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나노입자를 기둥형태로 조직화시키기 위한 배열장치 및 그 배열방법

  • 기술번호 : KST2014046494
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 다수의 나노입자를 나노홈 어레이가 새겨진 기판의 각 나노홈에 동시에 넣어 나노입자들을 기둥형태로 배열하는 나노입자의 배열장치 및 그 배열방법에 관한 것이다. 본 발명의 나노입자의 배열장치는, 나노입자들이 부착될 상부 기판을 포함하는 나노입자 수송판; 상기 상부 기판과 마주하여 대응되고 상기 상부 기판에 부착된 나노입자들이 분리되어 위치될 하부 기판을 포함하는 나노입자 수용판; 상기 하부 기판상에 형성되고 상기 나노입자들이 소정의 위치에 배열되도록 유도하는 다수의 나노홈; 및 상기 상부 기판 및 하부 기판 사이의 거리와, 상기 나노입자들 및 상기 나노홈의 위치를 측정하는 센서를 포함한다.나노입자, 배열
Int. CL B82B 3/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020090117179 (2009.11.30)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1161060-0000 (2012.06.22)
공개번호/일자 10-2011-0060565 (2011.06.08) 문서열기
공고번호/일자 (20120629) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.30)
심사청구항수 24

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 윤경병 대한민국 서울특별시 종로구
2 손필국 대한민국 부산광역시 금정구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인천문 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2009.11.30 수리 (Accepted) 1-1-2009-0738744-17
2 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2010.06.16 수리 (Accepted) 1-1-2010-0386304-54
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2011.04.06 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2011.05.17 수리 (Accepted) 9-1-2011-0042084-13
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.07.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0402621-70
6 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.09.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0729790-55
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.20 수리 (Accepted) 1-1-2011-0821159-02
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2011.11.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0914675-08
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2011.11.18 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0914676-43
10 등록결정서
Decision to grant
2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0254273-35
11 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment
2012.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0665126-14
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
나노입자들이 부착될 상부 기판을 포함하는 나노입자 수송판;상기 상부 기판 상에 형성되고 상기 나노입자들을 수용하는 상부 패턴;상기 상부 기판과 마주하여 대응되고 상기 상부 기판에 부착된 나노입자들이 분리되어 위치될 하부 기판을 포함하는 나노입자 수용판; 상기 하부 기판상에 형성되고 상기 나노입자들이 소정의 위치에 배열되도록 유도하는 다수의 나노홈을 구비한 하부 패턴; 및상기 상부 기판 및 하부 기판 사이의 거리와, 상기 나노입자들 및 상기 나노홈의 위치를 측정하는 센서를 포함하는 나노입자의 배열장치
2 2
제1항에 있어서,상기 상부 기판 및 하부 기판의 간격을 조절하기 위한 시시디(CCD, Charge Coupled Device)를 더 포함하는 나노입자의 배열장치
3 3
제1항에 있어서,상기 상부 및 하부 기판은 3차원적으로 이동을 할 수 있는 상부 및 하부 멀티스테이지에 부착된 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,각 나노입자 및 나노홈의 위치들을 인식하기 위해 상기 상부 패턴 및 상기 하부 패턴의 형상을 촬영하기 위한 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy, SEM)을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
6 6
제1항에 있어서,상기 상부 기판 및 상기 하부 기판은 금속, 반도체, 또는 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
7 7
제1항에 있어서,상기 나노홈은 폭이 10 내지 10,000 ㎚이고, 높이가 30 내지 100,000 ㎚인 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
8 8
제1항에 있어서,상기 나노홈을 구비한 하부 패턴의 재료는 포토레지스터, 고분자, 실리콘 기판 또는 전극물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
9 9
제1항에 있어서,상기 나노홈의 폭은 상기 나노입자의 평균 직경의 85 내지 95%인 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
10 10
제1항에 있어서,상기 나노입자는 10 내지 10,000 ㎚의 평균 직경을 갖는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
11 11
제1항에 있어서,상기 나노입자의 평균 직경은 상기 나노홈의 폭 대비 85 내지 95%인 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
12 12
제1항에 있어서,상기 센서는 상부 및 하부 멀티스테이지 상에 각각 3개 이상 설치된 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
13 13
제1항에 있어서,상기 하부 기판은 상부 기판보다 크기가 작은 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열장치
14 14
나노입자들이 수용된 상부 패턴이 일면에 형성된 상부 기판을 포함하는 나노입자 수송판을 준비하는 공정;다수의 나노홈을 구비한 하부 패턴이 일면에 설치된 하부 기판을 포함하는 나노입자 수용판을 준비하는 공정;상기 상부 기판 및 상기 하부 기판을 인접시키는 공정;센서를 이용하여 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 사이의 거리와, 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판의 패턴 위치를 측정하는 공정; 및상기 나노입자들을 상기 상부 기판으로부터 분리한 후 상기 다수의 나노홈에 위치시키는 공정을 포함하는 나노입자의 배열방법
15 15
제14항에 있어서,상기 나노입자 수송판을 준비하는 공정 및 상기 나노입자 수용판을 준비하는 공정은 예비 측정 공정을 포함하는 나노입자의 배열방법
16 16
삭제
17 17
제14항에 있어서,상기 상부 기판 및 상기 하부 기판을 인접시키는 공정은 시시디(CCD, Charge Coupled Device)를 이용하여 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 사이의 간격을 조절하는 공정을 포함하는 나노입자의 배열방법
18 18
제14항에 있어서,상기 상부 기판 및 상기 하부 기판 사이의 거리와, 상기 상부 기판 및 상기 하부 기판의 패턴 위치를 측정하는 공정은, 3개 이상의 센서가 상부 및 하부에 각각 설치된 센서를 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
19 19
제14항에 있어서,상기 상부 패턴 및 상기 하부 패턴 위치를 측정하는 공정은, 주사전자현미경(Scanning Electron Microscopy, SEM)을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
20 20
제14항에 있어서,상기 공정을 반복하여 수행함으로써 상기 다수의 나노홈에 나노입자들을 적층시켜 나노입자 다층을 형성시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
21 21
제20항에 있어서,상기 나노입자 다층은 2층 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
22 22
제20항에 있어서,상기 나노입자 다층을 상호 접착시키는 공정을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
23 23
제14항에 있어서,상기 나노입자를 상기 상부 기판으로부터 분리한 후 상기 다수의 나노홈에 위치시키는 공정은, 상기 다수의 나노홈에 상기 나노입자들을 삽입 후 부피팽창에 의해 상기 나노입자들을 고정하기 위해 상기 다수의 나노홈을 구비한 하부 패턴에 열을 가하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
24 24
제14항에 있어서,상기 나노입자를 상기 상부 기판으로부터 분리한 후 상기 다수의 나노홈에 위치시키는 공정은, 폭이 상기 나노입자의 평균 직경의 85 내지 95%인 상기 다수의 나노홈에 상기 나노입자들을 강제로 삽입하여 고정하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
25 25
제14항에 있어서,상기 나노입자는 금속, 반도체 및 절연체로 이루어진 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
26 26
제14항에 있어서,상기 나노입자는 구형, 타원체, 오면기둥형, 육면기둥형, 팔면기둥형, 칠면기둥형, 원기둥형, 모서리가 굴곡된 육면기둥형, 육면체형, 모서리가 굴곡된 육면체형의 형상을 갖는 것을 특징으로 하는 나노입자의 배열방법
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3 JP25511397 JP 일본 FAMILY
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5 WO2011065793 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
6 WO2011065793 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

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7 WO2011065793 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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1 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 기후변화대응기술개발사업-기초원천기술개발사업 인공광합성 구현과 실용화를 위한 기초과학 확보 및 원천기술 개발