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소정의 평탄면을 갖는 기판;상기 기판 상에서 제 1 방향으로 형성된 비트라인;상기 비트라인을 중심에 두고 양측으로 일정거리 이격되며 제 1 방향으로 형성된 좌, 우측 주요 워드라인;상기 좌, 우측 주요 워드라인 각각의 상, 하부에 형성된 상, 하부 절연막;상기 비트라인 및 상기 상부 절연막과 위로 수직 이격되며 제 2 방향으로 형성된 상부 보조 워드라인; 상기 비트라인 및 상기 하부 절연막과 아래로 수직 이격되며 제 2 방향으로 형성된 하부 보조 워드라인; 상기 비트라인 상부 양측으로 각 일단이 연결되고 타단은 상기 상부 보조 워드라인과 상기 상부 절연막 사이에서 제 2 방향으로 부양되도록 형성된 좌, 우측 상부 캔틸레버 전극; 및상기 비트라인 하부 양측으로 각 일단이 연결되고 타단은 상기 하부 보조 워드라인과 상기 하부 절연막 사이에서 제 2 방향으로 부양되도록 형성된 좌, 우측 하부 캔틸레버 전극을 포함하여 구성되되,상기 좌, 우측 상부 캔틸레버 전극은 상기 비트라인의 상부에서 제 1 방향으로 이동(shift)되어 서로 반대방향으로 비대칭적으로 부양되도록 연결되고,상기 좌, 우측 하부 캔틸레버 전극은 상기 비트라인의 하부에서 제 1 방향으로 이동(shift)되어 서로 반대방향으로 비대칭적으로 부양되도록 연결되고,상기 상부 보조 워드라인은 상기 좌, 우측 상부 캔틸레버 전극을 따라가며 제 1 방향으로 굽이치도록 형성되고,상기 하부 보조 워드라인은 상기 좌, 우측 하부 캔틸레버 전극을 따라가며 제 1 방향으로 굽이치도록 형성된 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 좌, 우측 상부 캔틸레버 전극은 상기 좌, 우측 하부 캔틸레버 전극과 같은 방향으로 나란하게 이동(shift)되고,상기 상부 보조 워드라인은 상기 하부 보조 워드라인과 같은 방향으로 나란하게 굽이치도록 형성된 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항에 있어서,상기 좌, 우측 상부 캔틸레버 전극은 상기 좌, 우측 하부 캔틸레버 전극과 반대 방향으로 엇갈리게 이동(shift)되고,상기 상부 보조 워드라인은 상기 하부 보조 워드라인과 반대 방향으로 엇갈리게 굽이치도록 형성된 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 하나에 있어서,상기 좌, 우측 상부 캔틸레버 전극과 상기 좌, 우측 하부 캔틸레버 전극은 각각 반대편에 형성된 캔틸레버 전극 폭의 1/3 내지 2/3 만큼 이동(shift)된 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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제 4 항에 있어서,상기 상, 하부 절연막은 각각 전하가 저장되어 있지 않아 휘발성 메모리 특성을 갖는 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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제 4 항에 있어서,상기 상, 하부 절연막은 각각 전하트랩층을 포함하는 2개 이상의 유전층으로 구성된 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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7
제 6 항에 있어서,상기 전하트랩층은 질화막 또는 고유전율막인 것을 특징으로 하는 비대칭 H형 전기기계 메모리 소자
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