양의 변환부 및 상기 음의 변환부는 상위비트의 각 비트에 대응하는 복수의 비트 커패시터를 포함하는 상위비트 변환부, 하위비트의 각 비트에 대응하는 복수의 비트 커패시터를 포함하는 하위비트 변환부, 그리고 상기 상위비트 변환부 및 상기 하위비트 변환부를 직렬 연결하는 커플링 커패시터를 포함하며, 상기 양의 변환부 및 음의 변환부는 각 비트의 변환 시 동일한 오프셋을 갖도록 바이어스 전압을 인가받는다. 따라서 작은 면적으로 큰 해상도를 얻을 수 있으며, 커패시터의 개수를 줄일 수 있어 단위 커패시터의 정전용량을 최대화 할 수 있기 때문에 열 노이즈 및 소자의 부정합을 최소화 할 수 있다. 의사 차동 디지털-아날로그 변환기, 병합 커패시터, 순차 접근 아날로그-디지털 변환기
Int. CL H03M 3/00 (2006.01) H03M 3/04 (2006.01) H03M 1/66 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090072660 (2009.08.07)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1201892-0000 (2012.11.09)
공개번호/일자 10-2011-0015113 (2011.02.15) 문서열기
공고번호/일자 (20121116) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.08.07)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조영균 대한민국 대전광역시 유성구
2 전영득 대한민국 대전광역시 중구
3 남재원 대한민국 대전광역시 유성구
4 권종기 대한민국 대전광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 신영무 대한민국 서울특별시 강남구 영동대로 ***(대치동) KT&G타워 *층(에스앤엘파트너스)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.08.07 수리 (Accepted) 1-1-2009-0482865-51
2 등록결정서
Decision to grant
2012.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0645085-18
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
양의 변환부, 음의 변환부, 그리고 상기 양의 변환부 및 상기 음의 변환부의 출력을 입력받아 기준 전압과 비교하여 출력 전압을 생성하는 비교기를 포함하며,상기 양의 변환부 및 상기 음의 변환부는 상위비트의 각 비트에 대응하는 복수의 비트 커패시터를 포함하는 상위비트 변환부, 하위비트의 각 비트에 대응하는 복수의 비트 커패시터를 포함하는 하위비트 변환부, 그리고상기 상위비트 변환부 및 상기 하위비트 변환부를 직렬 연결하는 커플링 커패시터를 포함하며,상기 양의 변환부 및 음의 변환부는 각 비트의 변환 시 동일한 오프셋을 갖도록 바이어스 전압을 인가받는디지털-아날로그 변환기
2 2
제1항에 있어서,상기 비트 커패시터는2개의 단위 커패시터를 병합하여 형성되는디지털-아날로그 변환기
3 3
제2항에 있어서,상기 바이어스 전압은 양의 기준전압, 음의 기준 전압 또는 공통모드 전압인디지털-아날로그 변환기
4 4
제3항에 있어서,상기 양의 변환부 및 상기 음의 변환부에 각 비트의 변환 시 동일한 오프셋을 갖도록 의사 차동 구동 시에 절대값의 크기가 서로 다른 전압이 인가되는 디지털-아날로그 변환기
5 5
제4항에 있어서,상기 상위 비트 변환부 및 상기 하위 비트 변환부는 각각 이진 가중 커패시터를 충족하는 디지털-아날로그 변환기
6 6
제5항에 있어서,상기 상위 비트 변환부는 샘플링 전압을 인가받아 샘플링되고, 상기 하위 비트 변환부는 샘플링 전압을 인가받지 않는디지털-아날로그 변환기
7 7
제6항에 있어서,상기 의사 차동 구동은 상기 상위 비트 변환부가 샘플링된 후 및 상위 비트 변환부 및 하위 비트 변환부의 마지막 비트에 대한 변환 시에 진행되는 디지털-아날로그 변환기
8 8
제7항에 있어서,상기 의사 차동 구동 시인가되는 상기 바이어스 전압은 변환된 이전 비트의 값에 따라 결정되는디지털-아날로그 변환기
9 9
제1항에 있어서,상기 커플링 커패시터는 상기 상위 비트 변환부에서 바라볼 때 단위 커패시턴스를 갖도록 하는 커패시턴스를 가지는디지털-아날로그 변환기
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1 지식경제부 및 정보통신연구진흥원 한국전자통신연구원 IT성장동력기술개발 45nm급 혼성 SoC용 아날로그 회로