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박막형 태양 전지를 제조하는 방법

  • 기술번호 : KST2014046613
  • 담당센터 : 대전기술혁신센터
  • 전화번호 : 042-610-2279
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 박막형 태양 전지를 제조하는 방법에 관한 것이다.즉, 본 발명은 스테인리스 스틸(Stainless steel) 기판에 요철을 형성하는 단계와; 상기 스테인리스 스틸 기판의 요철에 실리콘 질화막을 형성하여, 상기 실리콘 질화막 상부면에 제 1 요철 형상을 형성하는 단계와; 상기 실리콘 질화막 상부면에 메탈 전극층을 형성하여, 상기 메탈 전극층 상부면에 제 2 요철 형상을 형성하는 단계와; 상기 메탈 전극층 상부면에 P형 실리콘층을 형성하여, 상기 P형 실리콘층 상부면에 제 3 요철 형상을 형성하는 단계와; 상기 P형 실리콘층 상부면에 비정질 실리콘층을 형성하여, 상기 비정질 실리콘층 상부면에 제 4 요철 형상을 형성하는 단계와; 상기 비정질 실리콘층 상부면에 N형 실리콘층을 형성하여, 상기 N형 실리콘층 상부면에 제 5 요철 형상을 형성하는 단계와; 상기 N형 실리콘층 상부면에 투명 전극층을 형성하여, 상기 투명 전극층 상부면에 제 6 요철 형상을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL H01L 31/0236 (2006.01) H01L 31/042 (2014.01) H01L 31/18 (2006.01)
CPC H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01) H01L 31/202(2013.01)
출원번호/일자 1020120019447 (2012.02.27)
출원인 호서대학교 산학협력단
등록번호/일자 10-1353242-0000 (2014.01.13)
공개번호/일자 10-2013-0097842 (2013.09.04) 문서열기
공고번호/일자 (20140121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.02.27)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 대한민국 충청남도 아산시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 배병성 대한민국 경기 수원시 팔달구
2 금창민 대한민국 인천 연수구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 호서대학교 산학협력단 충청남도 아산시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2012.02.27 수리 (Accepted) 1-1-2012-0155489-09
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.05.03 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.06.05 수리 (Accepted) 9-1-2013-0043026-23
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.07.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0520433-07
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.09.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0864462-42
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.09.24 수리 (Accepted) 1-1-2013-0864480-64
7 등록결정서
Decision to grant		 2013.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0908589-09
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.30 수리 (Accepted) 4-1-2019-0045360-16
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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스테인리스 스틸(Stainless steel) 기판에 요철을 형성하는 단계와;상기 스테인리스 스틸 기판의 요철에 실리콘 질화막을 형성하여, 상기 실리콘 질화막 상부면에 제 1 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 실리콘 질화막 상부면에 메탈 전극층을 형성하여, 상기 메탈 전극층 상부면에 제 2 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 메탈 전극층 상부면에 P형 실리콘층을 형성하여, 상기 P형 실리콘층 상부면에 제 3 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 P형 실리콘층 상부면에 비정질 실리콘층을 형성하여, 상기 비정질 실리콘층 상부면에 제 4 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 상부면에 N형 실리콘층을 형성하여, 상기 N형 실리콘층 상부면에 제 5 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 N형 실리콘층 상부면에 투명 전극층을 형성하여, 상기 투명 전극층 상부면에 제 6 요철 형상을 형성하는 단계를 포함하되,상기 스테인리스 스틸 기판의 요철에 실리콘 질화막을 형성하여, 상기 실리콘 질화막 상부면에 제 1 요철 형상을 형성하는 단계 후에, 상기 스테인리스 스틸 기판의 요철이 노출되는 컨택홀을 상기 실리콘 질화막에 형성하는 단계를 더 수행하고,상기 실리콘 질화막 상부면에 메탈 전극층을 형성하여, 상기 메탈 전극층 상부면에 제 2 요철 형상을 형성하는 단계는,상기 컨택홀을 채우며, 상기 실리콘 질화막 상부에 메탈 전극층을 형성하는 단계인 박막형 태양 전지를 제조하는 방법
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스테인리스 스틸(Stainless steel) 기판에 요철을 형성하는 단계와;상기 스테인리스 스틸 기판의 요철에 실리콘 질화막을 형성하여, 상기 실리콘 질화막 상부면에 제 1 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 실리콘 질화막 상부면에 메탈 전극층을 형성하여, 상기 메탈 전극층 상부면에 제 2 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 메탈 전극층 상부면에 P형 실리콘층을 형성하여, 상기 P형 실리콘층 상부면에 제 3 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 P형 실리콘층 상부면에 비정질 실리콘층을 형성하여, 상기 비정질 실리콘층 상부면에 제 4 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 상부면에 N형 실리콘층을 형성하여, 상기 N형 실리콘층 상부면에 제 5 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 N형 실리콘층 상부면에 투명 전극층을 형성하여, 상기 투명 전극층 상부면에 제 6 요철 형상을 형성하는 단계를 포함하되,상기 스테인리스 스틸 기판은 요철이 형성된 면이 오목한 형상을 갖는 박막형 태양 전지를 제조하는 방법
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스테인리스 스틸(Stainless steel) 기판에 요철을 형성하는 단계와;상기 스테인리스 스틸 기판의 요철에 실리콘 질화막을 형성하여, 상기 실리콘 질화막 상부면에 제 1 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 실리콘 질화막 상부면에 메탈 전극층을 형성하여, 상기 메탈 전극층 상부면에 제 2 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 메탈 전극층 상부면에 P형 실리콘층을 형성하여, 상기 P형 실리콘층 상부면에 제 3 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 P형 실리콘층 상부면에 비정질 실리콘층을 형성하여, 상기 비정질 실리콘층 상부면에 제 4 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 비정질 실리콘층 상부면에 N형 실리콘층을 형성하여, 상기 N형 실리콘층 상부면에 제 5 요철 형상을 형성하는 단계와;상기 N형 실리콘층 상부면에 투명 전극층을 형성하여, 상기 투명 전극층 상부면에 제 6 요철 형상을 형성하는 단계를 포함하되,상기 스테인리스 스틸 기판의 두께는 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 얇아지는 박막형 태양 전지를 제조하는 방법
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청구항 1, 청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 실리콘 질화막은 200㎚ ~ 300㎚의 두께로 증착하여 형성하고, 상기 메탈 전극층은 Cr 전극을 100㎚ ~ 200㎚의 두께로 증착하여 형성하고, 상기 P형 실리콘층은 10㎚ ~ 20㎚의 두께로 증착하여 형성하고, 상기 비정질 실리콘층은 400㎚ ~ 500㎚의 두께로 증착하여 형성하고, 상기 N형 실리콘층은 25㎚ ~ 35㎚의 두께로 증착하여 형성하고, 상기 투명 전극층은 ITO를 60㎚로 증착하여 형성하는 박막형 태양 전지를 제조하는 방법
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청구항 1, 청구항 4 및 청구항 5 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제 1 요철 형상에서 상기 제 6 요철 형상까지 요철의 크기는 점차적으로 작아지는 박막형 태양 전지를 제조하는 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.