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하면에 전도성층을 구비하는 제1 플레이트, 그리고상면에 전극패턴을 구비하고 상기 전극패턴이 상기 전도성층으로부터 하향으로 이격되도록 배치되는 제2 플레이트를 포함하며,상기 전극패턴은 상기 전도성층과 맞닿기 전에는 전류의 흐름이 방지되도록 패터닝 되어 있고,상기 제1 및 제2 플레이트는 플렉서블한 재질로 이루어지고,상기 제1 플레이트는 하향으로 돌출되어 상기 제2 플레이트와 맞닿는 이격부재를 더 포함하고,상기 전도성층은 카본나노튜브(CNT)가 혼합된 폴리디메틸실록산(PDMS)으로 이루어지는 층이고, 그리고상기 이격부재는 상기 전도성층과 일체적으로 구비되는 압력 측정 장치
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제1항에서,상기 전극패턴은 상기 제1 플레이트나 상기 제2 플레이트에 작용하는 압력에 의해 상기 제1 플레이트나 상기 제2 플레이트가 휘어지면서 상기 전도성층과 맞닿게 되는 면적의 크기에 따라 흐르는 상기 전류의 세기와 형성되는 저항의 크기가 변하는 압력 측정 장치
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제1항에서,상기 제1 및 제2 플레이트는 폴리디메틸실록산(PDMS) 재질인 압력 측정 장치
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제1항에서,상기 전극패턴은 단자부를 포함하고,상기 이격부재는 상기 단자부만 외부에 노출되도록 상기 전극패턴을 감싸는 압력 측정 장치
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제1항에서,상기 전극패턴은 자기조립단층(SAM) 처리에 의해 형성되는 압력 측정 장치 제조 장치
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하면에 전도성층을 구비하는 제1 플레이트를 제조하는 단계,상면에 전극패턴을 구비하는 제2 플레이트를 제조하는 단계, 그리고상기 전극패턴이 상기 전도성층으로부터 하향으로 이격되도록 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트를 결합하는 단계를 포함하며,상기 전극패턴은 상기 전도성층과 맞닿기 전에는 전류의 흐름이 방지되도록 패터닝 되고,상기 제1 및 제2 플레이트는 플렉서블한 재질로 이루어지고,상기 제1 플레이트를 제조하는 단계는상기 제1 플레이트로부터 하향으로 돌출되는 이격부재가 구비되도록 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer)의 상면을 상기 이격부재의 형상에 따라 습식 식각(wet etching)하는 단계,습식 식각된 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 폴리머 재질의 재료를 몰딩(molding)하여 상기 제1 플레이트를 형성하는 단계,상기 제1 플레이트를 상기 실리콘 웨이퍼로부터 분리한 후 상기 실리콘 웨이퍼의 습식 식각하지 않은 상면에 전도성층을 형성하는 단계,분리한 상기 제1 플레이트를 상기 전도성층이 형성되어 있는 상기 실리콘 웨이퍼에 다시 결합하여 상기 전도성층을 상기 제1 플레이트의 하면에 부착하는 단계, 그리고상기 전도성층이 부착된 상기 제1 플레이트를 상기 실리콘 웨이퍼로부터 분리하는 단계를 포함하는 압력 측정 장치 제조 방법
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제11항에서,상기 전도성층을 형성하는 단계에서, 상기 전도성층의 상면은 산소 플라즈마(oxygen plasma)로 처리되고, 그리고상기 제1 플레이트를 상기 실리콘 웨이퍼로부터 분리하는 단계에서, 상기 이격부재의 하면은 산소 플라즈마로 처리되는 압력 측정 장치 제조 방법
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제11항에서,상기 폴리머 재질은 폴리디메틸실록산(PDMS) 재질인 압력 측정 장치 제조 방법
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제11항에서,상기 제2 플레이트를 제조하는 단계는기판에 상기 전극패턴을 형성하는 단계,상기 전극패턴의 상면에 폴리머 재질의 상기 제2 플레이트를 부착하는 단계, 그리고상기 전극패턴이 부착된 상기 제2 플레이트를 상기 기판으로부터 분리하는 단계를 포함하는 압력 측정 장치 제조 방법
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제15항에서,상기 전극패턴은 자기조립단층(SAM) 처리에 의해 형성되는 압력 측정 장치 제조 방법
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제15항에서,상기 폴리머 재질은 폴리디메틸실록산(PDMS) 재질인 압력 측정 장치 제조 방법
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하면에 전도성층을 구비하는 제1 플레이트를 제조하는 단계,상면에 전극패턴을 구비하는 제2 플레이트를 제조하는 단계, 그리고상기 전극패턴이 상기 전도성층으로부터 하향으로 이격되도록 상기 제1 플레이트와 상기 제2 플레이트를 결합하는 단계를 포함하며,상기 전극패턴은 상기 전도성층과 맞닿기 전에는 전류의 흐름이 방지되도록 패터닝 되고,상기 제1 및 제2 플레이트는 플렉서블한 재질로 이루어지고, 상기 제1 플레이트를 제조하는 단계는상기 제1 플레이트로부터 하향으로 돌출되는 이격부재가 구비되도록 실리콘 웨이퍼(Silicon wafer)의 상면을 상기 이격부재의 형상에 따라 습식 식각(wet etching)하는 단계,습식 식각된 상기 실리콘 웨이퍼의 상면에 카본나노튜브(CNT)가 혼합된 폴리디메틸실록산(PDMS) 재질을 일체적으로 몰딩(molding)하여 상기 습식 식각한 부분에는 상기 이격부재를 형성하고 상기 실리콘 웨이퍼의 습식 식각하지 않은 상면에는 전도성층을 형성하는 단계,일체적으로 형성된 상기 이격부재와 상기 전도성층의 상면에 폴리디메틸실록산(PDMS) 재질의 재료를 몰딩하여 상기 제1 플레이트를 형성하는 단계, 그리고상기 이격부재와 상기 전도성층이 부착된 상기 제1 플레이트를 상기 실리콘 웨이퍼로부터 분리하는 단계를 포함하는 압력 측정 장치 제조 방법
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