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반도체 발광소자

  • 기술번호 : KST2014046541
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 발광소자에 관한 것으로, 전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층을 가지는 반도체 발광소자에 있어서, 상기 활성층은 ZnO 기판 상에 성장되며, 우물 내의 In 조성물과 장벽 내의 Mg 조성물을 선택적으로 조절하여 제로(zero)의 내부전계를 가진 InxGa1-xN(0≤x≤1) 우물층과 MgyZn1-yO(0≤y≤1) 장벽층을 포함하는 양자우물(QW) 구조로 이루어짐으로써, 우물과 장벽 사이의 압전분극과 자발분극의 무효화로 인해 내부전계의 극성을 제거하여 광학적 매트릭스 요소가 크게 향상될 수 있는 효과가 있다.
Int. CL H01L 33/04 (2014.01) H01L 33/06 (2014.01)
CPC H01L 33/06(2013.01) H01L 33/06(2013.01)
출원번호/일자 1020110083087 (2011.08.19)
출원인 한국과학기술원
등록번호/일자 10-1180385-0000 (2012.08.31)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20120910) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.08.19)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조용훈 대한민국 대전광역시 유성구
2 박승환 대한민국 대구광역시 수성구
3 안도열 대한민국 서울특별시 송파구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 진수정 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
2 정태훈 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)
3 배성호 대한민국 경상북도 경산시 박물관로*길**, ***호(사동, 태화타워팰리스)(특허법인 티앤아이(경상북도분사무소))
4 오용수 대한민국 서울특별시 송파구 법원로 ***, A동 ****호(문정동, 엠스테이트)(특허법인 티앤아이)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 한국과학기술원 대전광역시 유성구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2011.08.19 수리 (Accepted) 1-1-2011-0645473-49
2 등록결정서
Decision to grant		 2012.08.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0503576-38
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2013.02.01 수리 (Accepted) 4-1-2013-5019983-17
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157993-01
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5157968-69
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2014.12.24 수리 (Accepted) 4-1-2014-5158129-58
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.04.24 수리 (Accepted) 4-1-2019-5081392-49
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5108396-12
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.06.12 수리 (Accepted) 4-1-2020-5131486-63
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
전자와 정공의 재결합을 통해 빛을 생성하는 활성층을 구비하는 복수개의 반도체층을 가지는 반도체 발광소자에 있어서,상기 활성층은 ZnO 기판 상에 성장되며, 우물 내의 In 조성물과 장벽 내의 Mg 조성물을 선택적으로 조절하여 제로(zero)의 내부전계를 가진 InxGa1-xN(0≤x≤1) 우물층과 MgyZn1-yO(0≤y≤1) 장벽층을 포함하는 양자우물(QW) 구조로 이루어진 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
2 2
제1 항에 있어서,상기 장벽 내의 Mg 조성물(y)은 상기 우물 내의 In 조성물(x)과 함께 증가되며, 상기 장벽 내의 Mg 조성물(y)은 상기 우물 내의 In 조성물(x)보다 크게 선택되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광소자
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.