맞춤기술찾기

이전대상기술

FBAR 듀플렉서 모듈 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2014045789
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 송, 수신되는 신호를 필터링하는 2개의 FBAR 필터 및 튜닝용 인덕터와 위상 변환기를 포함하는 FBAR 듀플렉서 모듈을 소형화하는 제조 방법이다.본 발명에 의하면, 다층 PCB 기판 내부에 튜닝용 인덕터를 형성하는 단계, 다층 PCB 기판 내부에 위상 변환기를 형성하는 단계, 다층 PCB 기판 내부에 송신용 FBAR 필터 및 수신용 FBAR 필터 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하는 FBAR 듀플렉서 모듈 소형화 방법이 제공된다.
Int. CL H01P 1/213 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020100129018 (2010.12.16)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-1522994-0000 (2015.05.19)
공개번호/일자 10-2012-0067554 (2012.06.26) 문서열기
공고번호/일자 (20150526) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.06.14)
심사청구항수 9

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 배현철 대한민국 대전광역시 유성구
2 문종태 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2010.12.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0830150-68
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2011-0449419-41
3 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.01.22 수리 (Accepted) 1-1-2013-0063343-07
4 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.28 수리 (Accepted) 1-1-2013-0784803-64
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2014.06.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0415589-14
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.08.14 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0770885-59
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.08.14 수리 (Accepted) 1-1-2014-0770886-05
8 [대리인사임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Resignation of Agent] Report on Agent (Representative)
2014.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2014-1110948-69
9 최후의견제출통지서
Notification of reason for final refusal
2014.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0838026-86
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2015.01.20 수리 (Accepted) 1-1-2015-0059727-55
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2015.01.20 보정승인 (Acceptance of amendment) 1-1-2015-0059726-10
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
13 등록결정서
Decision to grant
2015.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2015-0317719-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
다층 PCB 기판 상부에 존재하는 송신용 FBAR 필터;상기 다층 PCB 기판 내에 내장된 수신용 FBAR 필터; 상기 다층 PCB 기판 내에 형성되는 위상 변환기; 및일정값 이상의 Q값을 얻기 위하여 접지면과의 거리를 유지하도록 상기 다층 PCB 기판의 상부면에 형성되는 튜닝용 인덕터를 포함하는 FBAR 듀플렉서 모듈
2 2
다층 PCB 기판 상부에 존재하는 수신용 FBAR 필터;상기 다층 PCB 기판 내에 내장된 송신용 FBAR 필터; 상기 다층 PCB 기판 내에 형성되는 위상 변환기; 및일정값 이상의 Q값을 얻기 위하여 접지면과의 거리를 유지하도록 상기 다층 PCB 기판의 상부면에 형성되는 튜닝용 인덕터를 포함하는 FBAR 듀플렉서 모듈
3 3
다층 PCB 기판 상부에 존재하는 반도체 칩;상기 다층 PCB 기판 내에 내장된 송신용 FBAR 필터 및 수신용 FBAR 필터; 상기 다층 PCB 기판 내에 형성되는 위상 변환기; 및 일정값 이상의 Q값을 얻기 위하여 접지면과의 거리를 유지하도록 상기 다층 PCB 기판의 상부면에 형성되는 튜닝용 인덕터를 포함하는 FBAR 듀플렉서 모듈
4 4
제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 튜닝용 인덕터 및 위상 변환기는 1층의 금속선 또는 비아를 통하여 연결한 다층의 금속선 구조를 갖는 것인 FBAR 듀플렉서 모듈
5 5
일정값 이상의 Q값을 얻기 위하여 접지면과의 거리를 유지하도록 다층 PCB 기판의 상부면에 튜닝용 인덕터를 형성하는 단계;상기 다층 PCB 기판 내부에 위상 변환기를 형성하는 단계; 및상기 다층 PCB 기판 내부에 송신용 FBAR 필터 및 수신용 FBAR 필터 중 적어도 하나를 형성하는 단계를 포함하는 FBAR 듀플렉서 모듈 제조 방법
6 6
제5항에 있어서, 상기 튜닝용 인덕터 및 위상 변환기는 1층의 금속선 또는 비아를 통하여 연결한 다층의 금속선 구조를 갖는 것인 FBAR 듀플렉서 모듈 제조 방법
7 7
제5항에 있어서, 상기 다층 PCB 기판 내부에 송신용 FBAR 필터가 형성되는 경우 상기 수신용 FBAR 필터는 상기 다층 PCB 기판 상에 형성되며, 상기 다층 PCB 기판 내부에 수신용 FBAR 필터가 형성되는 경우 상기 송신용 FBAR 필터는 상기 다층 PCB 기판 상에 형성되는 것인 FBAR 듀플렉서 모듈 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 다층 PCB 기판 상에 위치하는 송신용 FBAR 필터 또는 수신용 FBAR 필터는 와이어 본딩 공정 또는 플립칩 본딩 공정을 통하여 상기 튜닝용 인덕터 및 상기 위상 변환기와 연결되는 것인 FBAR 듀플렉서 모듈 제조 방법
9 9
제5항에 있어서, 상기 다층 PCB 기판 내부에 송신용 FBAR 필터 및 수신용 FBAR 필터 중 적어도 하나를 형성하는 단계는,상기 다층 PCB 기판 내부에 적어도 하나의 캐비티를 형성하는 단계; 및상기 적어도 하나의 캐비티에 상기 송신용 FBAR 필터 및 수신용 FBAR 필터 중 적어도 하나를 내장하는 단계를 포함하는 것인 FBAR 듀플렉서 모듈 제조 방법
10 10
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US20120154072 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2012154072 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.