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기판상에 고분자 나노 패턴을 형성하는 단계;상기 기판 상에서 상기 고분자 패턴 사이에 단분자 모노 레이어를 형성하는 단계;상기 기판 상에서 상기 단분자 모노 레이어 사이에 시드 레이어 패턴을 형성하는 단계; 및상기 시드 레이어 상에 ZnO를 성장시켜서 ZnO 템플릿을 생성하는 단계를 포함하되,상기 기판은 GaAS 기판, 실리콘 기판, ITO, 투명 유리, 플렉서블 폴리머 기판 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 나노 패턴은 나노 임프린트 방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 나노 패턴 형성 단계는 석영판에 요부를 포함하는 패턴을 형성하여 스탬프를 제조하는 단계;상기 기판상에 고분자를 코팅한 후 수지를 디스펜싱하는 단계; 및상기 스탬프를 상기 기판에 압착하여 상기 수지를 패턴화하고, 상기 수지의 패턴에 상응하여 상기 고분자를 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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제 3 항에 있어서, 상기 고분자는 PMMA인 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 고분자 나노 패턴은 전자빔 리소그래피 방식을 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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삭제
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제1항에 있어서, 상기 ZnO 템플릿 생성 단계는 상기 시드 레이어 상의 ZnO를 전구체 용액에서 성장시키는 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 ZnO 템플릿 생성 단계는 상기 시드 레이어를 어닐링하여 ZnO 결정을 형성하는 단계; 및 상기 기판을 산소 플라즈마 처리하여 상기 시드 레이어가 없는 부분의 ZnO 성장을 억제시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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제1항에 있어서, 상기 ZnO 템플릿의 상기 ZnO 표면에 TiO2 를 형성한 후 상기 ZnO를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 ZnO 템플릿을 이용한 TiO2 어레이 형성 방법
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