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I파 흡수 장치

  • 기술번호 : KST2014045297
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 전자파 흡수 장치가 개시된다. 본 발명은 한 쪽 방향이 금속 도체층으로 형성된 접지층과, 접지층 상에 형성된 유전체층, 그리고 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 단위셀 패턴을 포함하는 둘 이상의 단위셀이 주기적으로 배열되어 있는 주기 구조로 이뤄진 전자파 흡수 장치에 관한 것으로 각 층을 투명한 재질로 구성함으로써 유리창과 같이 투명성을 갖는 전자파 흡수 장치를 제안한다. 본 발명에 따르면, 사용자가 원하는 지점과 시점에 원하는 주파수 대역의 전자파들만을 선택적으로 흡수 또는 통과하게 함은 물론 빛에 대해 투명성을 보장함으로써 건물 내 외부에 매우 실용적으로 활용할 수 있는 전자파 흡수 장치를 제공한다.
Int. CL H05K 9/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100133780 (2010.12.23)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1311212-0000 (2013.09.16)
공개번호/일자 10-2012-0072018 (2012.07.03) 문서열기
공고번호/일자 (20130925) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.12.23)
심사청구항수 17

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심동욱 대한민국 충청북도 청주시 흥덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 제일특허법인(유) 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)
2 김원준 대한민국 서울특별시 서초구 마방로 ** (양재동, 동원F&B빌딩)(제일특허법인(유))

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2010-0853617-61
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.11.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.12.15 수리 (Accepted) 9-1-2011-0097537-72
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2012.01.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0009418-89
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0178248-96
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0178246-05
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0502666-71
8 [법정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Extension of Legal Period] Request for Extension of Period (Reduction, Expiry Reconsideration)		 2012.09.28 수리 (Accepted) 7-1-2012-0045704-14
9 [명세서등 보정]보정서(재심사)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2012.10.29 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2012-0882678-84
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2012.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2012-0882676-93
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2012.11.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0728484-02
12 심사관의견요청서
Request for Opinion of Examiner		 2013.02.14 수리 (Accepted) 7-8-2013-0004669-51
13 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0639720-52
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
삭제
2 2
일 면이 금속 도체층으로 형성된 투명 전극 소재의 접지층과,상기 접지층 상에 형성된 투명 유리 재질의 유전체층과,상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 적어도 둘 이상의 단위셀이 주기적으로 배열되어 있는 투명 전극 소재의 단위셀 패턴을 포함하고,상기 투명 전극은, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 카본나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)를 포함하는전자파 흡수 장치
3 3
금속 도체층으로 형성된 투명 전극 소재의 접지층과,상기 접지층 상에 형성된 투명 유리 재질의 유전체층과,상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 투명 전극 소재의 단위셀 패턴을 포함하고,상기 단위셀 패턴은,정사각형에서 각 변의 중앙이 직사각형 모양으로 패인 형태를 갖는 중앙 단위셀 패턴과,상기 중앙 단위셀 패턴의 상기 각 변의 중앙에 일정 간격을 두고 상기 중앙 단위셀 패턴과 맞물려 배치되는 가장자리 단위셀 패턴을 포함하고,상기 투명 전극은, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 카본나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)를 포함하는전자파 흡수 장치
4 4
제 3 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는,상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 전기적 길이를 결정하는 파라미터 또는 상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 간격 또는 상기 접지층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이 또는 상기 유전체층의 재료 특성 또는 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값을 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 흡수 장치
5 5
금속 도체층으로 형성된 투명 전극 소재의 접지층과,상기 접지층 상에 형성된 투명 유리 재질의 유전체층과,상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 투명 전극 소재의 단위셀 패턴을 포함하고,상기 단위셀 패턴은,정사각형에서 각 변의 중앙이 직사각형 모양으로 패인 형태를 갖는 중앙 단위셀 패턴과,상기 중앙 단위셀 패턴의 상기 각 변의 중앙에 일정 간격을 두고 상기 중앙 단위셀 패턴과 맞물려 배치되는 가장자리 단위셀 패턴을 포함하되,상기 중앙 단위셀 패턴은, 가운데에 형성된 슬롯을 갖고,상기 투명 전극은, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 카본나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)를 포함하는전자파 흡수 장치
6 6
제 5 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는,상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 전기적 길이를 결정하는 파라미터 또는 상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 간격 또는 상기 접지층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이 또는 상기 유전체층의 재료 특성 또는 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값 또는 상기 슬롯의 크기를 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 흡수 장치
7 7
금속 도체층으로 형성된 투명 전극 소재의 접지층과,상기 접지층 상에 형성된 투명 유리 재질의 유전체층과,상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 투명 전극 소재의 단위셀 패턴을 포함하고,상기 단위셀 패턴은,정사각형에서 각 변의 중앙이 직사각형 모양으로 패인 형태를 갖는 중앙 단위셀 패턴과,상기 중앙 단위셀 패턴의 상기 각 변의 중앙에 일정 간격을 두고 상기 중앙 단위셀 패턴과 맞물려 배치되는 가장자리 단위셀 패턴을 포함하되,상기 중앙 단위셀 패턴은, 가운데에 형성된 제1 슬롯과, 상기 제1 슬롯의 각 모서리에 길이가 일정한 정사각형 구조를 갖는 제2 슬롯이 형성되고,상기 투명 전극은, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 카본나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)를 포함하는전자파 흡수 장치
8 8
제 7 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는,상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 전기적 길이를 결정하는 파라미터 또는 상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 간격 또는 상기 접지층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이 또는 상기 유전체층의 재료 특성 또는 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값 또는 상기 제1 슬롯의 크기 또는 상기 제2 슬롯의 한 변의 길이를 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 흡수 장치
9 9
금속 도체층으로 형성된 투명 전극 소재의 접지층과,상기 접지층 상에 형성된 투명 유리 재질의 유전체층과,상기 유전체층 상에 형성된 저항성 재질로 이루어진 투명 전극 소재의 단위셀 패턴을 포함하고,상기 단위셀 패턴은,정사각형에서 각 변의 중앙이 직사각형 모양으로 패인 형태를 갖는 중앙 단위셀 패턴과,상기 중앙 단위셀 패턴의 상기 각 변의 중앙에 일정 간격을 두고 상기 중앙 단위셀 패턴과 맞물려 배치되는 가장자리 단위셀 패턴을 포함하되,상기 중앙 단위셀 패턴은, 중앙의 제1 슬롯과, 상기 제1 슬롯의 각 모서리에 길이가 일정한 정사각형 구조를 갖는 제2 슬롯이 형성되며,상기 가장자리 단위셀 패턴은, 상기 가장자리 단위셀 패턴과 동일한 형상의 제3 슬롯이 상기 가장자리 단위셀 패턴의 중앙과 상기 단위셀 패턴의 가장자리에 형성되고,상기 투명 전극은, 산화인듐주석(Indium Tin Oxide, ITO) 또는 카본나노튜브(Carbon Nano Tube, CNT)를 포함하는전자파 흡수 장치
10 10
제 9 항에 있어서,상기 제 3슬롯은, 반 직교 다이폴 형태를 갖는전자파 흡수 장치
11 11
제 9 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는,상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 전기적 길이를 결정하는 파라미터 또는 상기 중앙 단위셀 패턴과 상기 가장자리 단위셀 패턴의 간격 또는 상기 접지층으로부터 상기 단위셀 패턴까지의 높이 또는 상기 유전체층의 재료 특성 또는 상기 단위셀 패턴의 표면 저항 값 또는 상기 제1 슬롯의 크기 또는 상기 제2 슬롯의 한 변의 길이 및 상기 제3 슬롯의 크기를 조절하여 공진 주파수 및 대역폭을 조절하는전자파 흡수 장치
12 12
제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 가장자리 단위셀 패턴은, 반 직교 다이폴 패치 형태를 갖는전자파 흡수 장치
13 13
제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 가장자리 단위셀 패턴과 상기 중앙 단위셀 패턴이 각각 다른 표면 저항 값을 가지는 것을 특징으로 하는전자파 흡수 장치
14 14
제 2 항 또는 제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 단위셀 패턴은, 주기적으로 배열된 서로 인접한 단위셀에 포함되며, 서로 다른 표면 저항 값을 가지는 것을 특징으로 하는전자파 흡수 장치
15 15
제 2 항 또는 제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 단위셀 패턴은, 주기적 패턴으로 배열시 단위셀 구조 및 단위셀 표면 저항 값 중 적어도 하나를 서로 다르게 교대로 배치하는 것을 특징으로 하는전자파 흡수 장치
16 16
제 4 항 또는 제 6 항 또는 제 8 항 또는 제 11 항에 있어서,상기 파라미터는, 상기 단위셀 패턴의 한 변의 길이 및 상기 가장자리 단위셀 패턴이 상기 단위셀 패턴에 맞닿아 있는 변의 길이 및 상기 가장자리 단위셀 패턴에서 상기 중앙 단위셀 패턴과 맞물려 있는 부분 중 상기 중앙 단위셀 패턴과 평행한 방향인 변의 길이 및 상기 중앙 단위셀 패턴의 정사각형의 한 변의 길이 및 상기 단위셀 패턴의 두께 및 상기 가장자리 단위셀 패턴에서 상기 단위셀 패턴의 한 변으로부터 수직한 높이인 것을 특징으로 하는전자파 흡수 장치
17 17
삭제
18 18
제 2 항 또는 제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치의 반사율은, 의 수학식에 의해 구현되며,상기 R은 상기 반사율, 상기 rDUT는 상기 전자파 흡수 장치의 반사계수, rG는 상기 접지층의 표면의 반사계수인 것을 특징으로 하는전자파 흡수 장치
19 19
제 2 항 또는 제 3 항 또는 제 5 항 또는 제 7 항 또는 제 9 항에 있어서,상기 전자파 흡수 장치는,상기 유전체층을 중심으로 그 양면에 상기 접지층과 상기 단위셀 패턴을 부착 가능한 구조인전자파 흡수 장치
지정국 정보가 없습니다
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1 US08890101 US 미국 FAMILY
2 US20130277579 US 미국 FAMILY
3 WO2012086943 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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3 WO2012086943 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 방송통신위원회 한국전자통신연구원 정보통신산업원천기술개발사업 전자파 기반 진단 및 방호 기술 연구