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기판;상기 기판 위에 배치되는 제1전극;상기 제1전극 위에 배치되어 전류량에 따라 투과도가 변화되는 투과도 가변 물질; 및상기 투과도 가변 물질 위에 배치되는 제2전극을 포함하는 전자차양소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 제2전극은 ITO, IZO, ZnO:Al, ZnO:Ga, ZnO, IrO2, RuO2 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투과도 가변 물질은 VO2, V2O5, V2O3, TiO2, TiOx(x는 1~2인 실수), AlTiO, Ta2O5, VTiO 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투과도 가변 물질은 1개 이상의 층으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투과도 가변 물질의 일부를 차지하도록 형성되어 태양광으로 전류를 생성하는 광흡수층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 5 항에 있어서, 상기 광흡수층은 a-Si, a-SiGe, μc-Si, μc-SiGe, CIGS, CdTe 중 어느 하나로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 5 항에 있어서, 상기 광흡수층은 상기 투과도 가변 물질 위에 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 1 항에 있어서, 상기 제1전극과 상기 투과도 가변 물질은 기상증착법(evaporation), 스퍼터링법, 졸겔법, 화학기상증착법(CVD), 원자층증착법(ALD), 펄스레이저법(PLD) 중 어느 하나의 방식으로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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9
제 1 항에 있어서, 상기 기판은 투명한 물질로 형성되는 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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제 1 항에 있어서, 상기 투과도 가변 물질은 두께가 10㎚ 내지 10㎛인 것을 특징으로 하는 전자차양소자
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