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화학용액성장법을 이용한 광전극의 제조 방법, 이에 의한 광전극 및 염료감응형 태양전지

  • 기술번호 : KST2014046516
  • 담당센터 : 서울서부기술혁신센터
  • 전화번호 : 02-6124-6930
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 화학용액증착법을 이용하여 금속 산화물층을 형성하는 것을 포함하는 광전극의 제조 방법, 및 이에 의하여 제조된 광전극 및 상기 광전극을 포함하는 염료감응형 태양전지에 관한 것이다.
Int. CL H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01G 9/2027(2013.01)
출원번호/일자 1020100056150 (2010.06.14)
출원인 서강대학교산학협력단
등록번호/일자 10-1160929-0000 (2012.06.22)
공개번호/일자 10-2011-0136271 (2011.12.21) 문서열기
공고번호/일자 (20120702) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2010.06.14)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 대한민국 서울특별시 마포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문준혁 대한민국 서울특별시 양천구
2 조창열 대한민국 인천광역시 연수구
3 진우민 대한민국 부산광역시 해운대구
4 신주환 대한민국 서울특별시 송파구
5 강지환 대한민국 서울특별시 마포구
6 이영신 대한민국 경기도 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인엠에이피에스 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 **, *층 (역삼동, 한동빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 서강대학교산학협력단 서울특별시 마포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2010.06.14 수리 (Accepted) 1-1-2010-0381138-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.02.08 수리 (Accepted) 1-1-2011-0089013-74
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2011.07.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2011.08.18 수리 (Accepted) 9-1-2011-0069587-43
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.08.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0485182-06
6 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.10.18 수리 (Accepted) 1-1-2011-0814935-51
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2011.10.31 수리 (Accepted) 1-1-2011-0853121-62
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.11.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0949011-11
9 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0948946-17
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.11.29 수리 (Accepted) 1-1-2011-0949010-76
11 등록결정서
Decision to grant		 2012.04.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0252117-85
12 [출원서등 보정]보정서
[Amendment to Patent Application, etc.] Amendment		 2012.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2012-0633432-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2017.01.11 수리 (Accepted) 4-1-2017-5005781-67
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.01.22 수리 (Accepted) 4-1-2019-5014626-89
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전도성 투명 기판 상에 씨드층(seed layer)을 형성하고,상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 씨드층 상에 실온 또는 그 이상의 온도에서 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액 중에 침지하여 화학용액성장법(chemical bath deposition)을 이용하여 상기 전도성 투명 기판 상에 금속산화물 층을 형성하는 것을 포함하는, 광전극(photoelectrode)의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 층에 감광성 염료를 흡착하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서,상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 상기 금속산화물 층을 소성(calcination)하는 것을 추가 포함하는, 광전극의 제조 방법
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 금속의 유기 화합물, 금속의 무기 화합물, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
7 7
제 1 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속을 함유하는 화합물을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
8 8
제 7 항에 있어서,상기 금속 산화물 전구체는 상기 금속의 알콕사이드, 상기 금속의 염, 또는 이들의 조합을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
9 9
제 1 항에 있어서,상기 금속산화물 층은 다공성을 가지는 것인, 광전극의 제조 방법
10 10
제 1 항에 있어서,상기 씨드층은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극의 제조 방법
11 11
전도성 투명 기판, 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 씨드층 및 상기 씨드층 상에 형성된 금속산화물 층을 포함하는 광전극으로서,상기 금속산화물 층은 상기 전도성 투명 기판 상에 형성된 씨드층 상에 실온 또는 그 이상의 온도에서 금속 산화물 전구체를 포함하는 용액 중에 침지하여 화학용액성장법(chemical bath deposition)을 이용하여 형성되는 것인, 광전극
12 12
삭제
13 13
제 11 항에 있어서,상기 금속산화물 층은 다공성을 가지는 것인, 광전극
14 14
제 11 항에 있어서,상기 금속산화물 층은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극
15 15
제 11 항에 있어서,상기 씨드층은 Ti, Zr, Sr, Zn, In, Yr, La, V, Mo, W, Sn, Nb, Mg, Al, Y, Sc, Sm, Ga 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택되는 금속의 산화물을 포함하는 것인, 광전극
16 16
감광성 염료가 흡착된 제 11 항 및 제 13 항 내지 제 15 항 중 어느 한 항에 따른 광전극(photoelectrode);상기 광전극에 대향되는 상대 전극(counter electrode); 및 상기 두 개의 전극 사이에 위치하는 전해질:을 포함하는, 염료감응형 태양전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
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3 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 유도 자기조립을 이용한 계층형 이종나노구조의 고효율 광전변환 소재 기술 유도 자기조립을 이용한 계층형 이종나노구조의 고효율 광전변환 소재 기술
4 교육과학기술부 서강대학교산학협력단 나노원천기술개발사업 유도 자기조립을 이용한 계층형 이종나노구조의 고효율 광전변환 소재 기술 개발