| 1 |
1
유전성 기판의 일면에 전송 선로가 형성되고 타면에 접지면이 형성된 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기에 있어서,일단이 각각 상기 전송 선로와 연결되고, 상호 평행하도록 상기 전송 선로로부터 수직 방향으로 형성된 한 쌍의 마이크로스트립 라인, 일단이 상기 각각의 마이크로스트립의 라인으로부터 각각 연장 형성되며, 타단은 비아홀을 통하여 상기 접지면과 연결된 한 쌍의 단락 스터브 및 상기 마이크로스트립 라인과 상기 단락 스터브의 접점에 각각 그 중심이 위치하도록 형성된 부채꼴 형상의 한 쌍의 라디얼 스터브를 포함하는 저지 대역이 있는 고역 통과 여파기; 및상기 기판의 타면에서 상기 한 쌍의 마이크로스트립 라인 사이의 공간에 대응하는 상기 접지면을 식각하여 형성된 결함 접지 구조 및 상기 전송 선로로부터 상기 전송 선로와 수직으로 형성된 한 쌍의 개방 스터브를 포함하는 저역 통과 여파기;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서,상기 고역 통과 여파기는,상기 전송 선로에 일단이 연결된 제1인덕터; 및제2 인덕터 및 커패시터가 병렬 연결된 LC 뱅크로서 상기 접지면 및 상기 제1인덕터의 타단 사이에 연결된 LC 공진기;로서 모델링되는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서,상기 제1인덕터의 크기는 상기 마이크로스트립 라인의 너비 및 길이에 의해 결정되고,상기 제2인덕터의 크기는 상기 단락 스터브의 너비 및 길이에 의해 결정되며,상기 커패시터의 크기는 상기 라디얼 스터브의 반지름 및 중심각의 크기에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 4 |
4
제 1항 내지 제 3항 중 어느 한 항에 있어서,상기 결함 접지 구조는,상기 기판의 타면에서 상기 전송 선로와 수직인 방향으로 상기 전송 선로에 대하여 대칭이 되도록 상기 접지면을 식각하여 형성된 복수의 연장부; 및상기 각각의 연장부의 양단에 원형으로 형성된 복수의 원형부;를 포함하는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 5 |
5
제 4항에 있어서, 상기 저역 통과 여파기의 차단 주파수는 상기 복수의 원형부의 반지름을 조절하여 결정되는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서,상기 저역 통과 여파기는 상기 기판의 일면에서 상기 복수의 연장부 중에서 인접한 연장부의 사이에 각각 형성되며, 상기 전송 선로와 수직인 방향으로 연장 형성된 복수의 개방 스터프를 포함하는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 7 |
7
제 6항에 있어서,상기 저역 통과 여파기의 저역 통과 특성은 상기 복수의 개방 스터브의 너비 및 길이에 의해 결정되는 것을 특징으로 하는 저지 대역을 가지는 초광대역 대역 통과 여파기
|
| 8 |
8
삭제
|
