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챔버;상기 챔버의 외부에 배치되고 활성화된 암모니아 및 활성화된 불화 수소를 상기 챔버 내부의 기판 상의 실리콘 산화막에 제공하는 간접 플라즈마 소스; 및식각 가스를 이온화시켜 상기 챔버 내부에 배치된 기판 상에 상기 실리콘 산화막에 이온 에너지를 제공하는 직접 플라즈마 소스를 포함하고,상기 직접 플라즈마 소스는:상기 기판이 배치되는 평면으로부터 수직하게 이격된 제1 방향과 상기 제1 방향에 수직한 제2 방향으로 정의되는 제1 평면에서 상기 제1 방향으로 나란히 연장되는 복수의 접지 전극들; 및상기 접지 전극들 사이에 배치되고 상기 제1 방향으로 나란히 연장되고 RF 전원으로 전력을 공급받아 이웃한 접지 전극 사이에 플라즈마를 생성하는 전원 전극들을 포함하고,상기 활성화된 암모니아 및 활성화된 불화 수소는 상기 전원 전극과 상기 접지 전극 사이의 공간을 통하여 상기 기판 상에 제공되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 1 항에 있어서,동축 케이블 구조를 가지고 상기 전원 전극들에 전력을 분배하는 전력 분배부; 및상기 전력 분배부에 전력을 공급하는 RF 전원을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 2 항에 있어서,상기 전력 분배부는:이웃한 서로 다른 층들을 연결하는 층간 배선들 및 동일한 층에 배치된 층간 배선을 연결하는 연결 배선들을 포함하고,상기 층간 배선의 층수는 상기 전원 전극들의 개수(N)이고, 상기 연결 배선의 층수는 N-1 개이고,연결 배선은 바로 아래 층의 층간 배선들을 모두 연결하고, 층간 배선은 상기 층간 배선의 바로 아래의 층간 배선의 개수보다 하나 작은 수로 바로 아래의 연결 배선을 균등 분할한 위치에 배치되고,상기 층간 배선의 층수는 3 층 이상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제 2 항에 있어서,상기 전력 분배부는 동일한 사각형을 밀집하여 계단형으로 적층한 탑 형태인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제1 항에 있어서,상기 접지 전극들은:중심축 방향으로 연장되는 홀; 및상기 홀에 상기 제1 평면 내에서 상기 제2 방향으로 연장되어 상기 홀에 공급되는 가스를 토출하는 노즐들을 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제1 항에 있어서,상기 접지 전극의 연장되는 방향을 수직하게 자른 단면은 원 형상이고,상기 전원 전극의 연장되는 방향을 수직하게 자른 단면은 원 형상인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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제1 항에 있어서, 상기 전원 전극의 일단은 상기 전력 분배부에 연결되고,상기 전원 전극의 타단은 세라믹 재질의 절연체에 결합하여 상기 챔버의 측벽에 고정되는 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치
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챔버 외부에 배치된 간접 플라즈마 소스가 제공하는 활성화된 암모니아 및 활성화된 불화 수소를 챔버 내부에 배치된 기판 상에 형성된 실리콘 산화막에 제공하여 (NH4)2SiF6를 생성하는 단계;상기 챔버를 불활성 가스로 퍼지시키는 단계;불활성 가스, 수소(H2),산소(O2), 및 염소(Cl2) 중에서 적어도 하나를 포함하는 식각 가스를 상기 챔버에 제공하는 하는 단계; 및상기 식각 가스가 제공된 상태에서 상기 챔버 내부를 나란히 가로지르도록 배치된 접지 전극들 사이에 배치된 전원 전극들에 전력을 공급하여 상기 접지 전극과 상기 전원 전극 사이에 생성된 플라즈마를 상기 기판에 노출시키어 상기 (NH4)2SiF6을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법
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